O_2/CO_2气氛下煤粉燃烧特性及动力学分析

采用热重实验系统进行了煤粉在O_2/N_2和O_2/CO_2气氛下的燃烧实验,研究了氧体积分数和粒径对燃烧特性的影响.实验结果表明,氧体积分数越高、粒径越小,煤粉的燃烧特性越好.在氧体积分数较高时,煤粉在O_2/CO_2气氛下的反应比在O_2/N_2气氛下进行得慢;而氧体积分数较低时,煤粉在O_2/CO_2气氛下的反应比在O_2/N_2气氛下进行得快.此外,采用Coats-Redfern积分法、Flynn-Wall-Ozawa积分法和Kissinger-Akahira-Sunose积分法对煤粉在程序升温过程中的燃烧反应做了相应的动力学分析.结果表明,O_2/N_2和O_2/CO_2气氛下不同氧体积分数时的煤粉燃烧反应动力学参数表观活化能E和指前因子A之间具有动力学补偿效应.煤粉燃烧过程中在同一转化率下的表观活化能E随其粒径的减小而降低.     

高标准钢管质量控制方法研究

简述了目前高标准钢管质量控制基本方法,包括颜色标记法、序号标记法、传递卡法、电子传递卡法和MRP/ERP法等,对不同方法的优缺点进行了对比分析和研究,并且提出了今后钢管质量控制方法的发展趋势。     

准东煤碱金属赋存形态及对燃烧特性的影响

实验研究了准东煤碱金属赋存形态以及不同萃取处理方式对其燃烧特性的影响.结果表明,准东煤的碱金属钠含量明显高于其他煤种,而钾的含量低于其他煤种.准东煤碱金属赋存形态与其他煤种差异很大,准东煤中的碱金属钠主要以水溶性钠形式存在.经过不同萃取方式处理后的准东煤样燃烧的DTG曲线均明显向高温区偏移,燃烧特性变差.萃取方式对准东煤样燃烧行为的影响存在显著差异,水溶性和有机形式的碱金属会对煤燃烧起到催化作用.     

电位滴定法测定普通混凝土用砂中的氯离子含量

JGJ 52—2006《普通混凝土用砂、石质量及检验方法标准》规定了砂中氯离子含量的检测方法,通过铬酸钾指示剂溶液,用硝酸银标准滴定溶液滴定至溶液呈砖红色,然后通过消耗硝酸银标准滴定溶液的体积得出砂中氯离子含量,该方法虽操作简单,但不足之处在于以下方面：（1）铬酸钾中的铬为六价态,六价铬毒性较强,具有致癌作用;（2）废液污染环境和地下水;（3）不易判断滴定终点,且当砂中的氯离子含量较高时（如Cl->0.050%）,会出现滴定时间较长,影响工作效率。本文对电位滴定法测定普通混凝土用砂中的氯离子含量进行了研究,并与铬酸钾指示剂滴定法的数据进行对比,表明电位滴定法测量结果准确,可作为混凝土企业日常检测的代替法,同时也能对企业起到指导实践的作用。     

电位滴定法测定普通混凝土用砂中的氯离子含量

JGJ 52—2006《普通混凝土用砂、石质量及检验方法标准》规定了砂中氯离子含量的检测方法,通过铬酸钾指示剂溶液,用硝酸银标准滴定溶液滴定至溶液呈砖红色,然后通过消耗硝酸银标准滴定溶液的体积得出砂中氯离子含量,该方法虽操作简单,但不足之处在于以下方面：（1）铬酸钾中的铬为六价态,六价铬毒性较强,具有致癌作用;（2）废液污染环境和地下水;（3）不易判断滴定终点,且当砂中的氯离子含量较高时（如Cl->0.050%）,会出现滴定时间较长,影响工作效率。本文对电位滴定法测定普通混凝土用砂中的氯离子含量进行了研究,并与铬酸钾指示剂滴定法的数据进行对比,表明电位滴定法测量结果准确,可作为混凝土企业日常检测的代替法,同时也能对企业起到指导实践的作用。     

a—SiNx：H薄膜对a—Si：H TFT阈值电压的影响

介绍了测定a－Si：HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a－SiNx：H薄膜淀积时反应气体NH3／SiH4流速比以及a－SiNx:H膜厚对a－Si：HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明：a－Si:HTFT的阈值电压随a－SiNx：H的膜厚增加而增大；增大X－SiNx：H薄膜淀积时NH3／SiH4气体流速比，可明显减小a-Si:HTFT的阈值电压。     

ITO表面处理对OLED性能的影响

根据实验,分析了表面处理对OLED性能的影响.对OLED的ITO阳极进行表面处理将改变ITO膜的表面化学组成及表面形态,这将直接影响ITO膜表面的功函数,从而影响ITO向有机层的空穴注入;同时还将间接影响有机层的成膜过程及其分子组织形态及ITO膜表面有机层之间的结合.     

4H-SiC纳米薄膜的晶化研究

采用新电极结构的PECVD技术，在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下，在SiO2玻璃表面形成双等离子流，增加了SiO2表面SiC的成核几率，增强成核作用，形成纳米晶。采用高H2等离子体刻蚀弱的、扭曲的、非晶Si-C及Si-Si和Si-H等键时，由于H等离子体对纳米SiC晶粒与非晶态键的差异刻蚀作用，产生自组织生长，发生晶化。Raman光谱和透射电子衍射（EM）的测试结果表明，纳米晶SiC是4H-SiC多型结构。实验结果指出，SiC纳米晶的形成必须经过偏压预处理成核，并且其晶化存在一个功率密度阈值；当低于这一功率密度阈值时，晶化消失；当超过这一阈值时，纳米晶含量随功率密度的提高而增加，晶粒尺寸加大。电子显微照片表明晶粒尺寸为10-28nm，形状为微柱体。随着晶化作用的加强，电导率增加，导电机理是渗流作用所致。