日本1971～1982年间关于煤与瓦斯突出的研究概况

<正>《日本矿业会志》曾于1971年第11期的煤炭专集中以“关于突出的展望及今后的课题”为题,阐述了当时的煤与瓦斯突出概况,时至如今,历12年有余.在该文之结语中,曾作这样的推论,即煤与瓦斯突出的发生原因存在于围岩的不规则运动中,由于顶板压力、包括瓦斯在内的煤的物性以及环境的限制条件     

封装设备

气密密封型集成电路封装设备与后面叙述的树脂封接型集成电路封装设备、材料和方法有很大不同。在树脂封接型IC的情况下,是将热固性的粒状树脂加热加压成形,而在气密密封型IC的情况下,如图1所示的那样,是把陶瓷(氧化铝作为主要成分)、玻璃(铅玻璃)和金属(Fe-Ni合金)等各种材料用金属材料、玻璃封接材料、树脂粘结材料进行粘接或封接。     

电源的混合集成化及技术方面的问题

从小功率出发的集成电路,在大功率和高压电路方面的研究是落后的。到目前为止,半导体集成电路的大功率化从结构上和成本上来说是困难的,而混合集成电路由于使用分立部件,片式有源元件或无源元件比较容易得到大功率,所以最近已能获得相当大的输出功率。此外,混合集成电路在设备的投资方面比半导体集成电路约低一个数量级,而且电路设计自由度比较大,所以在民用设备中今后占很主要的地位。电路集成化时,一般是把薄膜和厚膜无源元件(主要是电容器或电阻)和有源元件     

下水道用紫外线消毒装置

该装置由内置高频发生器控制盘和紫外线照射组件构成。工作时处理水在紫外线灯周围流动，工作时间很短。可杀灭大肠杆菌等细菌，阻止其DNA复制，抑制细菌的繁殖，清洁环境。     

离子束工艺

由于半导体器件工艺的干法化,各种离子束工艺越来越显得重要了。本文就其中的离子束曝光、离子束蚀刻以及聚焦离子束技术的最近进展情况进行论述。一、前言随着半导体器件的高密度化、高集成化,要使工艺技术满足:1)、超微细加工,2)、低温工艺,3)便于控制,4)净化工艺等的要求问题,越来越显得重要了。采     

二氧化硫气体在钒触媒中的接触氧化反应历程

根据前一篇报导的二段接触微分反应方式,对二氧化硫气体接触氧化反应速度的测定值,曾在负速度范围内和按反应平衡点的实际测定进行了反应温度的研究,但其特点和正确性都未取得。 本报导中对此测定值采用了Hougen,Watson的接触反应历程解析法,并进行了反应历程的解析。关于在测定条件下的这种结果,认为在触媒活性点吸附二氧化硫气体分子与解离吸附氧原子的表面反应是很好地适合律速阶段的速度式。此外对速度式中具有物理意义的各定数值也进行了研究。     

标准底片

一、什么是标准底片所谓标准底片,就是指曝光和显影得当,具有标准密度和反差的底片。为了得到具有标准密度和反差的底片,摄影时的曝光一定要准确,然后还必须进行标准显影加工。     

锻造钢锭制造法的发展

<正> 近年来,重工业的发展,逐渐促进了大型锻钢件质量的不断提高。结果,随着设备的大型化、运转速度和温度的提高,其主要部件——锻钢件的质量要求也越来越严。特别是这几年来,由于工业设备的高度集中和大型化的进一步发展,所以这种倾向在不断地加强。作为其代表的有各种成套设备的汽轮机、发电机、大型轧辊、石油精炼容器和原子能成套设备等。虽然,最近有了显著进步,其中很少一部分部件可用电渣焊把小块拼焊起来的方法制造,但这些锻钢件仍然要求有不用焊接方法制造的整体锻件。因此、这些件所使用的钢锭也必然要大型化,现在最大的已超过500吨。本文将对大锻造钢锭在制造上的现状和问题加以叙述,也触及二、三个先进方法的实例。