质量无序配置加筋圆柱壳的振动局域化EI北大核心CSCD

无序非周期结构振动在通频带会产生局域化效应。基于该思想,对质量无序配置加筋圆柱壳开展了振动局域化研究。为定量预报无序配置加筋圆柱壳的局域化因子,将加筋圆柱壳振动等效为耦合振子链的振动,利用耦合振子链的无序局域化因子公式预报质量无序配置加筋圆柱壳的局域化因子。以加筋圆柱壳有限元分析的振动结果为输入,使用结合波数分析的参数辨识技术给出了等效振子固有频率参数和耦合参数。等效无序度参数使用了参考模型辨识的技术。针对两个质量无序配置加筋圆柱壳开展的振动局域化分析结果表明,质量配置无序度参数是影响局域化因子的重要参数,它与质量配置参数相关;当无序质量配置的平均值超过结构重量的15%时,可以观察到较为显著的振动局域化效果。     

Mg在InGaAlP及GaP材料中的掺杂行为

利用 SIMS分析技术 ,研究了在 In Ga Al P和 Ga P材料中 ,MOCVD工艺参数对 Mg的掺杂行为的影响 .实验结果表明 ,在较高温度下 ,Mg在生长表面的再蒸发决定了 Mg的掺杂浓度随衬底温度增加呈指数下降 ;而当载流子浓度饱和时 ,杂质 Mg在材料中的置换填隙机制使得 Mg的激活率随 Cp2 Mg流量的再增加反而下降 .同时通过计算得到 Mg在 In Ga Al P及 Ga P中的再蒸发激活能分别约为 0 .9e V和 1.1e V     

卫星测高数据筛选方法研究——以 Jason-3 数据和洪泽湖为例

针对卫星测高数据质量在湖库地区不稳定问题,提出一种基于数据质量评价、筛选提取水位的方法。使用Jason-3卫星测高数据,选取数据质量不稳定的洪泽湖地区为例进行实验。结果表明,该方法在改善数据精度方面明显优于传统方法,提取的测高水位与实测水位间相关系数从传统方法的0.11提高到0.59,均方根误差也从2m减少到0.5m,使得Jason-3数据用于湖库水位监测时具有较高的可信度。此外,对于那些数据质量不好的周期,提取的水位精度普遍不高,基于数据质量评价结果将它们舍去,可进一步提高了整体的监测精度,相关系数可提高到0.9,均方根误差减少到0.19m,这对于为无资料湖库构建精确的库容曲线具有重要意义。     

基于气动力/直接力复合控制的空空导弹末端制导性能分析

新型高性能作战飞机机动性的大大增强，为导弹的末端精确制导提出了新的要求。文中在气动力／直接力复合控制的空空导弹的建模基础上，对空空导弹末端制导性能进行了理论研究和仿真分析，明确了在攻击高速、大机动目标时，基于气动力／直接力复合控制的空空导弹末端制导性能相对于气动力控制的系统有很大的提高。     

肋骨偏移误差对结构振动与声辐射的影响

实际设计建造耐压壳体时,舱段结构的肋骨可能出现类似偏移这样的制造偏差。因此,研究肋骨制造偏差对水下结构振动与声辐射的影响变化规律,对于水下结构的声学分析具有重要的工程指导意义。以环肋圆柱壳为研究对象,采用结构有限元耦合流体边界元算法,研究了肋骨偏移程度、偏移肋骨的数量和偏移肋骨的位置对结构振动与声辐射的影响。数值计算结果表明：本研究所设计的工况中,肋骨偏移程度、偏移肋骨的数量和偏移肋骨的位置对环肋圆柱壳声辐射功率级的影响可以忽略;肋骨偏移程度对环肋圆柱壳的高频均方法向速度级有较大的影响,但当肋骨偏移距离较小时,肋骨偏移位置和数量的变化对结构的均方法向速度级影响很小。结论对于水下结构声学分析具有一定的参考价值。     

以实测振动数据为输入的水下结构振动与辐射噪声预报

为了满足水下结构振动与声学预报的需要,本文基于有限元/边界元法,采用以实测振动数据作为输入对水下结构振动与辐射噪声进行预报。预报采用大阻抗方法。使用大阻抗方法时,在建立结构有限元模型时,在振动测点建立一个虚构的单元,使得测点处具有很大的阻抗,并在测点施加一个相关的激振力,使得在该激振力的作用下测点处具有等于实测振动的响应,从而实现实测振动数据的输入。依据所测物理量的不同,大阻抗法可分为大质量方法和大刚度方法。如果测点振动响应能够完全描述测点“上游”激振源特性,则无须考虑测点“上游”的激振设备相关参数,这为水下结构振动与辐射噪声预报提供了便利。     

光栅线位移传感器的误差分析

在光栅测量仪器中，光栅传感器的误差是影响整个仪器精度的主要因素，主要产生在光栅的刻制、传感器结构及传感器的安装等方面。本文着重分析了光栅线位移传感器的误差来源，并给出了相应的消误差方法，为提高传感器设计精度提供了理论依据。     

摆角受限条件下运载火箭起控技术研究

运载火箭采用摇摆发动机方式进行姿态控制,一般情况下,发动机摆角有很严格的限制。火箭在各飞行段起控时,存在过大角速度和大角偏差的工况。当发动机摆角受到严格约束时,常规的控制方法会导致姿态控制系统稳定性差,控制精度低,甚至姿态发散等问题。对快速起控问题进行时间最优分析,并给出一种变结构的控制律,通过仿真证明方法的有效性。     

Mg在InGaAlP及GaP材料中的掺杂行为

利用SIMS分析技术,研究了在InGaAlP和GaP材料中,MOCVD工艺参数对Mg的掺杂行为的影响.实验结果表明,在较高温度下,Mg在生长表面的再蒸发决定了Mg的掺杂浓度随衬底温度增加呈指数下降;而当载流子浓度饱和时,杂质Mg在材料中的置换填隙机制使得Mg的激活率随Cp2Mg流量的再增加反而下降.同时通过计算得到Mg在InGaAlP及GaP中的再蒸发激活能分别约为0.9eV和1.1eV.