Lacrosse雷达侦察卫星已进入低轨道服役

据《Flight International》2 0 0 0年第 4744期报导 :今年 8月 1 7日 ,一枚大力神 IVB运载火箭在加利福尼亚州的 Vandenberg空军基地成功地发射了一颗价值 1 0亿美元的国家侦察局 ( NRO)卫星 ,该卫星已进入低轨道 ,我们确信它是一个 Lacrosse Onyx雷达侦察空间飞行器。此次发射是洛克希德·马丁公司大力神 IVB计划自 1 997年首次发射以来的第九次。Lacrosse卫星长 1 2 m,直径 4.4m,重 1 451 5kg,其特点是采用了直径约 2 0 m的相控阵天线的合成孔径雷达系统。航空器的太阳能电池板全长为 50 m。Lacrosse雷达的最佳分辨率为 1 m,大多…     

汤姆逊-CSF公司研制气球载雷达

法国汤姆逊-CSF公司的子公司LMT公司和西屋公司的子公司TCOM公司,已联合生产一种气球载的战埸监视雷达系统。气球用的是TCOM公司的“星”(Star)气球,长25米,容积为700立方米。为了部署方便,安装在绞车上。最大工作高度为750米。     

不同网格中导热方程的精确解和数值解

用基元有限容积方法求解热传导问题,结构化网格和非结构化网格同时采用,并和精确解相比较.虽然从两种网格形式,都能得到满意的结果,但结构化网格在规则区域更精确一些.对于非结构化网格,二次扩散项对提高精度是十分重要的.     

2008年世界无人机发展

自20世纪20年代无人机问世以来,经历了从简单的航模、靶机发展到预编程序或无线电遥控无人侦察机的漫长发展过程。20世纪60年代初,外军才真正把无人机用于战场。在1991年海湾战争中,多国部队广泛使用无人侦察机为作战指挥提供了大量的情报信息,指挥舰炮、地面火炮对目标进行攻击,效果明显,这更刺激了世界各国对军用无人机发展的重视。根据美国的估计,世界上有30多个国家和地区目前研究或生产了250多架不同系列的无人机,主要用于军事领域。     

微细化MOS用硅单晶

微细化MOS存储器用硅单晶中的问题是缺陷,其发生的起因,在于衬底本身的结晶缺陷及器件制造工艺过程。由衬底结晶缺陷引起的缺陷有发生在表面的层错和发生在内部微小缺陷,因此,在研制低氧浓度单晶生成技术,控制硅氧化物析出的同时,再要防止研磨损伤就能降低这两种缺陷的密度。进一步利用氧的外扩散,能使离衬底表面大约5μm的范围基本无缺陷。 起因于工艺过程的缺陷随着微细化新工艺技术的引入,而有进一步增大的倾向。由于离子注入产生的损伤,反应性溅射腐蚀时的重金属污染,用电子束直接扫描而在图形锐角处的应力集中都会造成问题。这些问题可以通过使用低氧浓度衬底和改善工艺条件而得到解决。另外,全部工艺流程所造成的圆片翘曲度大约在20μm以内。 采用以上方法,我们对实现1个微米规范的微细化256K位MOS存储器寄与很大希望。     

通过多晶硅选择氧化同时形成层间绝缘膜和漏源区

本文报导,成功地研究出了可以同时形成MOS LSI的层间绝缘膜及漏、源区域以及多晶硅栅长度与有效沟道长度差小的加工技术。漏、源区的掺杂剂是用磷。这是一种利用使磷通过SiO_2由多晶硅扩散到硅衬底上去的性质。为研究此工艺的实用性,将试制8位微处理机。     

三菱电机公司将新的成膜技术“高压氧化法”应用于MOSLSI中

三菱电机公司研制出了新的硅成膜技术——高压氧化法。有关这种新技术在MOSLSI中的应用结果,在八月份举行的电子通信学会电子元件与材料研究会上发表了。 这种新的高压氧化法与以往的常规氧化法相比,氧化时间缩短了。由于热处理温度变低,从而使器件特性得以提高。由于有这些优点,使高压氧化法正成为半导体工业中有力的工艺方法。 在用于MOS LSI以前。首先把普通硅膜与由高压氧化法形成的膜进行了比较,非     

防止由α射线引起的存储器误动作的方法探讨

当探讨由于α射线影响所发生的软误差时,把为了防止软误差的方法,放到以动态MOS RAM场合为中心进行处理。通过改进封装、对芯片表面涂敷保护膜、改进器件设计、以及修正错误等系统的补救方法,为防止α射线影响是将器件做成4根腿。充分考虑了α射线影响的64K RAM设计大致可陆续定型。     

矩形微通道中流动阻力特性的实验研究

以蒸馏水作为工质,实验研究了水力直径为107.76~199.07m矩形紫铜微通道内的流动特性.实验中的紫铜微通道是由晶体生长法直接生长密封而成,有别于以往相关实验中刻蚀或微机加工所形成的微通道,避免了传统微通道加工方法所引入的误差,从而确保了微观尺寸的测量精度.实验测量了Reynolds数在70到1400之间摩擦阻力系数.实验结果表明:当Re数小于300时,在实验误差内,摩擦系数的值近似等于经典理论计算值;随着Re数的增大,的值大于理论值,这可能是由微通道内部壁面粗糙度效应所导致的.     

一种蒸发冷却变压器的工作状况研究

对蒸发冷却变压器绕组温度场的计算进行了分析,计算并分析了在不同工况下的蒸发冷却变压器制冷剂工作流量和绕组线饼温度场间温度分布,对比分析了两者的误差。