用于连续激光器的磷酸钛氧钾晶体的制备和性

采用掺杂生长了一系列用于大功率LD泵浦连续激光器倍频的磷酸钛氧钾(KTiOPO4,KTP),如:Nb:KTP、Na:KTP、Ce:KTP及Rb:KTP、Cs:KTP等,虽然其中一些具有比普通KTP晶体高的效率和抗光损伤阈值,并在4%Nb:KTP中实现了NCPM,但是在大部分掺杂晶体中生长条纹、包裹体等均较严重,影响了晶体的均匀性,不适于大功率连续激光器应用.为提高KTP晶体均匀性和抗光损伤阈值,采用特制原料和改进工艺生长了优质KTP晶体,可用于大功率LD泵浦的Nd:YVO4连续激光器倍频,最大的连续绿光输出功率达到5W.     

砷酸钛氧铷晶体的生长、缺陷和物理性能的研究

采用熔盐法,我们已生长出RbTiOAsO4大单晶。不同取向的晶片经腐蚀后,利用光学显微术,观察了晶体中的生长缺陷。并首次研究了其电光性能和电学性能。结果表明RTA晶体不仅是优良的光学倍频晶体,而且是优良的电光晶体。     

BiB3O6单晶生长及其1.064μm的二倍频、三倍频输出

Bi B3O6( BIBO)晶体是一种新型的非线性光学晶体 ,属单斜晶系 ,空间群为 C2 ,具有不潮解、物化性能稳定、损伤阈值高、非线性系数大等特点。1 999年 ,Petra Becker等首次报道了 BI-BO晶体的生长习性和结构[1 ] ,随后公布了该晶体的折射率拟合方程及非线性光学系数张量元 ,发现它的有效非线性系数可以高达 3.2 pm/V,优于当前普遍应用的 KTi OPO4( KTP)等晶体 [2 ] 。我们采用顶部籽晶法 ,在 3～ 5 r/min的转速下 ,6天时间生长出尺寸为 40 mm× 2 0 mm×1 0 mm的 BIBO单晶 ,重量为 2 4.7g。利用 BRUKER- P4型四圆衍射仪测定了该…     

SrWO4晶体的紫外受激拉曼散射

使用提拉法生长了高光学质量的SrWO₄晶体,尺寸为22mm×40mm,重72.3g.测量了SrWO₄ 晶体的透过光谱,其短波截止边为263nm,长波截止边大于3200nm,因此可在较宽波长范围内实现拉曼频移.采用无腔的单次通过方式,在SrWO₄晶体中实现了紫外光激发的受激拉曼散射.当抽运光为355nm皮秒激光脉冲时获得了3级斯托克斯谱线（366.44、379.25、392.98nm）,其中一级斯托克斯线的抽运阈值仅为169.76MW/cm²,相应的拉曼增益高达49.09cm/GW.实验表明,SrWO₄具有透光波段宽、抗光损伤能力强、拉曼阈值低、增益系数大等优点,在紫外激光的拉曼变频方面表现出良好应用前景.     

表面还原处理对钽酸锂晶片电学性质的影响

以Y36°钽酸锂(LiTaO3,LT)晶片为研究对象,通过对同成分LT晶片(CLT)和深度还原黑色u'晶片(BLT)的比较研究,探讨了表面还原处理对钽酸锂晶片电学性能的影响.X射线衍射研究显示,还原处理对晶体结构没有明显影响.BLT的电导率比CLT明显高4个数量级,达到7.7×10-12 Ω-1·cm-1,其压电常数d33、居里温度和介电常数与CLT相差不大,介电损耗有所提高.研究结果表明,还原处理不改变晶体结构,但能提高晶片表面的电导率,从而改善和消除晶片在器件制备过程中因热释电效应引起的放电现象.     

助熔剂法生长GaPO4晶体

采用助熔剂法生长了GaPO4晶体。热重-差热(TG-DSC)分析得到晶体的熔点为1 070℃,采用紫外-可见分光光度计测量了晶体的室温紫外-近红外透过谱,采用红外光谱分析仪测量了晶体的红外透过谱。结果表明,GaPO4晶体透光波段很宽,采用助熔剂法生长晶体有效地抑制了晶体中OH-基团的产生。     

GdCa_4O(BO_3)_3晶体电弹常数的测量

首次测量了ＧｄＣａ_４Ｏ（ＢＯ_3）_3晶体的全部介电常数、压电应变常数和部分机电耦合系数。     

Zn(SCN)_2·2H_2O晶体结构和喇曼光谱的研究

本文报道了一种新的非线性光学晶体Zn(SCN)_2·2H_2O的结构和喇曼光谱。对结构和喇曼光谱的关系进行了讨论。     

Micro-Raman光谱鉴定碳化硅单晶的多型结构

利用激光拉曼光谱仪测量了SiC单晶中不同多型的显微Raman光谱.在Raman光谱中,最大强度的FTA模和FTO模应出现在其简约波矢x等于该多型的六角度h处,据此对4H-SiC单晶中的多型进行了鉴定.同时采用高分辨X射线衍射测量了该晶片不同区域的摇摆曲线,将不同多型体的计算衍射角与实验值加以比较,对SiC晶片中的多型进行了标注,所得结论与激光Raman光谱测定结果相一致,说明Raman光谱是一种简单、快速地鉴定多型结构的强有力的工具.实验结果表明,在升华法生长4H-SiC单晶过程中,容易出现寄生6H、15R多型同4H多型的竞争生长,简单分析了寄生多型产生的原因.     

近化学计量比铌酸锂晶体生长的新方法

在计算机温场模拟的基础上,探索设计了悬挂式双坩埚和均匀加料装置.在富锂(Li2O摩尔分数为58.5%)熔体中采用提拉法生长了φ50mm×50mm的近化学计量比铌酸锂晶体.测量结果表明:晶体的紫外吸收边发生了明显的蓝移,测得Li摩尔分数达到49.87%.利用干涉仪测量样品的光学均匀性,生长晶体均方根折射率不均匀性△n=7.250×10-5cm-1.