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本文报导了非故意掺杂InGaAsSb本底浓度的降低和掺Ten型GaSb和InGaAsSb的MBE生长与特性的研究结果。结果表明,通过生长工艺的优化,GaSb和InGaAsSb的背景空穴浓度可分别降至1.1×10~(16)cm~(-3)和4×10~(16)cm~(-3),室温空穴迁移率分别为940cm2/v.s和260cm~2/v.s。用Te作n型掺杂剂,可获得载流子浓度在10~(16)~10~(18)cm~(-3)的优质GaSb和InGaAsSb外延层,所研制的材料已成功地制备出D_λ~*=4×10~(10)cmHz~(1/2)/W的室温InGaAsSb红外探测器和室温脉冲AlGaAsSb/InGaAsSb双异质结激光器。 相似文献
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研究了十八碳羧酸异丁酯-10-硫酸钠的合成工艺.十八碳羧酸与异丁醇的摩尔比为1∶1.2,在135~140℃酯化1 h,得到的十八碳羧酸异丁酯在一定温度下硫酸化后,用纯碱中和即得十八碳羧酸异丁酯-10-硫酸钠. 相似文献
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化工科技成果转化的经验与问题胡建,徐华琴(湖北省化学研究所,武汉430074)在当前加快改革、开放和加速社会主义市场经济发展的新形势下,科技成果转化为生产力的程度已成为衡量一个科研单位科技进步和发展水平的重要标志,大力推广科研成果,使其迅速进入经济领... 相似文献