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本文选用650℃条件下真空合成的Cu(In0.7Ga0.3)Se2单相合金粉末,通过放电等离子体烧结法制备了CIGS合金靶材,研究了烧结温度、保温时间以及烧结压强等工艺参数对CIGS四元合金靶材的结构与性能的影响,研究表明:烧结温度为500℃以上时,靶材为单一的Cu(In0.7Ga0.3)Se2相,随着烧结温度的升高,靶材的晶粒尺寸增大,致密度和电阻率基本呈线性升高;随着保温时间的延长,靶材晶粒尺寸随之增大,致密度和电阻率也随之升高;随着烧结压强的提高,靶材的致密度增加,而且电阻率得到下降。综上所述,烧结温度为600℃,压强为30MPa,保温时间为5min的工艺条件下,制备靶材的电阻率50Ω?cm,致密度为98%以上。 相似文献
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建立了钌粉和钌靶中氧、氮含量的测定方法。研究了样品前处理、仪器条件、助熔剂选择、方法准确度和精密度等。以锡-碳作助熔剂,在选定条件下,采用脉冲红外和热导检测法,测定50×10-6氧时RSD<10%,测定40×10-6氮时RSD<25%;加标回收率:氧100%~102%,氮91%~101%。测定范围:氧0.002%~0.4%,氮0.0001%~0.02%。方法简便、快速、精密度和准确度满足质量控制要求。 相似文献
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NiPt合金溅射靶材是半导体工业重要原材料,其微观结构的表征和调控对于提高靶材与溅射薄膜的质量具有重要意义。本文采用EBSD分析检测系统对冷轧态NiPt5合金在退火过程中的再结晶行为进行了研究。结果表明,NiPt5合金经80%冷轧变形后主要呈{112}<021>织构。450℃退火后,最先在<110>∥ND形变带以亚晶合并机制形核。550-650℃温度范围内再结晶结构平均晶粒尺寸由1.2 μm增至15 μm,取向分布呈<110>∥ND趋势,HABS和LABS的演变主导了NiPt5合金退火过程中结构的演变。550℃退火晶粒的生长机制主要是晶粒转动合并机制。而650℃退火后,晶粒内部大量亚晶及60°{111}退火孪晶的出现分别证明了该温度范围内有晶粒转动和晶界迁移两种生长机制的共同作用。 相似文献
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运用DSC、XRD、SEM/EDS、力学性能测试及电学性能测试对TO-5微型继电器触点用新型Au基六元合金AuCuPtPdNiRh的物相组成和时效行为进行了细致研究。结果表明,合金由晶格常数分别为0.3915和0.3827 nm的2种立方相组成;时效热处理并不改变2种相的形貌及元素构成;通过一次时效可使合金硬度和强度分别达到440和1458.4 MPa;通过二次时效可使合金获得强度1354.9 MPa,电阻率28.8μ?·cm的优异综合性能;合金强化及电学性能提高的主要机制为有序转变。 相似文献
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