铜线键合技术的发展与挑战

铜线键合技术近年来发展迅速,超细间距引线键合是目前铜线键合的主要发展趋势.介绍了铜线键合的防氧化措施以及键合参数的优化,并从IMC生长及焊盘铝挤出方面阐述了铜线键合的可靠性机理.针对铜线在超细间距引线键合中面临的问题,介绍了可解决这些问题的镀钯铜线的性能,并阐述了铜线的成弧能力及面临的挑战.     

CMOS测频测速仪的原理及应用

基于所研制的一种采用CMOS电路器件的测频测速装置,介绍了用于精确测量电网频率的工作原理;从基准环节、采样环节、门电路环节、测量环节和译码环节方面介绍了具体的设计和实现。实践证明,该装置性能稳定、功耗低、价格低廉,同时具有较高的可靠性和精度。     

C60富勒烯分子的电子传输特性

采用扩展的Huckel方法与格林函数方法,分析了双Au电极作用下C60富勒烯分子的电子结构与电子输运特性。研究结果表明,C60富勒烯分子与Au电极“接触”后,其分子轨道能级发生了较大的变化,HOMO、LUMO间的能隙显著减小;C60与Au电极之间的结合既有共价键的成分,又有离子键的成分;C60富勒烯分子的电压-电导率曲线以及伏安曲线表现出了微妙的量子特性。     

纳米碳管中及自由状态下镍团簇形态与熔化的分子动力学研究

采用Rosato-Guillope-Legrand多体势分子动力学方法，模拟了（40，0）纳米碳管中及自由状态下Ni534原子团簇的形态与熔化特性，并对其差异进行了讨论。研究表明，温度T=300K时，碳管中及自由状态下的Ni534都具有晶体特征，但碳管中Ni534团簇的形态为与碳管同轴的单壁Ni管，而自由Ni534团簇为近似球形；碳管中Ni534团簇的熔点在900K以上，而自由Ni534团簇的熔点为696K左右。     

GH4169合金固溶及冷拉过程的微观组织演变行为

利用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了GH4169合金固溶和冷拉过程中的微观组织演变规律。结果表明，初始热轧棒材经固溶处理后，边部会出现晶粒异常长大现象，同时由于δ相阻碍晶粒长大的作用，正常晶粒和异常晶粒的尺寸差异不大。固溶处理后小角度晶界会向大角度转变，且边部出现了■孪晶。冷拉过程中随着变形量的增大，不同区域的形变差异逐渐减小，当变形量达到30%时，不同区域的形变基本一致。在变形过程中随着位错的增殖，大角度晶界数量逐渐降低，小角度晶界数量逐渐增加。当变形量比较小时，边部的变形方式类似于轧制变形，因此会出现高斯织构和黄铜织构，随着变形量的增大，出现了典型的<111>丝织构，且织构强度也逐渐增加。