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采用电泳沉积法在Si(111)衬底上制备GaN薄膜,并研究退火温度对GaN薄膜晶体质量、表面形貌和发光特性的影响。傅立叶红外吸收谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)的测试结果表明所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜,随退火温度的升高,晶粒尺寸增大,结晶化程度提高。室温下光致发光谱的测试发现了位于367 nm处的强发光峰和437 nm处的弱发光峰,其发光强度随退火温度的升高而增强,但发光峰的位置并不发生移动。 相似文献
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利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒.用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析.结果表明GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm~400 nm左右,长度可达几十微米.室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰. 相似文献
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The tetrapod ZnO nanostructures are synthesized on the Si (100) substrates using the chemical va- por deposition (CVD) method at 1000 ℃. Each nanostructure has four arms which are about 3-10 μm in length and 0.2-1.5 μm in diameter. Further analyses on structure demonstrate that the tetrapod ZnO nanostructures have single crystalline wurtzite hexagonal structure preferentially oriented in c-axis. The photoluminescence (PL) mea- surements of the tetrapod ZnO nanostructures revealed a UV peak at 382 nm corresponding to the free exciton emission, and a green peak at 523 nm arising from deep level emission. For comparative analysis, cathodolumines- cence (CL) spectra obtained from different regions of an individual tetrapod are investigated. Moreover, a possible growth mechanism of the tetrapod ZnO nanostructures is also discussed based on the experimental results. 相似文献
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为了制备高质量的GaN纳米结构,采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/TiO2薄膜,然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应,成功制备出GaN纳米线.采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品进行分析.研究结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线,纳米线的直径在100~400nm,纳米线的长度在3~10μm. 相似文献
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