采用铝等离子CVD方法的多层布线技术

LSI技术的进步和发展是惊人的,现虽已进入了VLSI时代,但其发展趋势仍在持续。作为维持这种倾向的先导当然是制造工艺技术的革新。我们认为,图形的微细化、工艺的精密化等,今后将更加切实地向前发展。一方面,随着微细加工技术的进步,器件将更微细化,因而LSI芯片的大部分面积却被布线占据了。在有限的面积内,为了进一步提高集成度,提高密度,就必须采用多层布线技术。于是,多层布线技术在今后的工艺技术中将是最重要的课题。     

超大规模集成电路的薄膜淀积工艺——低温氧化膜淀积新技术

预测技术的未来,可以说唯一确信的事是技术革新。这种技术革新是我们从事的半导体器件产生的特点之一。不过,对我们来说,可以非常明确地确定技术革新是将来的方向。 随着有关半导体工艺技术的见识或理解的增长,新工艺或新设备的研究,以及制作微细图形新技术的发展,使得大规模集成电路器件的密度推向更高的水平,图1引自“IEEE综论”杂志最近登载的资料,是从十七年来芯片尺寸和最小条宽的演变来预测将来的发展。     

用电子束曝光的等离子干显影

半导体制造工艺中,干处理技术以腐蚀或抗蚀剂剥离为主。这种干处理技术可防止以往的溶液法引起的侧面腐蚀或药品污染引起的缺陷,而且具有可以省去防止公害的废液处理设备等很多优点。特别是最近,伴随着器件高密度化、高集成化的进展,研究出了反应溅射法或反应离子刻蚀法等新的干腐蚀技术,试制出了用溶液法无法实现的微细图形。 就干法加工抗蚀剂图形的显影技术来说,在能够提高尺寸精度、防止由显影液污染而发生的缺陷及简化工序的同时,通过与抗蚀剂剥离以及腐蚀等干加工技术相结合,能够实现光刻工艺大幅度干法化,     

用X射线曝光技术试制门延迟时间40微微秒沟道长0.3微米的nMOS

本文报导了采用X线曝光技术制造有效沟道长度为0.3微米的MOS场效应晶体管的试制例子。用这种场效应晶体管构成的19级环形振荡器延迟时间是40微微秒,20微微秒也可以工作。发表这一试制成果是为了表明用X射线曝光技术可以进行微细加工。我们一并使用了本公司研制的曝光设备、掩模及可以进行干法显影新型抗蚀剂等。     

硅的氧化及二氧化硅

一、前言 硅放在空气中会氧化,在其表面生成SiO_2膜,这种膜厚度一般是30～50埃,是空气中氧和硅进行反应的结果。进行高温加热时可以得到更厚的SiO_2膜。 众所周知,这种硅氧化膜与水晶或石英相同。它作为电绝缘材料具有最高的电阻率(～10~(18)Ωcm(参见第5讲中的图10),而热膨胀系数又小到5～7×10~(-7),以及可利用压电效应作稳定的振荡子等,因而一般说来其应用范围是广泛的。 如表1和表2所示,在硅器件及其制作中,SiO_2作为主要成份材料(二氧化硅玻璃)是何等重要,可以说是不可缺少的。     

可在600℃的低温下生长的硅的选择外延法

西德AEG德律风根公司发展了可在600℃的低温下生长的硅的选择外延法 (Gosch.J,《Electronics》,1980,PP.59～60)。 与以前在120℃左右的高温下进行外延相比,这种技术在低达 600℃的低温下生长,因此无杂质再分布,可生长出具有陡峭的杂质分布的薄外延膜。该公司已     

激光退火技术及其在器件中的应用

自从苏联某一研究机构最先采用激光退火技术以来,其优越的退火作用便受到了注意。当初从研究出发曾用Q开关红宝石激光器,但现在除YAG(钇石榴石)、红宝石Q开关之外,还用Ar.Kr,CO_2等的常规CW激光对经离子注入过的硅片进行退火。这样迅速进展的激光退火(LA),若从硅片的表面分辨率考虑,适用于局部的热处理。另外,对某些器件而言,有时也需要大面积一次退火,与脉冲电子束退火(EA)相比,LA也能得到几乎相同的结果。本技术的特点是:(1)LA,EA同是短时向处理;(2)LA退火的是局部面积;(3)EA的情况也可     

可替代MOSLSI硅栅工艺的低电阻硅化物栅

国外已有一些厂家试图用钼钨等的硅化物栅来取代 MOS LSI 的硅栅。该栅电极的电阻率比硅栅低一个数量级以上,可以使用同硅栅 MOS LSI 一样的工艺。降低栅电阻率的目的是实现微细栅结构的高密度 LSI。若在现阶段的 MOS LSI 中使用,还可能提高工作速度。