一种带新型直流失调补偿电路的模拟数字控制可配置的自动增益控制器

本文提出一种可用于零中频接收机的模拟/数字控制可配置的自动增益控制环路的设计,应用一种新型的直流失调消除电路。这种自动增益控制环路可配置于模拟或者数字控制,以便与不同的基带芯片兼容。本文更进一步提出了一种新型的直流失调消除电路,这种直流失调消除电路实现了低于10KHz的下限截止频率（HPCF,high pass cutoff frequency）。自动增益控制环路电路采用0.18um CMOS工艺。当配置于模拟控制模式下,这种自动增益控制环路的增益动态范围为70dB,3dB带宽大于60M。当配置于数字控制模式下,通过5比特的数字控制码控制,这种自动增益控制环路的增益动态范围为64dB,步进精度2dB,步进误差小于0.3dB。当输入引入40mV直流失调,电路输出直流失调电压小于1.5mV。电路整体功耗小于3.5mA,面积800um*300um。     

形式化语言在UMTS开发中的应用

由于3G协议规范的复杂性，3GPP方法论指导方针中鼓励使用标准的形式化语言来进行UMTS产品的设计、开发与测试。文中概要性地描述了UMTS的体系结构和在规范描述中用到的一些形式化语言的基本概念和特点，探讨了这些形式化语言在UMTS开发中的应用。使用形式化语言开发UMTS可以简化和改进测试程序，实现新产品与新标准的同步推出。     

阵列双稳随机共振在微弱信号检测中的应用研究

阵列双稳随机共振(stochastic resonance, SR)系统可利用噪声在单个双稳SR系统基础上进一步增强微弱信号检测的能力,为强噪声背景下微弱信号的检测开创了新方法。本文应用阵列双稳SR原理进行微弱信号检测的研究,采用理论和数值仿真相结合,通过稳态自协方差函数,分析了阵列双稳SR系统输出信噪比（signal-to-noise ratio, SNR）增益。在此基础上,分别讨论了阵列噪声、外部噪声及阵列单元数对检测性能的影响。并与单个双稳SR检测弱信号进行性能比较,分析和仿真结果都表明,在相同条件下,采用阵列双稳SR比采用单个双稳SR检测微弱信号性能有较大改善。这些研究结果对于阵列双稳SR的进一步发展及应用具有重要意义。      

直接数字频率合成器（DDS）测试方法研究

分析了DDS器件的接口特点,以GM495X为例,研究了DDS器件的功能测试与参数测试方法。通过扩展GPIB接口的方法,实现了在Verigy93000自动化测试平台上进行DDS参数测试。并实际验证了测试方法的有效性,对测试中需要注意的问题进行了归纳。对其它集成电路产品的设计、检测有参考价值,同时对verigy 93000 SOC自动测试平台的扩展方法也有借鉴意义。     

试论电信光接入网项目管理研究与应用

随着信息技术的快速发展,网络用户的需求也在不断提升,电信为与时俱进及时进行了构架重组.目前,我国三大电信运营商的联通、移动和电信都形成了全业务运营模式.电信要在市场竞争激烈的条件下持续化发展,首先需要对自身服务水平加以提高,通过思维的创新将互联网产品更加优质、快速的提供给用户.本文对电信光接入网改造的实施现状进行分析,并对电信光接入网项目管理的研究和应用措施加以探讨,以为项目的管理工作提供依据.     

三峡左岸高程98.7m混凝土拌和系统预冷混凝土设计

三峡工程左岸98．7m混凝土拌和系统工程，预冷混凝土设计采用的工艺流程目前在国际上也是先进的，本文综合的介绍了设计参数、工艺流程、主要技术经济指标，供同行在进行设计和施工中参考。     

增益提高型套筒式全差分跨导放大器的设计与分析

提出了一种应用于流水线型模数转换器(ADC)的增益提高型套筒式全差分跨导放大器(OTA)的设计与分析方法.通过ADC的性能要求推导出OTA的设计指标.该设计中OTA的架构由主运放、增益辅助运放及共模反馈电路3部分子电路组成.设计采用SMIC CMOS 0.18mm工艺平台.该设计方法的实验结果表明:1pF负载下,跨导放大器.的直流增益达到145dB,单位增益带宽超过750MHz,相位裕度达到58°.闭环增益为4时,放大器在20ns内稳定到0.05%的精度.     

微弱光电信号检测电路设计

光电检测电路的性能对基于激光诊断技术的脉冲爆震发动机多参数测量系统有重要的影响。针对测量系统中光信号的特点,从改善信噪比、提高带宽及稳定性入手,设计了一种宽带低噪声光电信号放大电路,具有电压增益高、上升沿短及噪声低的特点。该电路主要适用于探测快速变化的微弱光,并在某型发动机多参数测量系统中得到了成功应用。     

60 dB动态范围的自动增益控制电路设计

设计了一种工作频率在15.42 MHz应用于GPS射频接收芯片中的自动增益控制(AGC)电路,该电路与传统AGC结构相比,不需要峰值检测电路,也不需要环路滤波器,大大简化了设计复杂度,同时也使电路性能受工艺及温度变化的影响大大减小了,因此适用于低功耗、高集成的GPS射频通信系统中.电路设计采用TSMC 0.25 μm CMOS工艺,电源电压2.5 V,经过流片验证,其动态范围可达60 dB,工作频率范围为[3.8 MHz,40 MHz],总功耗5 mW     

Si衬底MOCVD生长GaN/InGaN多量子阱缺陷TEM研究

用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN/InGaN多量子阱材料进行横断面测试,在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像(HRTEM)、电子衍射衬度成像、选区电子衍射成像,在量子阱附近区域进行了双束近似电子衍衬像对其位错特性进行研究;用场发射扫描电子显微镜对饱和KoH溶液腐蚀前后材料成像.结果发现,AIN缓冲层具有多孔结构,高温GaN层位错平均密度达108cm-2,同扫描电子显微镜得到的六角腐蚀坑密度一致,量子阱以下发现大量位错发生90°弯曲,而使穿过量子阱位错密度大大降低.在线位错中,以刃位错居多,其次是混合位错,所观察区域几乎未见螺位错.