电感耦合等离子体CVD制备Si薄膜的研究

电感耦合等离子体(ICP)是一种极具发展前景的低温高密度等离子体源,已经在大规模集成电路的深亚微米刻蚀和大面积均匀薄膜的淀积中得到广泛应用.采用自主设计的ICPCVD设备,在不同的衬底条件和SiH4浓度下制备了一系列的Si薄膜样品.采用多种结构分析手段对样品进行了测试,发现薄膜是非晶相、结晶相和孔隙的混合物,在较低的放电功率下即出现了相当比例的结晶相,对样品电导率和光学带隙的测试也进一步验证了这一结果.     

低温多晶硅薄膜制备技术应用进展

系统介绍了金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法、触媒化学气相沉积法(Cat-CVD)以及电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)制备低温多晶硅薄膜的原理及进展。对不同制备工艺的优势和不足进行了比较,重点讨论了Cat-CVD和ICP-CVD在实用化中需克服的技术问题。对上述制备方法的应用前景作了评述和展望。     

有机电致发光薄膜显示器像素阵列的制作

有机电致发光显示器被认为是最有发展潜力的新一代的显示器件,近年来一些新方法、新技术和新材料的出现大大改进了OLED的制作工艺,提高了器件性能.针对目前OLED制作的关键技术-像素点阵制作中存在的典型问题和不足,以及问题的解决,详细讨论了OLED像素阵列制作的四种改进方法,即绝缘层为隔离柱成型像素点阵、激光切割阴极材料成型像素点阵、光刻新型有机发光材料成型像素点阵以及微接触印刷技术成型像素点阵,并对比和分析了这几种方法对OLED器件带来的益处与不足.