层状钙钛矿铁电薄膜的层错结构研究

由于铁电薄膜具有工作电压低、读写速度快及较好的耐久性等优点,在非易失存储器(FRAM)方面受到人们的广泛重视。在过去的十年里,研究的重点集中在Pb(Zr,Ti)O3(PZT)系铁电薄膜材料,但由于该系材料存在严重的疲劳现象,限制其在FRAM器件上的应用。近年来,铋系层状钙钛矿结构的铁电薄膜材料在FRAM器件中的应用与日俱增。SrBiTa2O9(SBT)铁电薄膜作为铋系层状钙钛矿结构材料的代表,它具有优良的耐疲劳特性(极化反转次数高达1012次)和较好的保持力特性,成为制备FRAM器件的首选材料[1]。虽然人们对SBT铁电薄膜的制备工艺、电学性能及…     

纳米孔洞氧化铝模板的电镜观测

孔径在2nm到50nm之间的孔洞材料称为介孔材料。孔径均匀、排列一致的介孔材料,可以用做模板进行材料的组装,被称为介孔模板。由于介孔模板具有大的比表面积,大小均一的孔径和好的排列方向性,表现出很多非同寻常的物理、化学特性。人们利用介孔模板填入纳米材料形成介孔固体[1],得到了不同寻常的磁学[2]和光学性质。利用介孔模板的模板效应进行分子的组装得到了具有特异导电性能的高分子材料[3]。介孔模板的优异特性吸引了很多科学家的注意,近年来不同性能的介孔模板被陆续制成[4,5],并迅速应用到各个方面。相对于高分子模板,氧化铝模板具有…     

挤压铸造SiCp/ZL101复合材料中Si相的电镜观察

利用透射电镜观察了挤压铸造ＳｉＣｐ／ＺＬ１０１复合材料中Ｓｉ相的分布形态,分别发现在基体中析出和依附ＳｉＣ颗粒表面生长这两类Ｓｉ的分布形态,还有少量Ｍｇ２Ｓｉ粒子在后者界面附近析出,并结合挤压铸造工艺和相其形成原因。     

高温变形FeAl金属间化合物中的位错特征

利用透射电子显微镜对９００℃高温变形后的ＦｅＡｌ金属间化合物进行观察，发现材料中存在大量的方形位错环和位错蜷线偶。经确定，方形位错环位于（１００）面，Ｂｕｒｇｅｒｓ矢量为［１００］，是由空位聚集造成的。位错蜷线偶是由［１１１］螺型位错偶经过攀移形成的。有迹象表明，位错进一步攀移，可使位错蜷线偶产生另外一种与其具有相同Ｂｕｒｇｅｒｓ矢量的位错环，这种位错环位于与蜷线轴线垂直的面上。作者认为，位错的攀