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以元素粉末为原料,采用机械合金化方法结合放电等离子烧结工艺制备了Ti-8Mo-(0~9)Fe合金材料,并探讨了制备工艺对球磨粉体及烧结态合金性能的影响规律。结果表明,当铁含量为3%~9%(质量分数)时,球磨10 h粉体经900℃烧结可获得高致密度、并具有超细晶结构的钛合金材料,其显微组织主要由β-Ti相基体及fcc-Ti颗粒组成,其晶粒尺寸为130~490 nm,这是在钛合金块体材料中首次制备出fcc结构Ti相。在机械合金化过程中,Fe元素的加入可显著提高合金体系的非晶形成能力,并随Fe含量增加体系非晶形成能力增强,粉末非晶相比例增加,经10 h高能球磨后,即可合成具有良好的热稳定性的非晶/纳米晶Ti-Mo-Fe复合粉末。 相似文献
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以单质元素粉末为原料, 采用1500℃高温反应合成不同成分的钒硼化物粉末, 并以制备粉末为活性物质, Ni为导电剂, NH4HCO3为造孔剂, 采用粉末冶金工艺制备了多孔V-xB/Ni型(x=2/3~2)负极电极片, 探讨不同物相钒硼化物作为空气电池电极活性物质的高容量输出性能。结果表明, 当原料粉末中V:B原子比为1:1、1:2时, 可分别制得具有单一物相的VB和VB2化合物粉末, 当V:B=3:2时, 合成产物包含V3B2和少量VB相, 当V:B=2:3时, 合成产物为V2B3、V3B4和少量VB2三相混合。制备的V-xB/Ni型电极的孔隙率为60.25~61.75%, 放电容量为6129~7901 mAh, 比容量为2724~3511 mAh/g。V-xB/Ni型电极的放电性能随着B含量的增加明显提升, 所制备 V-2B/Ni型电极的放电性能最优, 其比容量为3512 mAh/g, 库伦效率为86.5%, 能量密度达到2504 Wh/kg。 相似文献
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以醇盐水解-氨气氮化法在SiC颗粒表面包覆TiN,然后采用放电等离子体烧结进行致密化,重点分析所制备的(SiC)TiN/Cu复合材料的热物理性能和焊接性能。结果表明:醇盐水解-氨气氮化法能够制备出TiN包覆SiC复合粉末,TiN包覆层均匀连续,能够提高材料的致密度并改善界面结合。(SiC)TiN/Cu复合材料的热膨胀系数介于8.1×10-6~11.9×10-6K-1之间,并且随着SiC体积分数的增加而降低。(SiC)TiC/Cu复合材料经过8次热循环以后的残余塑性应变为4.0×10-4。当SiC的体积分数为30%时,复合材料的热导率达到270W·m-1·K-1。Ag-Cu-Ti钎料在900℃时能在(SiC)TiN/Cu复合材料上完全铺展,具有良好的润湿性。(SiC)TiN/Cu复合材料与Ag-Cu-Ti钎料焊接接头的剪切强度高达56MPa。 相似文献
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光电开关的缺点之一是灯丝易断。即所谓灯的寿命比较短,所以作为无接触检测器,在可靠性方面就有问题。但是,最近由于半导体发光元件——发光二极管已能大量生产和在市场上出售,故在光电开关内已开始采用它来代替灯。这就意味着光电开关整体的寿命和可靠性将大为提高。也可以说,由于采用发光二极管,光电开关才真正起到了无接触检测器的作用。本文,将使用发光二极管的 OPE 型光电开关的概况叙述一下。 相似文献
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用硅二极管作温度敏感元件,可以用一个廉价的运算放大器将温度控制到小于±0.05℃的范围内。例如1N4148型二极管具有典型的温度系数:-2毫伏/1℃。线路如图所示。温度由电阻电桥调节,由二极管 D_1传感并由加热元件——电阻 R_1来保持。当温度太低时,控制电压 V_1趋向负,将运算放大器的输出限制在12~14伏。晶体管 Q_1 相似文献
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路新 《仪表技术与传感器》1973,(3)
很多发光二极管除了加正向偏压时发光外,还有一种很少注意的性质,就是当加反向偏压时,它们又可以检出光。在单一器件中具有这种发射元件和传感元件性质,就导致几种可能的应用。 相似文献
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以元素粉末为原料添加造孔剂碳酸氢铵,采用粉末冶金模压烧结技术制备了多孔Ti-10Mo合金,探讨了烧结工艺与造孔剂含量对合金组织、孔隙特征和力学性能的影响规律。结果表明,在1300℃烧结可制备出具有典型魏氏体组织、孔隙分布均匀的多孔Ti-10Mo合金材料;随着造孔剂含量增加,合金孔隙率增加,孔径变大孔壁变薄,当造孔剂含量达到50%,孔隙结构互相贯通,孔径尺寸大幅增加;添加50%~60%造孔剂,制备Ti-10Mo合金孔隙率为62.8%~66.9%,平均孔径尺寸为485.6~545.9μm,其弹性模量为2.9~1.3 GPa,抗压屈服强度为129.2~56.1 MPa。 相似文献