串联型电压暂变补偿器的准IR控制研究

针对一种无整流器无变压器无储能电容的串联型电压暂变补偿新拓扑,当集总电路带宽较窄并且系统存在与指令信号同频的正弦扰动时,为了使系统更好地跟踪含低频偏移的正弦信号,提出了准IR调节器.相比较之前的PI调节器,准IR调节器具有跟踪效果好、动态响应速度更快的优点.最后利用Matlab仿真对比验证了准IR调节器相对于PI调节器的优点.     

Mg1+xB2材料的制备及其超导电性研究

利用固相反应法制备了Mg1+xB2(x=0,0.1,0.2)超导体。粉末X射线衍射(XRD)表明过量Mg极易导致绝缘的MgB6和MgO杂相,Mg在MgB2中的固溶度很小,正常态电阻率随Mg过量增加而迅速增大。     

高性能HfAlO介质薄膜的制备

利用超高真空电子束蒸发法制备了可替代SiO2作为栅介质的HfAlO膜.薄膜的化学组成为(HfO2)(Al2O3)2,900℃退火处理后仍然呈现非晶状态,而且表面平滑.介电常数为12.7,等效氧化物厚度2 nm,固定电荷密度4×1012cm-2,2 C栅偏压下漏电流为0.04 m A/cm2.后退火处理能有效降低固定电荷密度和泄漏电流密度,但会造成界面SiO2的生长.     

反转胶lift-Off工艺制备堆栈电感

本文采用反转胶lift-off工艺,对比分析了金属淀积方式、光刻胶的选择及光刻胶烘干时间对金属剥离效果的影响,制备出最小线宽4μm,最小间距4μm,厚度为1μm,线宽误差小于0.5μm的金属线条,并最终实现具有三层金属的堆栈电感,经光学显微镜和台阶仪观测表明,器件外观良好成品率高。     

可修调的高阶曲率补偿基准电压源

设计了一款带有误差放大器和电阻修调电路的分段曲率补偿基准电压源。通过分段电流补偿降低了温度系数;采用数字修调网络和熔丝修调网络,减小了电阻随机误差;采用误差放大器提高了电源抑制比,使基准电压精度得到显著提高。电路基于XFAB 0.35 μm高压CMOS工艺设计,仿真结果显示,在-40 ℃~125 ℃的温度范围内和多种工艺角下,当输出基准电压为3.0875 V时,温度系数为4.1×10-6/℃,低频电源抑制比达到-70 dB。该电路的性能指标大大优于同类型产品,是一款适用于汽车电子芯片的高精度电压基准源。     

带有固定延迟时间的IGBT去饱和过流检测电路

提出了一款带有固定延迟时间的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)去饱和(DESAT)过流检测电路。在IGBT去饱和过流检测电路中加入固定延时电路,当检测到过流信号后关断IGBT,防止IGBT被烧毁。同时固定延时电路开始计时,经历了固定延迟时间后,电路错误信号清除,IGBT恢复正常工作状态,提高了IGBT功率回路的可靠性与安全性。将固定延时电路集成在IGBT驱动芯片中,提高了系统的集成度。采用UMC 0.6μm高压BCD工艺模型对去饱和过流检测电路进行前仿和后仿。仿真结果表明,采用线性温度补偿方法,基准电路的过流阈值电压典型值为6.97 V,温度系数为19.5×10^-6/℃。IGBT开启后消隐时间为920 ns。在不同工艺角仿真中,后仿固定延迟时间在2.8~4 ms之间变化,典型值为3.3 ms,使功率回路储能元件中的冗余能量充分释放。     

南海某文化中心地下商业空调冷却塔免费供冷经济性分析

地下商业存在全年空调冷负荷,对冬季和过渡季空调采用冷却塔免费供冷技术,在经济上是否可行进行了研究.通过分析夏热冬暖地区全年湿球温度分布情况、冷水的供冷温度、新风供冷能力,提高冷却塔冬季和过渡季供冷小时数,得出冷却塔免费供冷的节能经济性.采用冷却塔免费供冷技术可以实现商业建筑运营降低空调运行成本的目的.     

MEMS谐振器的并联电容噪声抑制

由于谐振频率和谐振器质量呈线性关系,基于MEMS谐振器的等效机械和电路模型,可用于质量传感器应用。然而,动态模式下的MEMS谐振器具有容性传导特性,其两端口结构在电极之间会存在并联电容,扭曲其传输特性,增加整个系统的频率噪声。虽然通过改进工艺可以一定程度地降低并联电容,然而工艺的复杂度和成本会因此大大增加。针对这个问题,提出了纯电路的改进策略,使用可调电容或同等MEMS对两种方式来补偿并联电容的影响,从而降低频率噪声。实验测量结果显示补偿后频率噪声大大减少,分别从300和100 Hz降低到了100和1 Hz,大大满足了其应用精度要求。     

高性能图形化SOI功率器件的研制

利用掩膜注氧隔离技术（Masked SIMOX）制备图形化SOI衬底,采用与常规1μmSOI CMOS工艺兼容的工艺流程,制备了图形化SOI LDMOS功率器件。器件的输出特性曲线中未呈现翘曲效应、开态击穿电压高于6V、关态击穿电压达到13V、泄漏电流的量级为10^-8A;截止频率为8GHz;当漏工作电压3．6V,频率为1GHz时,小信号电压增益为6dB。直流和射频电学性能表明,图形化SOI LDMOS结构作为射频功率器件具有较好的开发前景。     

多孔硅PL谱的影响因素分析

通过阳极氧化电化学方法制备了多孔硅,并在室温下对不同条件下制得的多孔硅光致发光谱(PL谱)进行系统的分析.结果表明,随着阳极电流密度、阳极化溶液浓度和时间的增大,多孔硅的PL谱峰将发生"蓝移",并且PL峰强也显著增加,但过大的电流密度、阳极化溶液浓度和时间将导致PL峰强下降.另外,还发现PL谱存在多峰结构,而多孔硅在空气中放置时间的延长将引起其PL的短波峰"蓝移"和强度下降,但对长波峰只引起强度减弱,并不影响其峰位.PL谱的多峰结构可以认为是由于样品中同时存在"树枝"状和"海绵"状两种微观结构所产生的,在这个假设下,用多孔硅氧化后发光中心从硅表面移到二氧化硅层及量子限制模型能够解释上述现象.