CIS太阳电池材料的研究进展

综述了国内外太阳电池及其材料的发展概况.目前应用的光电转换材料主要有硅材料和化合物半导体材料,介绍了用这几类材料制作的太阳电池的特点,重点介绍了其光电转换效率.在薄膜电池材料中重点综述了铜铟硒(CIS)基薄膜太阳电池的研究进展.由于制约太阳电池发展的关键问题是制备成本高和转换效率低,提出了采用化学法制备CIS基薄膜材料及其梯度带隙,该方法将开辟高性能CIS基吸收层薄膜材料及其器件制备的低成本新途径.     

新型激光自倍频Yb:YAB晶体的性质研究

采用助熔剂法生长了不同配比的激光自倍频晶体Yb:YAl3(BO3)4(Yb:YAB).测量了晶体的室温吸收谱和荧光光谱,室温下仅存在一个吸收带,主吸收峰在976nm处,能与InGaAsLD有效耦合.在1.03μm处存在一个强荧光峰.测定了晶体的热膨胀系数,在平行与c轴方向的热膨胀系数较大,α2=9.4×10-6/K,约为a轴方向的3.5倍.在10％的Yb:YAB晶体中,以入射功率为11W,波长为977nm的光纤耦合二极管激光器泵浦得到4.3W的基频光波输出,斜效率为48％;在同样实验条件下得到了1.1w的自倍频绿光输出,总转换效率为10％.     

SiC单晶片的超精密加工

半导体晶片的加工质量和精度,直接影响到器件的性能.本文提出了一种超精密加工SiC晶片的方法,并详细论述了化学机械抛光的原理.加工后的SiC单晶片,平整度为±3μm,粗糙度＜5nm,且应力较小.     

氘化掺杂TGS(DATGS)晶体生长与完整性

本文着重说明从重水溶液中采用慢降温法生长氘化掺杂TGS(DATGS)晶体的实验。然后,借助于光学显微镜、X射线形貌术对晶体内不同类型的缺陷及其分布进行了观察研究,并与TGS晶体作了对比,发现DATGS晶体的缺陷较为严重,其严重程度依赖于生长参数。最后,为了改善DATGS晶体的完整性,作者意图建立晶体的完整性与其生长参数间的联系。     

Rb0.3K0.7TiOPO4晶体的生长和性质研究

了Ｒｂ０．３Ｋ０．７ＴｉＯＰＯ４大单晶的生长和性质测量。改进了生长工艺，获得高质量大尺寸单晶。测量了晶体的折射率、介电常数、热电系数、压电系数、弹性系数、弹性系统的温度系数、弹光系数、倍频效率及抗光伤阈值等。讨论了掺杂对晶体生长的影响及采取的相应措施。     

ErCa4O(BO3)3晶体的光谱分析

采用Czochralski法生长了均匀透明的ErCa4 O(BO3 ) 3 (简称ECOB)晶体 ,测量了其室温吸收谱 ,并与 0 1mol的ErCl3 溶液的室温吸收谱进行了比较。根据Judd Ofelt理论 ,拟合出唯像强度参数 :Ω2 =1 6 73× 10 -2 0 cm2 ,Ω4=1 35 6× 10 -2 0 cm2 ,Ω6=0 15 6× 10 -2 0 cm2 。计算了各能级的辐射跃迁几率 AJ,J′,振子强度fJ ,J′,辐射寿命τ,荧光分支比 βJ′ 等 ,并根据这些光学参量 ,讨论了该晶体的部分性能和应用前景     

光折变晶体K(Ta,Nb)O_3的熔盐法生长

本文首次报道在以K_2O-B_2O_3为主要成分的助熔剂体系中,用熔盐法在较低温度(T_(max)<1200℃)下成功地生长出K(Ta,Nb)O_3晶体,初步测量了生成晶体的一些性质。发现含钽量大于一定量后,K(Ta,Nb)O_3晶体在室温下以立方相存在,在生长温度至室温间无相变。本文还讨论了不同体系和添加剂对KTN晶体生长的影响。     

基于石榴石结构激光晶体的双波长激光输出

太赫兹波段激光由于其长波长、低光子能量等特点已经在科学和技术发展中展现了诱人的前景,成为当今激光研究的一个重要方     

原子力显微镜在晶体生长机理研究中的应用

长期以来,晶体生长机理的研究大多是间接的理论分析。原子力显微镜具有原子、分子级分辨率且能在溶液等环境下工作,为我们提供了一个直接观测研究晶体生长界面过程的全新有效的工具。观察和研究的结果表明：关于光滑界面生长动力学的BCF模型、关于杂质对台阶生长阻碍作用的C-V模型等已受到冲击与挑战;关于晶面结构各向异性对晶体生长影响的研究已有新的内容;生物大分子晶体生长机理的研究面临极好的发展机遇。借助于原子力显微镜的观察研究工作,晶体生长理论可望有新的突破。     

掺铈铌酸锂晶体的生长和表征

采用提拉法生长了掺Ce的同成分LiNbO3（Ce：CLN）晶体。X射线粉末衍射表明,掺杂并不影响晶体结构,其空间群为R3c。采用X射线荧光光谱分析方法,计算得到铈离子的有效分凝系数为0.4。室温下,晶体在700～3500nm波段的透过率达75%。利用X射线光电子谱（X-ray photoelectron spectroscopy,XPS）和Raman光谱分别表征了铈离子对铌酸锂的电子和声子结构的影响。XPS结果表明,铌离子仅存在纯的＋5价,铈离子由于浓度较小,未检测到信号。Raman光谱结果显示,除Ce：CLN晶体的A1（TO4）模波数和A1（TO1）模半峰宽较纯的LiNbO3晶体发生明显变化外,其余模都与其基本一致,表明铈离子主要进入晶格的Nb位置。