西南医院门诊楼集中热水系统全循环供水方式设计

介绍了西南医院门诊楼集中热水系统全循环供水方式.设计充分利用自然循环和机械循环,选用横管配回水、设置多个循环管路的方式,实现了热水系统的支管、供回水横管及立管的全循环.对于建筑标准高、耗热量大、卫生器具多且分散的建筑,宜结合实际情况采用多种循环供水方式相结合的管道布置形式.最后对门诊楼采用全循环管道设计中存在的问题及解决措施进行分析.     

小湾水电站坝肩抗力体爆破试验

小湾水电站坝肩抗力体地下洞(井)塞开挖爆破均是在缺陷岩体中进行,在爆破开挖施工过程中,支护、回填灌浆、衬砌(回填)混凝土等工序与开挖爆破交替进行.为避免爆破对其它工序造成影响,保证施工安全,必须要进行相应的爆破试验和安全监测,通过对试验及监测成果数据分析,优选爆破方案.     

高空载电压双路防电击交流焊机的研制

本文对研制高空载电压双路防电击交流焊机的必要性作了论述,并对设备的主要技术性能提出了要求。对设计高空载电压交流焊机的主要技术依据——工作电压、电流调节范围、空载电压三个指标进行了分析,并给出了具体数据.对防电击装置的工作原理进行了系统分析。为了确保该装置的安全防护作用,首次提出了双保险的设想,研制成功的双路防电击装置,从理论和实践上,解决了高空载电压交流焊机使用的安全性问题。对研制的设备进行了调试和焊接试验,从提供的技术数据表明,此设备性能良好,运行可靠,达到了原设计的要求。     

板桥-歧北地区沙一下沉积物源及沉积体系的再认识

沙一段下部 (沙一下 )是板桥—歧北地区重要的油气勘探层段之一。从重矿物组合、ZTR指数、成分成熟度指数、岩屑组成等角度来分析工区沙一下沉积物源 ,明确了该区存在三处物源 :燕山褶皱带、沧县隆起和港西凸起。来自燕山褶皱带的北部物源是歧北地区沙一下唯一的沉积物供应区 ,西部沧县隆起的物源不能越过港西凸起到达歧北地区 ,中部港西凸起的物源影响范围有限 ,这些观点与以前的认识有所不同。这三处物源控制了该时期沉积体系的展布 :小站地区发育水下扇砂体 ,驴驹河地区发育扇三角洲前缘砂体 ,歧北地区为扇三角洲前缘滑塌形成的重力流水道砂体。这些有利的砂体与沙一中大套厚层泥岩相配置 ,在港西凸起斜坡及倾没部位、大张坨地区和歧北地区可能形成一些有利的岩性圈闭。     

加氢裂化装置脱乙烷塔顶气水合物生成条件研究

加氢裂化装置脱乙烷塔顶回流管道在寒冷的冬季容易出现堵塞现象,发现该堵塞物为气体水合物.管道中一旦生成水合物,会减小流通面积,产生节流进而造成阀门、一些设备以及管道堵塞,严重影响管道的安全运行.采用Chen-Guo水合物理论模型对某厂加氢裂化装置脱乙烷塔顶气生成水合物的条件进行了计算,结果表明,根据该气体组成,在脱乙烷塔操作压力3.05 MPa下,操作温度低于37℃即可生成水合物.分析了多种抑制水合物堵塞管道的方法,指出添加水合物抑制剂的方法可行,但还需要考察添加水合物抑制剂对液化石油气产品质量的影响.     

努力开创辽宁省水利科技信息工作新局面

在辽宁省水利科技信息工作原有的基础上，提出了水利科技信息工作改革发展思路和今后３年的具体任务。     

珠江流域水资源管理系统总体设计

根据珠江流域水资源管理职能及管理现状,明确了珠江流域水资源管理系统在国家水资源管理系统和珠江委水利信息化顶层设计中的定位,设计了水资源管理系统总体框架,其功能涵盖了信息采集与传输系统、计算机网络系统、数据资源管理平台、应用支撑平台、业务应用系统等方面.     

DIANP对双基推进剂燃烧速率的影响

采用靶线燃速测速法,研究了新型增塑剂1,5-二叠氮基-3-硝基-氮杂戊烷(DIANP)的引入及含量变化对双基推进剂燃烧速率的影响,并讨论了不同催化剂对含有DIANP的双基推进剂燃烧速率的影响。实验结果表明:在爆热相近的情况下,DIANP部分取代硝化甘油,在10MPa下燃速可提高20%以上,压力指数升高20%左右,提高幅度与所使用的催化剂品种有关;在配方其它组分不变的条件下,用DIANP部分取代硝化甘油,随着配方中DIANP含量的增加推进剂爆热减小,燃速先增加然后降低,燃速存在一个最大值。     

衬底温度对中频磁控溅射ZnO∶Al透明导电薄膜性能的影响

ZnO∶Al(ZAO)薄膜的光学、电学以及结构特性与衬底温度有关,以掺杂质量2%Al的Zn(纯度99.99%)金属材料做靶,采用中频磁控溅射技术研究衬底温度对ZnO透明导电薄膜性能的影响,获得适合太阳电池的高效能薄膜,薄膜厚度700 nm左右,其电阻率为4.6×10-4Ω.cm,载流子浓度1.98×1020cm-3,霍尔迁移率61.9 cm2/(V.s),可见光范围内(波长400~800 nm)的平均透过率大于85%.     

聚合物发光器件中输运特性的模拟分析

对聚合物发光二极管I-V特性的测量发现,被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和"迟滞回线”状场致漂移的伏安特性.模拟分析表明,一种反向势垒的存在及其击穿,应是引起负阻现象的原因.缺陷态的存在及其电荷填充的变化,是导致I-V特性曲线随偏压扫描方向变化的主要原因.而低场下的接触性能决定着发光二级管载流子的输运性质:若为非欧姆接触,则I-V曲线可用F-N隧穿模型来描述;若为欧姆接触,则应用陷阱电荷限制电流(TCL)模型来描述.