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81.
由于对P91焊缝的焊后回火热处理控制不当,导致过回火。过回火致使焊缝附近P91母材硬度降低到约145 HB,与正常管段硬度约205 HB相比降低了60 HB。采用光学显微镜对低硬度区和硬度合格区组织进行观察,结果显示低硬度区组织异常、组织劣化,硬度合格区组织正常。对低硬度区和硬度合格区常温、高温拉伸强度以及夏比冲击功进行了测试,并用扫描电镜对拉伸和冲击断口进行了分析。结果表明,低硬度区与硬度正常管段相比,拉伸强度、夏比冲击功降低,力学性能劣化,断口形貌不佳。分析认为过回火导致了P91组织异常,材料力学性能降低,影响了其长期安全使用,应予以更换或重新热处理。 相似文献
82.
83.
油气田缓蚀技术研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
摘要:文章介绍了油气田抑制CO_2/H_2S腐蚀的缓蚀技术研究进展;缓蚀剂作用机理;CO_2/H_2S和CO_2/H_2S环境下缓蚀技术的应用现状。着重介绍了酰胺类、咪唑啉衍生物和季胺盐类等缓蚀剂的国内外研究现状,并展望了油气田抑制CO_2/H_2S腐蚀的缓蚀技术发展趋势。 相似文献
84.
85.
赵永峰 《机械工程与自动化》2009,(2)
零部件"三化"(通用化、系列化、组合化)对提高产品的通用性、互换性、标准化程度以及提高质量、降低成本、加快设计制造周期都具有重要意义.基于UGNX2平台介绍了标准零件库建立的原理,重点介绍了建立参数化标准零件库的方法,对如何分析及约束模型、确定设计变量、设置和编辑参数化驱动表作了详细描述,对组件库的建立原理、方法及调用作了介绍. 相似文献
86.
分析了动力P-Δ效应和结构抗侧强度对结构动力稳定的影响.利用单自由度(SDOF)体系弹塑性动力时程分析程序,分别对反向加载时刚度退化的修正克拉夫滞回模型(MC)和理想弹塑性(EPP)模型,计算了4类场地下各74~106条地震波输入后的结构动力响应,其中结构自振周期为0.1~6.0/s,延性取为2、3、4、5和6,二阶效应系数为0.025~0.100,得到了不考虑和考虑P-Δ效应的地震力调整系数,并计算了两者间的比值谱S,提出了S谱的简化计算公式,用以分析P-Δ效应对地震力调整系数的影响.结果表明,标准化周期、延性和二阶效应系数对S谱均有影响;不同滞回模型对动力P-Δ效应的敏感性是不同的,理想弹塑性模型为保持常延性而需增加的抗侧强度要大于修正克拉夫滞回模型. 相似文献
87.
在国内外岩体质量评价分级研究进展的基础上,分析了目前主要评价方法尤其是RQD值法所存在的不足之处.总结了岩体结构、岩体质量及其与岩体质量分级的关系,讨论了主要岩体质量评价分级方法的基础及相关性. 相似文献
88.
由于制造缺陷、疲劳及腐蚀等原因,缓冲液压缸在服役过程中内壁会产生轴向裂纹,严重影响液压缸的结构强度、缓冲性能和使用寿命。通过AMESim液压仿真平台建立缓冲系统模型来模拟实际工况,将缓冲油压作为有限元分析的初始载荷,建立缓冲缸有限元模型和裂纹扩展模型,研究不同初始裂纹形状、裂纹位置对疲劳寿命的影响,并分析裂纹前缘动态应力强度因子和裂纹形貌的变化。结果表明:无缺陷的油缸完全能承受缓冲压力;裂纹初始长度一定时,随着深长比增大,裂纹前缘应力强度因子会整体增大,裂纹扩展速度加快;不同深长比的初始裂纹经过多次循环载荷后都更倾向于在长度方向快速扩展;缸体内不同位置的裂纹疲劳寿命存在较大差异,在壁厚较小的边角位置,疲劳裂纹扩展寿命最短。 相似文献
89.
90.
对采用阳极氧化法及阴极还原表面处理技术制备的性能稳定的纳米多孔硅,用原子力显微镜(AFM)表征了其微观结构,多孔硅颗粒粒径在30 nm左右.室温条件下测试了多孔硅场电子发射的特性,结果表明,多孔硅具有很好的场致发光性能,在5 V/μm的电场下就可以产生场发射电流.多孔硅的开启电压在1 000 V左右,发射电流随着电压的增大而不断增大,发射电压在2 000 V以上.Abstract: Nanoscale porous silicon (PS) was prepared by anodic oxidation, cathode reduction and surface treatment technique. The porous silicon particles with the average diameter of about 30 nm were obtained by characterizing their microstructure with atomic force microscope (AFM). Electron field emission characteristics of porous silicon were investigated at room temperature. The resuhs demonstrate that porous silicon has favorable electroluminescence properties, and the field emission current can be generated only under the electric field of 5 V/ μm. And the turn - on voltage is about 1 000 V. With the increase of the offered voltage, the emission current is enhanced and the emission voltage is over 2 000 V. 相似文献