原位(TiB+TiC)/Ti复合材料中TiB/Ti界面的微结构研究

本文利用透射电镜（TEM）和高分辨透射电镜（HRTEM）研究了利用钛与碳化硼之间的自蔓燃高温合成反应,经普通的熔炼工艺制备的（TiB TiC)/Ti复合材料中TiB晶须与钛界面的微观组织结构。结果发现：界面非常洁净,两侧晶体存在如下平行关系：[010]TiB//[011^-0]Ti,(100)TiB//(2^-110)Ti,(001)TiB//(0002)Ti和[001]TiB//[011^-0]Ti,(010)TiB//(2^-110)Ti,(200)TiB//(0002)Ti。利用凝固理论分析了TiB/Ti界面微结构的形成机制,较好地解释了原位（TiB TiC)/Ti复合材料中TiB/Ti界面结合较好的原因。     

主接线可靠性评估中分析断路器拒动的一种新方法

在应用Ｍａｒｋｏｖ过程对主接线进行可靠性评估的过程中,文章对断路器拒动故障进行了深入分析,提出一种全面处理断路器拒动故障的办法,由此特别定义了断路器故障中的“隐性”及“显性”拒动故障的概念,并分析了拒动故障等效模型,对其状态空间图进行了详细的分析讨论,并证明了这种处理是全面的和可行的。     

热处理对SiCW-Al2O3复合材料表面裂纹及强度的影响

系统地研究了不同温度下的热处理对ＳｉＣ晶须增韧氧化铝陶瓷复合材料表面裂及强度的影响。结果表明：在热处理温度为１０００℃时,由于扩散作用压痕裂纹开始出现愈合现象,在热处理温度为１２００℃以上时,材料表面开始发生氧化反应,当热处理温度为１４００℃时,材料表面有莫来石相析出,形成表面反应物层,使得压痕裂纹逐渐愈合,材料的抗弯强度大幅度提高。热处理引起的应力松弛也有利于材料强度的提高,但氧化过程中产生的表     

一种永磁同步电机无模型超螺旋快速终端滑模控制方法

针对内置式永磁同步电机(interior permanent magnet synchronous motor, IPMSM)由于内部参数变化、外部扰动等各种不确定性因素导致控制性能不佳的问题,提出一种无模型超螺旋快速终端滑模控制方法。首先,建立考虑IPMSM不确定性的新型超局部模型,结合超螺旋算法和快速终端切换函数设计无模型超螺旋快速终端滑模控制器,确保系统状态有限时间收敛,并有效减小抖振。其次,设计扩展滑模扰动观测器精准估计超局部模型中的未知部分,并前馈补偿给设计的控制器,进一步提升系统的抗干扰能力和跟踪性能。最后,通过与PI控制和传统无模型滑模控制进行仿真实验对比,验证了该方法具有更快的收敛速度和更强的鲁棒性。     

HBIW中主要杂质的鉴定及形成途径

采用常压制备色谱分离了六苄基六氮杂异伍兹烷( HBIW)中提取的杂质,重结晶得到其中一种主要的杂质晶体;应用FT-IR、1H-NMR、ESI-MS、元素分析鉴定了该杂质的结构,研究了它的形成途径及对氢解反应催化剂钯的影响。结果表明HBIW中的主要杂质是草酰二苄胺(Bn-NHCO-)一2,它主要由醛胺缩合中间体C6H5 CH2NHCH(OH) CH( OH) NHCH2 C6 H5在空气中氧化而生成,氢解反应中它会危害到催化剂钯的活性。     

目标多个最优解的GA求解法及其运用

在寻求目标多个最优解的算法的基础上，提出了一种新的寻求目标多个最优解的GA求解法。通过分析组合优化问题的特点，对原来的小生境半径的自动确定方法进行改进，最后得出了一种新的方法。将此方法运用于防空群作战目标分配，通过仿真结果表明该算法操作简便，计算更快。     

溶液中菁染料的状态对其在AgBr表面吸附效应的量热研究

用半导体精密量热计测得25±0.01℃时溴化银从DMF-H_2O溶液中吸附噻碳菁染料(Ⅰ)的吸附热。发现由于溶液中染料聚集状态的不同导致吸附热明显不同,但吸附于溴化银表面的染料的聚集态则基本相     

GaAs半导体掺杂浓度的电反射光谱的研究

在波长300～1 100nm范围内,对GaAs进行了电反射光谱的研究。建立了电反射光谱的测试系统,并对实验和理论作了详细分析。推导了某一固定波长电反射光谱与半导体表面掺杂浓度的理论关系。并利用电反射光谱的实验曲线计算了GaAs的表面掺杂浓度,所得结果与电化学C—V的测试结果一致,其精度为5％。     

斜方的YBa_2Cu_3O_y超导物质的指标化

用X射线衍射仪记录法,按Lipson程序对斜方晶系的怒导物质YBa_2Cu_3Oy,进行晶面指数的标定。首先Lipson标定程序是对全部的反射线求出1/d~2的差值(或sin~2θ的差值),这些差值含有(nk00)、(0nk0)、(00nl)、(0kl)、(1kl)、(2kl)和(hkl)、(2h2k21)等晶面的一些1/d_2值。从这些差值中去寻找(100)、(010)和(001)晶面的反射(它们不可能同时出现)。当它们被找到以后,则可按传统的斜方晶系面间距计算公式对每条反射线进行匹配。若匹配结果的误差在允许的误差范围内,则指标化完毕。反之要重新选择(100)、(010)和(001)晶面的q值,或者对所选择的三个晶面反射进行修正,直至得出令人满意的结果。