升华法生长大直径的SiC单晶

采用高纯Si粉和C粉在适宜的温度和压力下合成了多晶SiC粉末,在此基础上采用升华法在低压高温下条件下生长了大直径6H-SiC单晶,并根据热力学理论分析了SiC的分解.结果表明,在2 300℃附近的生长温度下,Si,Si2C,SiC2是Si-C热力学平衡下的主要物种,其平衡分压比同组分的SiC物种高出3个量级,因而是升华过程中的主要物种,其质量传输过程直接决定SiC的生长.另外,采用光学显微镜观察SiC单晶中的生长缺陷,分析了缺陷成因,提出了碳的包裹体是微管缺陷的重要来源,而调制掺氮可以抑制部分微管在[0001]方向上的延伸,并在此分析基础上调整生长参数,生长出了高质量的6H-SiC单晶.     

四方相KTN晶体的拉曼光谱

本文报道四方相KTN晶体的拉曼振动谱,并比较不同掺杂和在不同温度下的振动谱图,讨论了其中的差异及其产生的原因。     

ND:YAG透明激光陶瓷的研究进展及相关问题

随着激光技术的进展,对激光介质材料的要求越来越高,大尺寸、高激活离子掺杂度的透明陶瓷材料已经成为国际上的研究热点。从发展历史、粉体的制备、成型以及烧结等方面对Nd∶YAG透明激光陶瓷的研究进展进行总结,并提出了部分需要进一步研究的相关基础问题。     

光电功能晶体材料研究进展

光电功能晶体,包括激光晶体、非线性光学晶体、电光晶体、介电体超晶格、闪烁晶体和PMN-PT驰豫电单晶等,在高技术发展中具有不可替代的重要作用。近年来,我国在这些重要晶体材料的生长、基础研究和应用方面都获得了很大成绩。综述了光电功能晶体材料研究和应用的部分进展。在此基础上,提出进一步发展晶体理论,扩大理论的应用范围,注重晶体生长基本理论研究,发展新的晶体生长方法和技术,加强晶体生长设备研制,加强晶体从原料到加工、后处理、检测及镀膜等全过程的结合等建议,以全面提高我国光电功能晶体研究发展及其产业化水平。     

光学级硅酸镓镧晶体的生长初探(Ⅰ)--晶体原料、起始配比与提出量的讨论

根据制作La3Ga5SiO14(LGS)晶体电光Q开关的需要,生长了可用于制作电光Q开关的LGS晶体。根据大量晶体生长实验的结果,讨论了晶体原料纯度、来源、晶体原料起始组分配比及晶体提出量与晶体质量的关系,认为Ga2O3的纯度和来源对晶体质量的影响最大。实际生长光学应用的LGS晶体过程中,La2O3纯度为5N(或6N),而SiO2为6N。起始组分配比应选共熔点处的配比,即x(La2O3)=30．00％,x(Ga2O3)=50．65％,x(SiO2)=19．35％。考虑到生长过程中Ga2O3的挥发,Ga2O3应适当过量,n(Ga)／n(Si)范围为5．20～5．30。晶体提出量与起始组分有关,晶体提出量以50％～60％为宜。     

Nd:Lu0.5Gd0.5VO4被动调Q激光中的能量增强效应

介绍Nd:Lu05Gd0.5VO4混晶的被动调Q激光特性.与Nd:GdVO4调Q激光相比较,发现Nd:Lu0.5Gd0.5VO4具有明显的能量增强效应.     

Crystal growth,structure and properties of bismuth triborate BiB3O6 crystal

BiB3O6(BIBO) single crystals with size of 46×23×10 mm3 and weight of 26.0 g have been successfully grown by top-seeded method. Problems encountered in the growth process of this crystal have been discussed in detail, and the methods of growing high-quality large crystals have been put forward. The relationship between their structure and properties is studied. The space group of monoclinic BiB3O6 is C2 and the cell parameters are a = 7.1203(7)(?), b = 4.9948(7)(?), c = 6.5077(7) (?), β= 105.586(8)", and V = 222.93(5)(?)3. The density of BIBO is4.8965 g/cm3. The Mohs's scale of hardness is 5.5-6. There is no cleavage face in the crystal. The transmittance of BIBO is about 80 percent in the range from visible coherent light to near-infrared light. The ultraviolet cutoff wavelength is at 276 nm. BiB3O6 is a biaxial crystal and has two sets of axes, and the relative orientation of ( X, Y, Z) with regard to (a, b, c) is: X//b, ( Y, c) =47.2°, (Z, a) = 31.6°, determined by X-ray analysis combined with pol     

激光二极管抽运自倍频新型Yb:GdYAB晶体实现激光运转

近年来,掺Yb3 晶体因其在980 nm附近存在很好的吸收峰,适合高效的InGaAs激光二极管抽运,已经得到广泛关注。Yb3 离子量子缺陷小,可以得到高效率激光输出;而且这类晶体高浓度掺杂也不会产生浓度淬灭和激发态重吸收等不良作用,从而可以缩短晶体长度实现紧凑的激光系统。另外,该晶     

ZnO@TiO_2纳米带表面异质结构的制备及表征

采用水热法和后继热处理法制备二氧化钛(TiO_2)纳米带, 然后通过液相合成法在纳米带表面组装了氧化锌(ZnO)纳米结构, 制备了ZnO@TiO_2纳米带表面异质结构. 利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等手段对异质结构进行了表征. 所制得的产物是TiO_2的纳米带表面组装了ZnO纳米花: TiO_2纳米带的宽度为50～200 nm, 长度达到几十微米, 而ZnO异质结呈花状, 长为500 nm的骨苞上长有200 nm左右的花瓣. 本文还讨论了ZnO@TiO_2表面异质结构的形成机制.     

Yb:YCOB黄光激光自倍频晶体

采用提拉法生长了不同掺杂浓度(5％～30％,摩尔分数,下同)的Yb:YCa4O(BO3)3(Yb:YCOB)激光自倍频晶体,研究了系列晶体的结构与掺杂浓度之间的关系,加工了最大有效非线性系数方向的自倍频晶体并实现微片结构器件设计.利用强电—声子耦合作用,在掺杂浓度为30％、晶体长度为4 mm的Yb:YCOB晶体中获得了...