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51.
低渗透油田套管损坏机理分析及防治措施   总被引:1,自引:0,他引:1  
在注水开发油田,油水井套管损坏是一种极为普遍的现象,但又各具特点.通过对鄯善油田套管损坏井的自身特点进行统计、归纳,深入分析低渗透砂岩油藏套管变形影响因素和作用机理,提出了套管损坏井的预防及相应治理措施.  相似文献   
52.
BRT球锈蚀试验代替程序ⅡD发动机台架试验,主要用来评价汽油机油的抗腐蚀和锈蚀能力。BRT球锈蚀试验机引进时提供的校机油样少,通过对进口试验油理化性能分析,采用国内的试验油,等效采用ASTMD6557方法。通过试验,所选的试验油有较好的区分性和重复性。可以作为将来BRT球锈蚀试验机的校机油。  相似文献   
53.
在介绍了现有车联网商业模式的基础上,结合成品油销售企业的战略转型,就成品油销售企业如何在车联网商业模式中的定位进行了简要分析,提出了基于O2O方式建设围绕车主服务的CRM(客户关系管理)和DMS(供应商渠道管理)的大数据营销综合服务平台的中石化新业务的整体规划的思路。  相似文献   
54.
通过液相合成方法提纯Nd:GdVO4多晶料,降低生长过程中存在的原料非一致性挥发,以及使用特殊晶体生长温控技术和消除晶体“后天性光散射”,Czochralski方法成功生长系列不同钕掺杂浓度的Nd:GdVO4单晶。采用不同透过率的Cr”:YAG晶体对Nd:CdVO4晶体进行激光调Q实验。实验结果显示,Cr^4 :YAG Nd:GdVO4激光器可以得到稳定高平均功率调制激光输出。实验得到的最小脉冲宽度只有6ns,对应峰值能量为26.4kW。对不同浓度掺杂对晶体调制激光性能也进行了比较,发现掺钕浓度越高,激光脉冲能量和峰值功率越大。对该晶体的GaAs调Q激光输出性能也进行了介绍,4.8W泵浦光下,最大GaAs调制激光输出为0.63W。  相似文献   
55.
美国消费电器制造商联合会近日公布的一份材料说,1998年美国家用信息产品(包括PC、打印机、数码相机、移动电话、寻呼机、文传机等)的销售额将达345亿美元,而家用娱乐产品(包括电视机、录像机、摄像机、收录机、音响、照相机等)将退居其后,销售额预计为204亿美元。该联合会解释  相似文献   
56.
本文分析了天线间耦合度的计算方法,探索了"工"形耦合元件减少天线间耦合的原理,并使用FEKO进行仿真。利用本文介绍的去耦方法,在300MHz隔离度提高了9dB,同时在300~500MHz范围内隔离效果都达到5dB以上,有效拓宽了天线的工作频带。  相似文献   
57.
高峰均功率比是OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiplexing)信号的主要缺点之一,峰均比过高会加重OFDM系统的非线性失真.部分传输序列算法(Partial Transmit Sequences,PTS)是有效降低OFDM信号峰均功率比的传统算法.该算法由于采用穷尽式搜索方式搜索最优相位因子组合,因此具有较高的计算复杂度,并且随着子数据块分组数的增加部分传输序列算法计算量呈指数形式上升,很难在实际的通信系统中得到应用.本文提出了一种具有较低计算复杂度的多层循环部分传输序列算法( Multi-Loop PTS),该算法通过对相位因子进行多层循环计算比较,舍去了部分冗余计算,且避免了相位因子搜索陷入局部最优点,在保证算法性能的同时降低了算法复杂度.并且通过仿真分析证明了本文提出的MLPTS算法能够较好的权衡PAPR性能和计算复杂度之间的关系.  相似文献   
58.
在波分复用(WDM)光网络中,可使用业务疏导(Traffic Grooming)技术来提高网络性能,降低网络成本.详细阐述了WDM光网络中业务疏导的基本概念及主要目标,并对国内外研究现状进行了总结.最后介绍了OPS光交换网络中使用的业务疏导技术.  相似文献   
59.
为了提高家庭供电系统太阳能利用率,尽可能地降低家庭用电功耗,设计了一套新型绿色环保太阳能供电系统。该系统通过太阳能光板采集能量、蓄电池储存能量,集成最大功率电追踪、逆变升压、电量检测等技术,利用云平台管理技术,针对不同的电量情况进行控制从而保障用户负载的不间断供电。用户可以在手机客户端以及PC端查看系统的工作情况,并对系统做相应的设置与控制。文章介绍了这种低成本、高可靠性、高效率、智能化的家用太阳能供电系统。  相似文献   
60.
最近 ,三菱电机公司开发出了一种具有高可靠性的 0 18μmSOI工艺技术。通过这种技术 ,由CMOS器件实现 2 5Gb/s的超高速通信用IC。而且 ,业已证实采用大容量SRAMTEG (TestElementGroup :特性评价器件 )有可能实现大规模高速LSI。1 局部沟槽隔离技术(a) 0 18μmSOI技术的开发情况所谓的SOI技术 ,就是在Si基板的绝缘膜 (埋入氧化膜 )上形成单晶硅层 (SOI层 )结构。与普通的Si基板器件在基板上直接形成晶体管的情况相反 ,SOI器件则是在薄的SOI层上形成晶体管 ,由于可以缩小源 …  相似文献   
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