离子型表面活性剂与牛血清白蛋白作用的比较研究

采用荧光光谱、紫外吸收光谱、动态光散射和Zeta电位法对比研究了十二烷基硫酸钠(SDS)和十二烷基三甲基溴化铵(DTAB)与牛血清白蛋白(BSA)的相互作用机理。结果表明：SDS和DTAB均能猝灭BSA内源荧光,298 K时的猝灭常数Ksv分别为2.64×104和304.21 L/mol。同步荧光光谱和三维荧光光谱显示SDS和DTAB对BSA的构象产生了影响。SDS对BSA荧光猝灭机理为动静联合猝灭机制;热力学计算表明,SDS与BSA的结合过程中,静电力起主导作用,并且能与BSA形成SDS/BSA超分子复合物;DTAB对BSA荧光猝灭机理为动态猝灭,作用力主要是疏水作用。SDS和DTAB与BSA的平均结合距离分别为2.77和4.73 nm。综合结合常数、粒径和Zeta电位等变化,在相同条件下具有较大电荷密度和较小体积极性头基的SDS与BSA具有更强的结合作用。     

超细硅酸锆粒度及纯度对陶瓷釉乳浊性能的影响

选择比较国内外具有代表性的硅酸锆产品,分析其粒度和纯度对陶瓷釉乳浊性能的影响,以指导国内高档建筑卫生陶瓷所需的超细硅酸锆的生产。     

热处理工艺对溶胶-凝胶法制备ZnO:Al薄膜光电性能的影响

采用溶胶-凝胶法以提拉的方式在普通玻璃基底上制备出ZnO:Al(AZO)薄膜。通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、方块电阻测试仪、Hall效应测试仪、紫外-可见-红外分光光度计研究了薄膜物相、微观结构、光电性能;分析了不同热处理方式对于薄膜光电性能的影响。结果表明:经10次提拉所制备薄膜可见光透过率85%左右。热处理工艺的选择对于提升AZO薄膜的电学性能至关重要,相比于空气气氛和真空下的热处理,采用具有还原性的5%H_2和95%N_2的混合气氛热处理得到了具有最好电学性能的AZO薄膜。在550℃还原气氛下保温60 min得到薄膜方块电阻约为300Ω/□,电阻率约为3.3×10~(-3)Ω·cm。     

三河口水利枢纽放空泄洪底孔体型优化研究

三河口水利枢纽放空泄洪底孔泄洪时最大工作水头为94.7 m,出口最大流速约40 m/s.鉴于工程运行中存在的水头高、流速大、事故门槽和工作门槽结构相对复杂等特点,为解决高速水流下的空化空蚀问题及高水头弧门止水问题,对放空泄洪底孔体型进行了研究和优化,采用的突扩突跌掺气体型和偏心铰弧门满足闸门止水和掺气减蚀要求.经水工模...     

多策略并行学习的异构粒子群优化算法

针对标准粒子群优化(PSO)算法在复杂问题上收敛速度慢和早熟收敛的缺点,提出了一种多策略并行学习的异构PSO算法(MHPSO).该算法首先从种群多样性和跳出局部极值的角度提出了两种新学习策略(局部扰动学习策略和高斯子空间学习策略),并将这两种策略与MBB-PSO策略融合组成高效稳定的策略池.其次提出了一种简单有效的策略更换机制,指导粒子迭代寻优中何时更换学习策略.基准测试函数的实验结果表明,改进的粒子群优化算法在求解精度和收敛速度上得到极大的提高.与一些改进PSO算法(如自适应的粒子群优化(APSO)算法等)相比,所提算法具有更优良的寻优性能.     

第三代移动通信主流技术

移动通信的发展由第一代模拟调频(FM)和频分多址(FDMA)为主要特征的移动通信系统,经过以时分多址(TDMA)和码分多址(CDMA)为特征的第二代移动通信系统及以GPRS和CDMA2000-1X为代表的第二代半通信系统,目前已进入以CDMA为主流技术的第三代移动通信系统。主要包括3种:W-CDMA,CDMA2000和TD-SCDMA。对这三种技术的特点作了分析和比较,论述了适合国情的自主产权的TD-SCDMA系统特点。     

1500mm热轧带钢运输链控制系统的设计

为增加成品存储和提高钢卷运输能力,新建成品库和运输链系统。首先介绍了工艺布置、设备组成以及传动系统和自动化系统的配置情况,然后对自动控制功能和监控功能进行描述,最后对整个系统的运行作了说明。     

柔性玻璃制备方法

柔性玻璃是一种新型的特种玻璃.与普通玻璃相比,其具有独特的柔韧性.本文详细介绍柔性玻璃的制备方法,包括溢流下拉法、浮法、化学减薄法及再次拉引法.讨论了各种方法的特点.     

种子层及掺杂浓度对溶胶-凝胶法制备ZnO∶Al薄膜光电性能的影响

本文采用溶胶-凝胶法以提拉的方式在普通玻璃基底上制备出n型掺杂具有优良光电性能的氧化锌掺铝(AZO)薄膜,并以磁控溅射AZO薄膜为种子层引导液相法所制备AZO薄膜生长.Al掺杂浓度区间为0.25at％～5.00at％.通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、轮廓仪、方块电阻测试仪、霍尔效应测试仪、紫外-可见-红外分光光度计分别研究了薄膜物相、微观结构、膜厚及光电性能,进一步分析了Al掺杂浓度、种子层对薄膜光电性能的影响.结果表明:经10次提拉所制备薄膜可见光透过率85％以上.Al掺杂浓度、种子层的引入对AZO薄膜的光电性能有重要影响.无种子层时,掺杂浓度为0.50at％的AZO薄膜在5％ H2、95％N2还原气氛下于550℃保温60 min得到最优电学性能,方块电阻约为166 Ω/□,电阻率约为1.99×10-3 Ω·cm;预镀AZO种子层所制备薄膜方块电阻下降到约42Ω/□,电阻率下降到约7.56×10-4Ω·cm.     

不同K掺杂量硅酸锂陶瓷材料吸收高温CO2的进一步研究

以Li2CO3,SiO2为反应原料,同时以K2CO3为K掺杂源合成了一系列可在高温下直接吸收CO2的不同K掺杂量的硅酸锂陶瓷材料,研究了K元素对硅酸锂陶瓷材料结构和性能的影响,并探讨了不同K掺杂量的硅酸锂陶瓷材料对高温CO2吸收性能的影响。采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)以及热重分析仪(TG)分别对材料进行了形貌、结构以及吸收高温CO2性能的分析。实验结果表明,未掺杂的硅酸锂陶瓷对高温CO2的吸收率非常小,而通过适量的K掺杂,能明显改善硅酸锂陶瓷材料对CO2的吸收能力,当K掺杂量为0.01mol时,制备的K掺杂硅酸锂陶瓷材料具有较好的吸收性能,在室温～900℃、CO2气氛中对其进行吸附性能检测,发现在700℃下保温20分钟即可达到吸收平衡,最大吸收量为49.077wt%。