Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带的磁电感效应

研究了输入交流电波形和非晶薄带片数等对Fe(73.5)Cu1Nb3Si(13.5)B9非晶薄带磁电感效应和磁电感效应变化幅度的影响,以及当输入电压为正弦交流电压时,非晶薄带的磁电感效应变化幅度的重复性和温度、湿度的稳定性.结果表明:磁电感效应随着非晶薄带片数的增多而增强,随着磁场强度的增大而减弱,正弦交流电压比三角交流...     

FeSiB非晶薄带的磁感应效应

研究了频率、磁场强度对Fe78Si9B13非晶薄带的磁感应效应及影响磁感应效应变化幅度的因素。结果表明,磁感应效应随着频率的升高而增强,随着磁场强度的增大而减弱;磁感应效应变化幅度随着磁场强度的增大而增大,当频率低于35kHz时,磁感应效应变化幅度随着频率的升高而增大,当频率高于35kHz时,磁感应效应变化幅度随着频率的升高而减小。     

退火工艺对铁基非晶薄带磁感应效应的影响

研究了频率、磁场强度以及退火工艺对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带磁感应效应变化幅度的影响.研究结果表明:磁感应效应变化幅度随着磁场强度的增大而增大,随着频率的升高呈现先增大后减小的趋势;与淬火态非晶薄带相比,退火可以提高磁感应效应变化幅度,且经300℃×1h退火后的磁感应效应变化幅度最大.     

铁基非晶薄带的磁感应效应

研究了Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带磁感应效应的影响因数.结果表明,磁感应效应变化幅度随着磁场强度的增大而增大;当测试频率为30kHz,薄带长度为3cm,线圈匝数为300匝时,淬火态非晶薄带的磁感应效应变化幅度最大;与淬火态非晶薄带相比,退火可以提高磁感应效应变化幅度,且经300℃×1h退火后的磁感应效应变化幅度最大.     

触变剂对环氧树脂封装铁基纳米晶磁芯软磁性能的影响

用宽为20 mm、厚为25μm的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶带材绕制成环形磁芯,经550℃×100 min晶化退火处理制成纳米晶磁芯,并对其进行环氧树脂封装,分析了触变剂对磁芯性能的影响。结果表明,与封装前相比,封装后纳米晶磁芯的磁导率μ、饱磁感应强度Bs、磁滞损耗Pu、磁芯电感Ls和感应电动势E随着触变剂含量的减小而减小;而矫顽力Hc和剩磁Br则随着触变剂含量的减小而增大。     

稀土La掺杂和退火温度对非晶磁芯软磁性能的影响

首先制备La掺杂Fe_(78)Si_9B_(13)合金(Fe Si B-La)非晶带材,然后绕制成环型磁芯,在不同温度下进行退火处理,研究La含量和退火温度对其软磁性能的影响。结果表明,随着La含量的增加,Fe Si B-La非晶磁芯的相对起始磁导率μ_i和饱和磁感应强度B_s呈先增大后减小的趋势,而矫顽力H_c呈先减小后增大的趋势。随着退火温度的升高,Fe Si B-La非晶磁芯的μ_i、B_s、H_c、电感L_s和品质因数Q呈先增大后减小的趋势。     

线圈匝数对非晶薄带磁感应效应的影响

研究了线圈匝数对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带的磁感应效应及磁感应效应变化幅度的影响。结果表明:非晶薄带的磁感应效应随着线圈匝数的增多而增强;当频率低于20 kHz时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着线圈匝数的增多而增大,当频率高于20 kHz时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着线圈匝数的增多而减小。     

FeCuNbSiB非晶粉体/IIR复合薄膜的压磁性能

以Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶粉体为磁性增强材料,以丁基橡胶为基体.利用模压成型制备了压磁复合薄膜.并测试了压磁性能.结果表明,频率较低时,复合薄膜具有优良的压磁特性;复合薄膜的阻抗随频率的升高,压应力的增大而减小;阻抗变化幅度随压应力的增大而增大,随频率的升高而减小.用电阻与电容串联模型对复合薄膜的压磁效应进行理论分析,得出了与实验结果相符的结论.     

稀土改性非晶带材的制备与软磁性能研究

利用稀土La掺杂Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶合金,成功制备了稀土La改性的非晶带材。对制得的非晶带材进行热处理和显微组织分析,最后测试了带材的软磁性能。结果表明:添加La改变了非晶带材的晶化温度,随着La含量的增加,晶化温度呈下降趋势。显微金相分析表明带材表面存在纹路,且纹路随着热处理温度的变化而变化。带材中内应力分布不均造成带材的厚度随温度变化而波动。La原子加入后使非晶带材的尺寸波动范围变窄,尺寸波动的临界温度也由400℃下降到300℃;在550℃×0.5 h热处理工艺时,FeCuNbSiB(La-0.5wt%)带材综合软磁性能最佳,饱和磁感强度可达到1.7 T以上,磁导率为5306。     

退火工艺对FeSiB非晶薄带压应力阻抗效应的影响

研究了退火工艺对FeSiB非晶薄带压应力阻抗(SI)效应的影响.结果表明,与淬态非晶薄带相比,退火可以改变非晶薄带的SI效应.当退火时间为1 h,退火温度低于300 ℃时,退火后薄带的SI效应增强,且薄带的SI效应随着退火温度的升高而增强,退火温度升高到400 ℃时,薄带的SI效应减弱;当退火温度为300 ℃,退火时间小于1.5 h时,退火后薄带的SI效应增强,且薄带的SI效应随着退火时间的延长而增强,退火时间大于1.5 h时,薄带的SI效应反而随着退火时间的延长而减弱;经300 ℃, 1.5 h退火后薄带的SI效应最强.当测试压应力为1.42 MPa,测试频率为60 MHz时,淬态非晶薄带的SI效应为1.12%,经300 ℃, 1.5 h退火后薄带的SI效应可达1.52%.