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31.
基于Kriging代理模型的注塑件残余应力优化分析 总被引:1,自引:0,他引:1
以注塑成型制品中脱模后的最大Mises-Hencky残余应力为目标函数,运用基于Kriging代理模型及EI加点准则的序列优化方法,对聚碳酸酯材料制品进行了工艺参数(包括熔体温度、模具温度、注射速率、保压压力及保压时间)优化。算例结果表明,所提出方法可以有效地降低注塑件内的最大Mises-Hencky残余应力。在此基础上对充填阶段进行深入分析,用贝塞尔曲线控制方式代替常规的常速率充填控制方式,进一步降低了制件内的残余应力。 相似文献
32.
采用Ansys Fluent软件模拟了1个基础工况与8个对比工况下污泥气化气体在某燃气锅炉炉内的流动及燃烧过程.结果 表明:炉内气流旋转上升的同时剧烈燃烧;基础工况下底部喷口截面最高平均温度可达1200 K;改变空气和燃气入口速度对炉内燃烧温度以及氧气、二氧化碳体积分数有较大影响;增大燃气入口速度后,底部喷口截面平均温度达到1300 K,该区域平均氧气体积分数明显减小;污泥气化气体中可燃组分增大会使炉内燃烧反应加剧,燃气中一氧化碳体积分数增大到18%时,底部喷口截面平均温度达到1400 K,但对大部分炉膛高度下的平均氧气体积分数和平均二氧化碳体积分数的影响较小. 相似文献
33.
34.
攀西地区作为我国西部的重要成矿带,其矿山开发对环境影响的主要途径是水系,查明水系重金属元素的地球化学特征,对于探讨矿山开发的环境影响和环境整治具有重要的意义。以攀西地区安宁河水体为研究对象,在查明水体重金属元素含量空间分布的基础上,通过多元统计的方法,探讨了重金属的来源。研究结果显示:研究区水体整体上受到污染严重,不同重金属对水体造成的污染程度依次为HgNiAsCdPbCuZnCr,因子分析将重金属分为四类,PC1元素为Cd、Zn、Cu,可能因泸沽铁矿的开采所致;PC2元素Hg、Cr可能由于多矿区混合来源所致;PC3元素As、Ni可能由于太和钒钛磁铁矿所致;PC4元素Pb可能因牦牛坪稀土矿所致。研究区整体潜在风险高,其中Hg元素潜在风险大,考虑到研究区在四川省矿产资源开发的重要地位,因此存在长期潜在危害的可能性,应及时采取对应措施。 相似文献
35.
用3H-TdR(氚标记的胸腺嘧啶脱氧核苷)掺入法结合DNA合成抑制剂处理,研究了纳秒级强脉冲电子束和Ar+离子束诱导的烟草种子的DNA损伤修复合成。受辐照种子在萌发的28~44h较正常种子有较多的3H-TdR的掺入,在萌发早期(60h内)出现了两个DNA合成峰,而正常种子仅有一个。受辐照种子内的第一个DNA合成峰受到DNA修复抑制剂咖啡因的强烈抑制,而第二个DNA合成峰受到DNA复制抑制剂羟基脲的强烈抑制。说明纳秒强脉冲电子束和Ar+离子束诱发了烟草种子DNA的损伤和修复。烟草种子的DNA修复合成开始于种子萌发的第28h,36h或40h达到高峰,较DNA复制高峰早12h或16h。本文还对DNA合成抑制剂的作用进行了讨论。 相似文献
36.
黑麦小孢子母细胞核基质的超显微结构观察 总被引:1,自引:1,他引:0
把黑麦的幼穗剪下插入含5%二甲基亚砜(DMSO)的Banner's盐溶液中。室温下培养24小时后,解剖出花药,按常规的超薄切片法制片。透射电子显微镜下观察发现小孢子母细胞核内出现类似微丝的微纤丝结构。这种结构粗约6-7nm,集合成微纤丝束,特异性地出现在凝线期的小孢子母细胞核中。在凝线期,染色质向核的一极集中,靠近核膜的区域由于染色质的转移变为透明区。微纤丝束通常分布在这种透明区。微纤丝束位于染色质附近,并与细胞核的长轴和染色质向极端运动的方向平行。在未经DMSO处理的小孢子母细胞中偶尔也可看到这种结构。文章讨论了黑麦小孢子母细胞核中微纤丝结构的生化本质和可能的作用。 相似文献
37.
为了得以能用于诊断的光学图像,人们在不断研究图像的重建过程以及求解其反演问题,该问题基于这样一种假设:给出组织表面测量获得的一系列点出射光的分布,组织内部存在唯一的三维散射与吸收分布与其对应。因此,图像的重建就成为应用适当的光子传输模型求解其反演问题。为此发展了各种模式及图像重建方法。讨论了现仍存在的一些需要克服的问题。 相似文献
38.
在原直接测定法、间接测定法和矿图求解法的基础上,结合利用数学知识,推导了利用公式计算测定煤岩层产状要素,有效地克服了现场测定需多人合作才能完成的局限性,简化了现场的操作程序,有效地减少了现场的测定误差,具有广泛推广应用价值。 相似文献
39.
40.
提出了一种基于混合型数字脉宽调制器(HDPWM)的带延迟线二分法校准机制的新电路结构,能有效地提高DPWM的线性度。详细介绍了混合型DPWM的工作原理,阐述了基于二分法机制的自校准电路的整体结构。分析了该结构的后仿真结果,并与带延迟锁相环(DLL)结构的DPWM的后仿真结果相比较。在32 MHz的时钟下,该电路成功实现了开关频率为2 MHz的数字DC-DC变换器中的9-bit DPWM。该电路基于0.13μm 1.2V CMOS工艺实现,最大差分非线性(DNL)仅为0.136 LSB,积分非线性(INL)为0.15 LSB。 相似文献