一种多硅偶联剂的合成及其耐腐蚀性能

目的开发可独立用于金属表面防护处理的硅烷偶联剂。方法以巯丙基三甲氧基硅烷(MPS)、三乙烯基三甲基环三硅氧烷(TEMS)为反应物,通过巯基-烯烃点击化学反应,合成一种三官能度硅烷偶联剂(TSC,产率95%),在马口铁片表面得到一层致密的偶联剂防护涂层。采用FTIR、1H NMR分析合成产物的化学结构;通过XPS对涂层结构进行分析,并采用SEM对涂层形貌进行了表征;采用热重分析、极化曲线、盐雾腐蚀试验等对TSC水解液固化涂层性能进行表征。结果红外分析表明,反应后原料的双键伸缩振动吸收峰C=C、C—H、S—H均消失,说明发生了反应。核磁谱图(1H NMR)分析表明,产物结构为目标产物TSC。XPS测试结果表明,涂层与金属表面形成了Si—O—Fe共价键。TSC膜层热稳定性能优于MPS水解液膜层。盐雾加速腐蚀实验表明TSC的防护性能明显优于MPS,腐蚀速率为2.60×10-2 mm/a。TSC膜层的硬度达到了5H。SEM分析表明,TSC涂层表面较MPS平整光滑,缺陷少。结论合成了一种多硅偶联剂,该偶联剂经水解后可直接用于马口铁片表面处理与防护,防护涂层性能优异。     

智能时代的物联网工程专业课程体系改革探索

剖析智能物联网新特征和体系架构的基础,从“知识体系更新、课程体系改革、实践能力提升”3个方面阐述专业建设探索过程,提供“知识体系如何保持与时俱进、课程体系如何实现传承发展、实践体系如何助力能力提升”等问题的解决思路。     

高纯锗能谱仪系统研制

介绍了高纯锗能谱仪系统的研制.项目突破了探测器级高纯锗单晶提纯、高纯锗探测器表面钝化保护、高计数率数字化多道分析器以及无源效率刻度等关键技术,研制出高纯锗能谱仪系统样机.开展了高纯锗能谱仪在核燃料包壳破损在线监测、中高放射性废物桶核素源项无损检测和材料点缺陷特性分析示范应用研究.性能测试表明:85％探测效率的能谱仪的能...     

放马桥水库临近国道石料场开采爆破方案设计分析

放马桥水库工程堆石料场三面临空,距离G320国道最小距离约270m,料场施工可能会对国道造成一定影响。由于G320国道是当地的一条重要交通要道,不可能进行封路施工,为满足大坝填筑施工强度要求的同时减小料场开采对国道的影响,避免安全事故的发生,需对料场开采的爆破方案进行详细、周密的设计分析。     

基于零序电流比值变化的小电流接地选线方法

在小电流接地电网发生单相接地故障时,由于消弧线圈的补偿,接地残流过小,难以准确选线.分析现有小电流选线原理和方法,总结提出零序电流比值选线法.它根据消弧线圈容量变化前后,零序电流比值变化趋势不同,确定接地故障线路.对该方法进行理论分析,推导出零序电流比值关系式.并利用Matlab工具进行仿真分析,结果符合理论推导.此方法不需要延缓切除阻尼电阻,有足够快的响应速度,算法简单,实现容易,对配电网当前状态和长远发展有良好适应性.     

YKH200数控弧齿锥齿轮铣齿机设计与分析

针对传统机械型铣齿机结构复杂、传动链长、精度差、速度低,无法满足高速、高精度齿轮加工要求的状况,设计了YKH200数控弧齿锥齿轮铣齿机及迈雷特H218i型数控系统,分析该机关键部件结构,采用有限元方法对数控弧齿锥齿轮铣齿机进行静/动态特性仿真分析,并对关键件立柱进行了拓扑结构优化.结果表明:优化后立柱的静刚度与前2阶固有频率比优化前均有所提高,质量减少7.32％.实践证明,该铣齿机采用常规速度切削加工齿轮时,性能稳定,工作可靠.但高速切削加工齿轮时,某些高速切削的工况仍有可能发生共振情况,需进一步提高整机刚度或采用其他方法进行抑振.为进一步提高整机刚度,实现机床在更高切削速度加工齿轮提供参考依据.     

梁式桥常见裂缝的表现形式及成因分析

目前梁式桥普遍存在的病害问题是裂缝,开裂只是结构、构件承载力下降的一种表面征兆和构造性的反应,并非导致其承载力下降的实质性原因,故不可能通过单纯的裂缝修补来恢复其承载功能。应究其原因,对症下药,才能有效地预防裂缝的产生或者加固已有病害桥梁。该文对常见几种裂缝的表现形式,就其成因进行了系统分析,以方便为设计、施工找出控制这些裂缝的可行办法,达到防范于未然的作用。     

牛毛泉铁矿选矿工艺研究及流程设计

针对牛毛泉铁矿原矿品位较低的实际情况,在保证铁精矿质量的前提下,对细碎产品进行干式预选抛尾,提高了入选品位,最终获得了铁品位为64.62%,含TiO2品位为4.79%、铁回收率为43.25%的铁精矿。     

The Correlation Between Dislocations and Vacancy Defects Using Positron Annihilation Spectroscopy

An analysis program for positron annihilation lifetime spectra is only applicable to isolated defects,but is of no use in the presence of defective correlations.Such limitations have long caused problems for positron researchers in their studies of complicated defective systems.In order to solve this problem,we aim to take a semiconductor material,for example,to achieve a credible average lifetime of single crystal silicon under plastic deformation at different temperatures using positron life time spectroscopy.By establishing reasonable positron trapping models with defective correlations and sorting out four lifetime components with multiple parameters,as well as their respective intensities,information is obtained on the positron trapping centers,such as the positron trapping rates of defects,the density of the dislocation lines and correlation between the dislocation lines,and the vacancy defects,by fitting with the average lifetime with the aid of Matlab software.These results give strong grounds for the existence of dislocation-vacancy correlation in plastically deformed silicon,and lay a theoretical foundation for the analysis of positron lifetime spectra when the positron trapping model involves dislocation-related defects.