Gate-enclosed NMOS transistors

In order to quantitatively compare the design cost and performance of various gate styles,NMOS transistors with two-edged,annular and ring gate layouts were designed and fabricated by a commercial 0.35μm CMOS process.By comparing the minimum W/L ratios and transistor areas,it was found that either the annular layout or its ring counterpart incurs a higher area penalty that depends on the W/L ratio of the transistor to be designed. Furthermore,by comparing the output and transfer characteristics of the transistors and analyzing the popular existing methods for extracting the effective W/L ratio,it was shown that the mid-line approximation for annular NMOS could incur an error of more than 10%.It was also demonstrated that the foundry-provided extraction tool needs significant adaptation when being applied to the enclosed-gate transistors,since it is targeted only toward the two-edged transistor.A simple approach for rough extraction of the W/L ratio for the ring-gate NMOS was presented and its effectiveness was confirmed by the experimental results with an error up to 8%.     

基于封闭形栅NMOS晶体管的研究

封闭形栅的NMOS晶体管广泛应用于总剂量辐射效应加固的电路中。为了定量比较不同的封闭形栅晶体管的性能以及设计代价,在0.35μm 商业CMOS工艺上设计制造了标准条栅和两种封闭形栅（包括环栅和半环栅）的NMOS晶体管。通过对比这三种器件的最小宽长比、晶体管面积,得出环栅与半环栅的版图形式带来的面积牺牲与设计的晶体管宽长比密切相关。并通过对这三种器件的输出特性和转移特性的对比测试,分析了常见的封闭形栅的有效宽长比提取方法,结果表明对于环栅NMOS,“中线近似”可能带来10%的误差,而商业工艺线提供的宽长比提取方法由于是针对条形栅,在设计中需要经过修正才能适用于封闭形栅的晶体管设计。对于半环栅NMOS,我们提出了一种简略的宽长比估算方法, 实验结果显示其误差小于8%。     

反熔丝的研究与应用

综述了ONO(氧化物-氮化物-氧化物)反熔丝、非晶硅(a-Si)反熔丝和栅氧化层反熔丝的制作工艺、性能参数及其优缺点,介绍了反熔丝器件包括反熔丝可编程只读存储器(PROM)和反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)在器件应用、存储容量、可用门数、工作电压和抗辐射性能等方面的研究进展,指出了反熔丝以及反熔丝器件的4个主要发展趋势,即工艺兼容、高密度、有机/柔性和新材料.     

利用.NET平台及SAP2000 API实现空间杆系结构的蒙板功能

根据SAP2000API应用软件编程接口在使用过程中的便捷性和易操作性,概述了通用SAP2000OAPI插件的开发流程,并详细介绍了如何在.NET编程平台上利用SAP2000API函数开发OAPI插件实现空间杆系结构的蒙板功能.总结了现有空间多边形拓扑关系的生成算法,介绍并采用了基于方位角定义的最小多边形自动构建方法的算法,同时引入相邻边路径权重的方法进行蒙板编程,有效避免了多次生成重复区域的问题.介绍了将空间网格投影为平面网格,以确定平面网格拓扑关系,再将每个平面最小多边形节点还原到空间网格中生成面域等建模思路,说明了如何利用SAP2000的API函数进行蒙板程序编制的详细步骤,并给出了空间杆系结构快速蒙皮OAPI插件的工程应用范例.本文对于进一步开拓SAP2000的应用范畴有实际意义,对同类型项目具有借鉴作用.     

一款半定制可编程逻辑核的设计与验证

介绍了一款可编程逻辑核的设计及验证过程,着重阐述了可编程逻辑核电路设计及CAD设计技术。该可编程逻辑核采用半定制方法设计,在CSMC 0.5μm CMOS工艺上进行了流片,开发了相应的CAD工具以支持该可编程逻辑核的验证。硬件测试结果表明,该可编程逻辑核实现了预期的逻辑电路功能,达到了设计目的。     

专利视角下天然气预处理技术发展路径分析

应用专利信息分析方法,着重从天然气脱酸、脱水、脱重烃3个重点技术分支介绍了该领域的技术发展态势和技术研发路径。研究结果表明,天然气预处理技术的发展经历了萌芽期、缓慢增长期和快速增长期3个阶段,在当前乃至今后一段时期内专利申请趋势将继续保持增长;溶液吸收技术和脱酸装置集成化发展是天然气脱酸预处理方向的热点技术;干燥剂配方的改良和脱水系统的优化是天然气脱水预处理方向的发展重点;涡流分离装置是天然气脱重烃预处理专利技术的热门方向。     

高温高密度饱和盐水钻井液体系研究

为保证深井、超深井钻井安全,开展高温高密度饱和盐水钻井液体系研究。首先开展其钻井液影响因素研究,明确不同因素影响能力,其次分别开展膨润土、增粘剂、降滤失剂、降粘剂、高温保护剂GBH、封堵剂类型及加量优选,最终确定高温高密度饱和盐水钻井液体系配方：3%膨润土HEP O Y LY M E R增粘剂+4%D R I S T E M P降滤失剂+4%P S C-1降粘剂+0.5%S O LT E R封堵剂+1.5%高温保护剂GBH。然后对其高温稳定性、抗污染能力、抑制性、沉降稳定性、润滑性、封堵性进行评价,认为该钻井液配方适合高温高密度条件。该研究成果有助于深井钻井液技术研发。     

绿色施工技术在大马尼拉AQ-5管线修复工程中的应用

钢筋混凝土管修复绿色建造主要表现在三个方面,一是少量的投入换取管线生命期,二是使用薄钢板内衬,壁后注浆技术,避免使用大开挖方案,将建造过程对自然环境的植被破坏、地下水流失、扬尘污染等降低到最低,同时使用钢板内衬大大减少了过流糙率,提高了管道过流量,三是建造过程采用绿色施工工艺,主要有使用管内机械运输衬管;使用定尺板材及方便折装且可重复利用的钢内撑减少施工阶段的钢材耗损;衬管防腐车间采用空气净化装置,消减防腐过程对大气的污染等一些绿色的建造技术。     

一种基于memory的数据加解密算法

对于memory的研究,大部分都只是停留在对容量的扩充,速度的提高等性能提升方面,很少涉及对memory进行辅助设计以实现更多的特殊功能.提出了一种通过对memory地址作用加解密算法,利用memory自身的特性来实现对数据的加解密的功能,并通过实验仿真验证了该方法的可行性.