逆冲断层发育区火山岩裂缝分布模式

准噶尔盆地车排子地区石炭系内发育有多条逆冲断层和多样的火山岩,且火山岩储层中构造裂缝发育。为了研究逆冲断层发育区火山岩裂缝分布模式,以车排子地区石炭系火山岩为例,分析了裂缝在纵向上和平面上的分布特征,并引入裂缝分布范围的“质心”概念,定量研究了裂缝分布范围在三维空间中的变化特征,提出了逆冲断层发育区火山岩裂缝分布模式。研究认为：裂缝空间分布范围变化特征有4种类型：质心正向偏移+密度值变大型（Ⅰ型）、质心负向偏移+密度值变大型（Ⅱ型）、质心正向偏移+密度值减小型（Ⅲ型）、质心负向偏移+密度值减小型（Ⅳ型）。逆冲断层发育区火山岩裂缝具有条带状楔形质心偏移模式,该模式特点为：平面上,裂缝分布形态呈现条带状;纵向上,裂缝分布形态呈现楔形,同时受到火山岩岩性的影响,局部裂缝的分布范围变大;裂缝分布范围的“质心”会在断层和火山岩岩性的控制作用下发生偏移。裂缝分布范围的“质心”概念的引入,可为裂缝分布规律的研究提供一种新的思路和方法。     

黄石电厂挖潜解决供水难题

城市用水供需矛盾不同程度地普遍存在着。黄石电厂厂区用水严重不足,生产、工作极为不便。锅炉补给水的原水系电厂排向长江的凝汽器循环冷却水。预处理系统中,设有两座ЦНИИ-Ⅰ型澄清器,正常生产时,一座澄清器运行即可满足除盐设备的制水需要。该类型澄清设备的检修间隔期长,化学分场认为这是可供挖掘的潜力,因而从1985年开始,以另一座澄清器的出水,经投加次氯酸钠消毒处理后,同一台过滤器自用水泵将清水输入厂区自来水管网末梢部分,厂区用水紧张得到了缓解。     

T726井石炭系盐膏层钻井完井技术

T726井是中国石化西北分公司在塔河油田西南部边缘地区布置的一口重点评价井。针对塔里木盆地石炭系盐层埋藏深,温度高,地层压力大,极易发生“缩径、坍塌”,造成卡钻,同时由于盐岩层的塑性蠕动,形成不规则井眼,甚至造成套管挤毁变形事故,井身质量难以控制,固井质量难以保证等问题,通过对同类型已钻井进行总结分析,提出了一系列钻井技术措施,并在T726井严格实施。结果表明,施工全过程安全无事故,盐层套管无变形,井身质量和固井质量优良,为以后在该地区石炭系盐膏层安全钻井积累了成功的经验。     

宁东地区660 MW机组锅炉燃煤掺烧试验研究

宁东地区某燃煤发电厂由于燃用的设计煤种供应紧张,急需掺烧经济性较好的非设计煤种来改善经营状况,但是,燃用非设计煤种可能会导致锅炉设备的安全无法保障,锅炉运行经济性降低和污染物排放量发生明显变化,因此需要进行相应的混煤掺烧试验研究。本文通过选取合适且经济的煤种与电厂常规设计煤种进行掺烧试验,全面分析混煤掺烧对锅炉设备安全性、经济性和环保性的影响,为电厂扩大煤种适应性范围提供决策依据。     

外置胎压检测系统设计

汽车胎压检测装置越来越多地加入到车载控制系统中,为减少交通事故做出很大的贡献。然而,现有车载胎压检测系统多内置于轮胎中,出现故障难以修复。目前,只有新上市的汽车配备有车载胎压检测系统,老旧汽车亟待配备胎压检测系统。针对内置胎压检测系统的缺陷及老车对胎压检测系统的需求,设计了一种外置胎压检测系统,该系统分为检测装置和监控装置两部分。检测装置以 BOSCH 公司的胎压检测芯片 BMP180位传感原件,以低功耗蓝牙芯片DA14580为控制器。监控装置以 STM32L152RBT6为控制器,同样以 DA14580为蓝牙传输芯片。该系统可以实现胎压、胎温实时监控以及危险报警,具有可靠性高、成本低等特点。     

双基系推进剂包覆过渡层的研究

三元乙丙橡胶中添加高分子量酚醛树脂可以提高粘结性能,用聚胺酯作过渡层能获得良好的粘结效果。研制的GDZ-3聚胺酯溶剂型过渡层剥离粘结强度大于15N/cm,拉伸粘结强度大于等于推进剂本体强度,经发动机高低常温静止试验工作可靠。     

用晶体管结构图示法解析BV_(CEO)=BV_(CBO)

1.前言普通晶体管的BV_(CEO)遵从如下经验公式:我们在制作超高频低噪声晶体管中,由于其结构不同,往往BV_(CEO)=BV_(CEO)或者BV_(CEO)接近BV_(CEO).本文就这一问题,试从晶体管的结构入手,用图示法进行解析.分析表明,晶体管结构不同,BV_(CEO)和BV_(CEO)将有不同的关系.2.事本结构为满足超高频低噪声晶体管的参数要求,     

n~+—GaAs—非掺杂Ga_(0.6)Al_(0.4)As—n—GaAs电容的电测量

在80～350K的温度范围内,已测得n~+-GaAs-非掺杂Ga_(0.6)Al_(0.4)As-n-GaAs电容的电流随电压变化曲线(I-V特性)和电容随电压变化曲线(C-V特性)。在低温下此结构的特性类似于一只半导体-绝缘体-半导体二极管,此二极管的底部界面势垒高度和顶部界面势垒高度分别为0.38eV和0.40eV。由于衬底耗尽层的形成,I-V曲线出现整流特性。C-V曲线说明了反偏情况下形成耗尽层、正偏情况下形成积累层,积累层中的电子浓度大于10~(12)/cm~2。此C-V曲线与SIS结构的标准理论相符,假设了积累层中的电子服从费米-狄拉克统计,其中未计入0.16V的电压偏差。