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搅拌铸造SiC_p/A356复合材料的显微组织及力学性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用搅拌铸造技术制备质量分数为15%的SiCp增强A356铝基复合材料,并对所制备的复合材料进行后续热挤压变形。通过金相观察(OM),扫描电镜(SEM)及力学性能测试等手段,对该复合材料显微组织与力学性能进行了研究。结果表明,所制备的复合材料铸态组织中,SiCp较均匀地分布于基体中,SiCp与Al界面处存在Si原子的富集;热挤压变形后,显微气孔等铸造缺陷明显减少,材料致密度显著提高,SiCp沿热挤压方向呈流线分布特征,颗粒均匀分散性明显提高;采用535℃×5h固溶+180℃×5h时效处理后,热挤压棒材的力学性能为:σs=370MPa,σb=225MPa,δ=5.3%,时效后析出强化相大小约为200nm,且弥散分布于基体中;断口分析表明,SiCp/A356铝基复合材料的断裂主要是由基体的塑性断裂及SiCp的断裂导致的。 相似文献
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利用搅拌铸造?热挤压工艺制备SiCp/2024铝基复合材料板材,研究该复合材料铸态、热挤压态和热处理态的显微组织及力学性能。结果表明:SiC颗粒较均匀地分布于铸锭中,大部分SiC颗粒沿晶界分布,少数颗粒分布于晶内,晶界粗大的第二相呈非连续状分布;复合材料经热挤压变形后,显微孔洞等铸造缺陷明显消除,破碎的晶界第二相及SiC颗粒沿热挤压方向呈流线分布,复合材料的强度和塑性显著提高;对热挤压板材进行(495℃,1h)固溶处理+(177℃,8h)时效处理后,其抗拉强度达430MPa,此时的主要析出强化相为S′(Al2CuMg);热挤压变形有利于改善SiC颗粒与基体合金的界面结合,热处理SiCp/2024铝基复合材料的主要断裂方式为基体合金的延性断裂、SiC颗粒断裂和SiC/Al的界面脱粘。 相似文献
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为研究水轮机投入生产后常常产生的裂纹以及疲劳失效问题,构建混流式水轮机HLA551 c-WJ-71几何模型并模拟流固耦合(FSI)中复杂的流体流动,对混流式水轮机额定工况运行过程中动态应力以及叶片形变进行分析,揭示流道内的动态应力与叶片疲劳失效之间的内在关系。结果表明:混流式水轮机额定工况运行时,叶片的最大Von Mises应力为60.2 MPa,远小于材料的极限应力,因此静应力不会导致叶片产生短期裂纹破坏;水轮机额定工况运行时叶片表面和尾水管的动应力最大为107kPa,同样远小于材料的极限应力;叶片上冠处为叶片最高应力区域,且在叶片表面压力变动时,压力的变化幅值也较大,因此认定叶片上冠为叶片的疲劳危险区。研究结果有助于水轮机转轮的优化设计,提高对水轮机瞬态运行及疲劳失效的理解。 相似文献
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为了准确判断热力发电厂出现运行参数偏离设计工况的异常状态的原因是由于系统变工况,还是设备故障所致。基于在役核电厂汽水分离再热器(MSR)设计参数,采用THERMOFLEX软件构建热力设备计算模型,实现软件变工况计算并与电厂实际运行数据对比。结果表明,热力设备计算建模的变工况计算结果与实际运行数据的误差在1%以内,能较快地确定运行参数偏离设计的根本原因,实现了对MSR设备运行异常的快速诊断,该方法也可拓展应用于其他热力设备的变工况计算与性能诊断。 相似文献
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为解决焦炉煤气产量大、利用效率低等问题,设计了一套基于焦炉煤气的冷-热-电三联供系统,构建了系统热力学模型.以Aspen Hysys10为模拟和计算平台,研究了该系统在冬季、夏季及春秋过渡季典型工作日运行时的能量流和火用流.研究结果表明:该系统可使焦炉煤气的化学能得到合理的利用,不仅能同时向用户提供冷热电,而且能实现能量的有效梯级利用.在冬季、夏季及春秋过渡季的典型日,系统的综合能效分别为63.3%,63.5%和62.2%,火用效率分别为56.5%,57.1%和59.1%.最大的能损和火用损都发生在汽轮机中,该单元在设计或运行中都应该给予重视. 相似文献
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为了研究混流式水轮机在启动过程中产生的水力激振,通过数值模拟方法,研究了非定常流场中转轮与尾水管压力场变化特征,揭示了混流式水轮机在启动过程中压力场幅值和频率的变化与涡绳的发展过程之间的内在关系。结果表明:在启动过程中,转轮内同一个叶片的同一个表面不同位置的点受到的压力变化趋势并不相同,甚至存在相反的情况;叶片表面压力最大压力值出现在靠近叶尖位置,其压力约为平稳运行时的110.9%;最小压力值出现在叶根处,其压力约为平稳运行时的95.8%;且无论混流式水轮机在启动状态下还是最佳效率点,叶片压力面均存在低周的压力脉动;转轮经历静止到最佳效率点的压力波动幅度大约为稳定运行时的一半,而尾水管在启动状态下压力波动幅度与稳定运行时的压力波动基本相当。 相似文献
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针对马钢中板线生产TA1的板的过程中出现上翘、下扣等板形问题,分析了翘曲产生的原因,制定了工艺、设备以及操作方面的预防措施,解决了生产过程中板形问题。 相似文献
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1.光耦合测试电路断开电压上升额定值dU/dt的测量是在输入为0V时,输入信号Uin的频率增加直到晶闸管导通,然后用频率计算dU/dt,公式如下:dU/dt=2√2πfUi。图1中光二极管与晶闸管光耦合电路为TIL3009~TIL3012,输入至输出峰值电压,5S脉宽,60Hz,3.535kV;输入二极管反向电压3V:输入二极管正向电流50mA;输出断开峰值电压250v; 相似文献