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本文模拟了0.25μm SOI NMOS的总剂量效应,I-V特性曲线随总剂量变化趋势与实测曲线一致。在此基础上探讨了器件在不同掺杂浓度、硅膜厚度、埋氧层厚度以及栅氧层厚度等工艺条件下的总剂量效应,分析了一定剂量条件下各项工艺引起器件性能变化的原因。结果表明,源漏高掺杂、薄硅膜、适当厚度的埋氧层和较薄的栅氧层均有利于提高SOI NMOS的抗总剂量效应的能力。这为器件提高抗总剂量效应设计和加固提供了一定的理论依据。 相似文献
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国际上工业自动化控制发展趋势是把生产过程控制的数据信息与整个企业管理数据信息溶为一体,通过介质由电气通信向光纤通信转化。 相似文献
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胡志良 《工业仪表与自动化装置》1986,(3)
SPECTRUM多站系统是FOXBORO公司在1984年推出的新型过程控制的计算机系统。它集计算机、过程控制组态、过程监视和管理为一体,代表了当前过程控制机的一个方向FOXBORO公司在1979年推出了FOXNET网络系统结构。这网络系统是由计算机(FOX-300)、现场控制显示装置(Video Spece)及其 相似文献
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