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31.
采用传统固相反应法制备了(1-x)Bi(Zn0.5 Zr0.5) O3-xPbTiO3(BZZPTx)陶瓷,并利用XRD、SEM,介温等方法分析表征样品.XRD测试结果显示,当x>O.67时,可获得单一四方相钙钛矿结构的BZZPTx陶瓷,通过XRD精修数据计算出BZZPTx体系陶瓷具有较大的四方畸变度(c/a>1.1);介温测试表明BZZPTx体系的居里温度均超过500℃,最高的居里温度组分为BZZPPT0.67,Tc~668℃;实验表明该压电陶瓷体系的弱压电活性跟较大的四方畸变有关系. 相似文献
32.
采用传统固相反应法制备了yBiYbO3-(0.36–y)BiScO3-0.64PbTiO3(BSYPT-0.64/y)体系压电陶瓷。X射线衍射显示BSYPT-0.64/y陶瓷体系为单一的钙钛矿结构; SEM测试结果显示当y=0.1时陶瓷表面形貌出现异常, 当y=0.14时有大量粒径为0.3~0.5 μm的细小晶粒析出在陶瓷的表面; EDS能谱分析发现细小晶粒主要成分为Bi、Yb、Ti、Sc和O, 表明BiYbO3的含量超过10%时为BSYPT-0.64/y陶瓷体系的固溶极限区域; 通过BSYPT-0.64/y陶瓷的压电性能、铁电性能测试, 介温特性(Tc~450℃)结果分析发现当y>0.1时, BiYbO3固溶极限析出是相对孤立的行为, 不是影响BSYPT-0.64/y的结构和电学性能的主要因素, 而其结构和电学性能的降低依赖于Sc/Pb相对含量比的降低导致组分对准同型相界的偏离。 相似文献
33.
利用弱腐蚀倾向的溶液环境,控制20CrMnTi钢产生有限的亚稳态蚀点分布.运用电化学噪声法,研究了20CrMnTi钢亚稳态蚀点的萌生规律,结合ANSYS有限元计算,导入真实腐蚀形貌,对比研究了不同腐蚀条件下蚀孔周边的应力分布与裂纹萌生风险.结果表明,20CrMnTi具有较高的点蚀敏感性,其亚稳态蚀点集中在杂质相边缘优先形核,随Cl-浓度的升高,点蚀孕育期明显缩短,点蚀敏感性增大.不同Cl-浓度下引起的形核速率上升会缩短蚀点间距,表面微裂纹易连接蚀点而发生扩展,增大裂纹萌生风险. 相似文献
34.
35.
36.
尽管近年来发展了一系列先进的BOD测量仪器和方法,但是传统的标准稀释法仍然是一种可靠的测定方法.主要讨论了BOD5测定中的影响因素及其造成的误差.通过试验和对BOD5计算公式的分析,对BOD5测定数据的探讨,提出一种简便的测定计算方法及测定试验中应该注意的问题,以减小测定误差,取得真实可靠的数据. 相似文献
37.
采用传统固相法制备了质量比为1∶4的CoFe2O4/Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.35PbTiO3(CFO/PMN-PT)磁电复合陶瓷,研究了烧结温度(900~1100℃)对所制复合陶瓷性能的影响。结果表明,复合陶瓷中尖晶石结构的CFO与钙钛矿结构的PMN-PT共存,没有其他杂相生成,复合陶瓷的密度以及压电常数d33在1000℃时达到最大值,分别为7.07g/cm3和212pC/N。磁电电压系数αE33随烧结温度的增加逐渐增大,在1100℃烧结时达到最大值8.4mV/A,而磁电电压系数αE31随烧结温度的增加先增大后减小,在1000℃烧结时达到最大值4.8mV/A。 相似文献
38.
根据目前常见的几种混和有源滤波器,提出1种注入式混和有源滤波器,使有源滤波器不再承受基波电压,最大限度地减少了有源滤波器的容量。阐述混和有源滤波器和注入式有源滤波器的工作原理,在该电路中,无源滤波器分担大部分抑制谐波和无功补偿的任务,减少了有源滤波器的容量;有源电力滤波器用于改善无源滤波器的滤波效果和抑制它与系统阻抗可能发生的谐振。理论分析和实验结果表明,该混合型有源滤波器充分发挥了无源滤波器和有源滤波器各自的优点,改善了无源滤波器的滤波性能,同时使有源滤波器不再承受基波电压,通过样机实验验证结论正确性。 相似文献
39.
40.
研制不使用金属钯活化的化学镀镍工艺能节约生产成本,取代硼氢化钠及甲醇活化工艺,有利于环保.为此,对ABS塑料表面化学镀镍提出了一种无钯活化工艺,即以NaH2PO2·H2O为还原剂,在ABS塑料上沉积活性镍,以此活性镍为活化中心,进行化学镀镍.通过正交试验确定了ABS塑料表面化学活化的最佳工艺条件:60.00g/L NaH2PO2·H2O,0.02g/L NiSO4·6H2O,pH=10,温度75℃,时间60min.采用SEM等手段对镀层的形貌、结构进行了表征.结果表明,使用次磷酸钠可以在塑料表面制取活性镍,进而有利于化学镀镍. 相似文献