一种低温漂BiCMOS带隙基准电压源的设计

文章介绍了一种低温漂的BiCMOS带隙基准电压源.基于特许半导体(Chartered)0.35 μm BiCMOS工艺,采用Brokaw带隙基准电压源结构,通过一级温度补偿技术,设计得到了一种在-40℃到 85℃的温度变化范围内温度系数为15.2×10-6/℃,输出电压为2.5 V±0.002 V的带隙基准电压源电路.±20%的电源电压变化情况下,输出电压变化为2.2 mV,电源电压抑制比为60 dB.5 V电源电压下功耗为1.19 mW.具有良好的电源抑制能力.     

数码相机加油站

2002年全球经济的疲软对于IT产业的发展是个不小的冲击,而以数码相机为代表的数字产业作为IT经济一个新生力量,成为IT市场中最具成长性的新亮点。步入2003年,数码相机市场的发展更是呈全面发展趋势,其平均百分之五十的增长率成为兵家必争之地。再来看看去年国内数码相机市场的状况:销量达到39.6万台,同比增长80.8％,销售额为18.0亿元,同比增长67.8％,虽然整个市场规模不能和欧美市场同日而语,但其迅猛的发展势头在全球是无人能出其右者,这使得全球大厂更加看好中国市场的潜力,可以预见2003年的国内数码相机市场将是有史以来最激烈的一个年份。     

一种基于基板缺陷的共面波导电磁带隙结构

提出了一种通过湿法腐蚀实现的基板缺陷共面波导电磁带隙结构,并进行了建模仿真、加工和测试.重点研究了基板缺陷结构与传统金属缺陷结构的差异,以及采用湿法腐蚀工艺的优势.实验结果显示:新结构具有明显的电磁带隙特性;与干法刻蚀工艺相比,采用湿法腐蚀工艺加工可以获得更宽的阻带范围和更强的阻带抑制.该结构完整保留了50 Ω共面波导的信号线和接地板金属,可以与传统的金属缺陷结构结合,以获得性能更好的器件.     

2比特时间调制阵列的非理想特性建模研究

针对时间调制阵列存在的仿真与实际性能偏差问题,提出了一个考虑非理想特性的2比特时间调制阵列模型. 这一模型全面考虑了射频开关的瞬态切换、波束形成网络的幅相不平衡,以及天线的单元互耦、边缘效应、极化纯度等多种非理想特性,能够模拟实际的时间调制脉冲,进而准确分析2比特时间调制阵列的辐射性能. 一款Ku波段的2比特时间调制阵列样机验证了模型的有效性. 仿真和测试结果表明,相比理想模型,提出的非理想模型在计算副瓣电平、交叉极化电平、增益损失等方面都具有更高的准确性. 这一模型为分析实际2比特时间调制阵列的辐射性能提供了一种可靠的技术手段.     

高速模数转换器应用技术（3）

4 高速ADC的几种电路结构 目前高速ADC主要有以下几种类型:4.1 逐次逼近式ADC 逐次逼近(SAR)式ADC是目前应用最普遍的一种ADC,因为其电路结构简单,功耗低。现代SAR ADC都带有采样保持电路,对直流和交流信号都可以处理。它的精度主要取决于其内部DAC的精度。为了提高DAC的精度,现在普遍采用对薄膜电阻进行激光修整,现代新技术采用CMOS开关电容器电荷再分配方法制造DAC。对于高于12位的SAR ADC,利用附加的DAC和相应的逻辑电路构成片内自动校正电路可达到激光修整薄膜电阻一样的效果,而且又大大降低了成     

关于rail-to-rail amplifier一组新名词译名和定名的探讨

“rail-to-rail amplifier”是当前世界流行并且应用极其广泛的一种新型运算放大器。为了说明这组新名词译名和定名的理由,我们首先从它们的产生背景和技术含义入手,然后再从中英文对应的字面含义考虑。 常规双极型运算放大器的电源电压为±15V,其最大输入和输出摆幅或动态范围(swing or excursion)与电源正限(positive rail)及负限(negative rail)之间通常分别有一个1.5～3V固定大小的限区(headroom),如图1所示。即使真正的单电源运算放大器,在其正摆幅与电源正限之间也存在一个1.5～3V的限区。     

波长脉宽可调的ps钛宝石自锁模激光器

利用Ｇｉｒｅｓ－Ｔｏｕｒｎｏｉｓ干涉仪提供负群速度色散补偿钛宝石棒产生的正色散，以获得稳定的ｐｓ自锁模脉冲。腔内插入双折射滤光片实现波长调谐。     

中国工程物理研究院红外太赫兹自由电子激光装置总体设计

中国工程物理研究院红外太赫兹自由电子激光装置是一台用于材料、光谱、生物、医学等领域前沿研究的多功能用户装置,在实验室现有的太赫兹自由电子激光装置（CTFEL）基础上,拟新增两套2×9-cell超导加速单元和两台波荡器,将电子能量提升至最大50 MeV,输出频率覆盖范围拓展至0.1～125 THz,最大宏脉冲功率大于100 W。同时,采用跑道型束线设计,拟建设一台小型能量回收型直线加速器实验研究平台。本文主要介绍了中国工程物理研究院红外太赫兹自由电子激光装置的总体设计、工作模式以及用户实验站布局。     

单兵通信系统头盔天线研究进展

头盔天线是指以特殊的人工结构或材料共形到单兵可穿戴头盔上的一种天线,它是单兵无线通信系统中的核心器件。当前的头盔天线研究仅关注辐射全向性、大宽带、高增益和低比吸收率(SAR)中的某一方面或两个方面,难以满足快速发展的战术通信要求。近年来各种基于人工磁导体、超构材料等新型材料/结构的天线设计和阻抗匹配方法被相继提出,使得头盔天线有望突破增益、带宽、尺寸、重量和电磁辐射之间相互制约的技术难题。该文旨在通过系统总结国内外对于头盔天线在控制辐射方向、扩展带宽、增益提高、抑制比吸收率的研究进展之基础上,展望未来头盔天线重点突破的技术方向,并提出一种基于非福斯特电路的圆形阵列头盔天线技术构想。