9μm截止波长128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列

报道了128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作.采用金属有机化学气相淀积外延技术生长外延材料,并在GaAs集成电路工艺线上完成工艺制作.为得到器件参数,设计制作了台面尺寸为300μm×300μm的大面积测试器件;77K下2V偏压时暗电流密度为1.5×10-3A/cm2;80K工作温度下,器件峰值响应波长为8.4μm,截止波长为9μm,黑体探测率DB 为3.95×108(cm·Hz1/2)/W.将128×128元 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列芯片与相关CMOS读出电路芯片倒装焊互连,在80K工作温度下实现了室温环境目标的红外热成像,盲元率小于1%.     

基于MOCVD技术的长波AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器

采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构,用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺,设计制作了大面积AlGaAs/GaAs QWIP单元测试器件和128×128、128×160、256×256 AlGaAs/GaAs QWIP焦平面探测器阵列。 用液氮温度下的暗电流和傅里叶红外响应光谱对单元测试器件进行了评估,针对不同材料结构,实现了9 μm和10.9 μm的截止波长; 黑体探测率最高达到2.6×109 cm·Hz1/ 2·W-1 。 将128×128 AlGaAs/GaAs QWIP阵列芯片与CMOS读出电路芯片倒装焊互连,成功演示了室温环境下目 标的红外热成像;并进一步讨论了提高QWIP组件成像质量的途径。     

InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究

介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面的研究.采用发射极-基极自对准工艺制作了InP/InGaAs/InP DHBT器件,发射极尺寸为1.5μm×10μm的器件小电流直流增益β约25,集电极-发射极击穿电压BVCEO≥10V,截止频率,ft和最高振荡频率,fmax分别为50和55GHz;     

一种高精度锁定放大电路

锁定放大是一种用于从干扰噪声中分离出小的窄带信号的技术,锁定放大器起着检测器和窄带滤波器的双重作用。当已知信号的频率和相位时,就可以在大量的非相关噪声中检测出该微弱信号。这是介绍用ＡＤ６３０组成的锁定放大电路,其结构简单,精度高,性能稳定可靠。ＡＤ６...     

水泥包装袋产品现状和质量分析及相关建议

文章针对我国水泥包装袋产品的生产、使用现状,结合产品质量抽检情况,分析了主要不合格项目的原因,在新旧标准过渡期对生产、使用、监管部门以及质检机构提出了相关建议.     

煤矿粉尘光损耗与消光系数问题的探讨

粉尘消光系数是反映粉尘吸收特性的重要参数，在自由空间和滤红吸附两种条件下探讨粉尘的光损耗问题，并导出消光系数的表达式，得到了一致的结论：消光系数只与尘样的尘粒密度和其归一化粒度分布函数ｆ（ｒ）有关，而与通光面积等外界因素有关，并对非等精度条件下获得的实验数据进行了处理，验证了所得结论。     

铟镓砷与金属接触形貌异常分析和改进

对P型InGaAs半导体金属接触形貌进行了分析。采用磁控溅射法在P型InGaAs表面制作了不同厚度的金属膜,并在不同温度下进行合金,研究了合金温度和膜层厚度对接触形貌、比接触电阻率的影响。使用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对界面形貌进行了表征,结果表明金属-半导体界面空洞与合金温度有直接关系,在合金温度小于350℃时,界面处不会出现空洞,若合金温度超过此值,空洞逐渐出现,并且空洞数量会随着合金温度的升高而增加。金属膜层间相互扩散和器件的比接触电阻率与Ti层和Pt层的厚度有关。通过优化合金工艺和金属膜层厚度改进了半导体与金属接触形貌,金属间界面清晰无相互扩散,降低了器件比接触电阻率和常态温度下的失效率(FIT)。     

上都电厂轴系次同步扭振保护系统

针对次同步谐振(SSR)危及机组轴系安全问题,研发了轴系次同步扭振保护系统.该保护系统包括底层的扭应力继电器(TSR)和上层的保护协调机(Tmaster).TSR实时采集轴系模态转速信号,进而判别扭振模态稳定性和疲劳寿命是否越限,并将判断结果传递给Tmaster,由后者执行选择性跳机逻辑,从而起到保护机组轴系的作用.将所述次同步扭振保护系统应用于上都电厂串补输电系统,分析了其运行机制和定值设置.保护系统自2008年9月投运以来,经历了现场试验和实际故障的考验,起到了正确检测次同步扭振和保护机组轴系安全的作用.     

光测高电压与分电平脉冲计数法

本文首先介绍了光测电压的原理及其常用的信号处理方法──小信号调制线性区法。在此基础上提出了一种在过调制状态实现光测电压信号检测的新方法──分电平脉冲计数法。文章给出了分电平脉冲计数法中被测电压的计算公式、参考电平的设置方法及对电路的要求。文章通过计算，证明该法可大幅度提高系统的信噪比及测量的动态范围，并展示了该法在测量方式上的灵活性。     

用于光测电压的晶体的选择及光轴选定

介绍了用于光测电压的晶体的选择与晶体加工设计中的光轴选定原则。以ＬＮ晶体为例介绍了晶体元件设计过程中的参数计算方法。