全文获取类型
收费全文 | 5827篇 |
免费 | 462篇 |
国内免费 | 290篇 |
专业分类
电工技术 | 396篇 |
综合类 | 324篇 |
化学工业 | 893篇 |
金属工艺 | 331篇 |
机械仪表 | 500篇 |
建筑科学 | 516篇 |
矿业工程 | 236篇 |
能源动力 | 149篇 |
轻工业 | 539篇 |
水利工程 | 218篇 |
石油天然气 | 315篇 |
武器工业 | 73篇 |
无线电 | 683篇 |
一般工业技术 | 400篇 |
冶金工业 | 185篇 |
原子能技术 | 55篇 |
自动化技术 | 766篇 |
出版年
2024年 | 89篇 |
2023年 | 309篇 |
2022年 | 348篇 |
2021年 | 282篇 |
2020年 | 198篇 |
2019年 | 264篇 |
2018年 | 275篇 |
2017年 | 135篇 |
2016年 | 129篇 |
2015年 | 170篇 |
2014年 | 391篇 |
2013年 | 259篇 |
2012年 | 287篇 |
2011年 | 315篇 |
2010年 | 286篇 |
2009年 | 249篇 |
2008年 | 245篇 |
2007年 | 221篇 |
2006年 | 190篇 |
2005年 | 190篇 |
2004年 | 174篇 |
2003年 | 181篇 |
2002年 | 156篇 |
2001年 | 132篇 |
2000年 | 136篇 |
1999年 | 120篇 |
1998年 | 94篇 |
1997年 | 85篇 |
1996年 | 97篇 |
1995年 | 78篇 |
1994年 | 67篇 |
1993年 | 47篇 |
1992年 | 49篇 |
1991年 | 39篇 |
1990年 | 47篇 |
1989年 | 37篇 |
1988年 | 17篇 |
1987年 | 30篇 |
1986年 | 8篇 |
1985年 | 22篇 |
1984年 | 15篇 |
1983年 | 14篇 |
1982年 | 12篇 |
1981年 | 8篇 |
1979年 | 11篇 |
1978年 | 14篇 |
1977年 | 10篇 |
1976年 | 11篇 |
1974年 | 7篇 |
1973年 | 11篇 |
排序方式: 共有6579条查询结果,搜索用时 62 毫秒
21.
22.
23.
全自动平压平模切烫印机主要采用曲柄连杆和双肘杆机构,由这种机构所提供的活动平台运动速度已达8 000次/小时。国内目前的全自动平压平模切烫印机设计还主要处在仿制阶段,所以对该机构特点的系统分析,将对自行设计该类型机器具有一定的指导意义。下面就针对曲柄连杆和双肘杆机构作出介绍。建立如图1、2所示的坐标系。图中:OA、OB为曲柄;AC、BD为连杆;CE、CG、DH、DF为肘杆;M、N为活动平台最高处的两个边缘点;M′、N′为活动平台最低处的两个边缘点;I为与活动平台滑槽进行活动摩擦的滑块的铰链点;i为曲柄旋转角度,即∠B… 相似文献
24.
很多音响发烧友都晓得,国际权威机构IEC早在1978年就公布了关于《声系统设备互连的优选配接》的第一份文件IEC268—15,我国于1985年参照该文件的精神制订并颁布了中华人民共和国国家标准GB9031—88《家用音响设备互连配接要求》;随后,IEC又公布了574—4号文件《系统中设备互连的优选配接值》,我国亦据此制定了国家标准《系统中设备互连的优选配接值》。据悉,IEC正 相似文献
25.
26.
报道了一种采用UHV/CVD锗硅工艺和CMOS工艺流程在SOI衬底上制作的横向叉指状Si0.7Ge0.3/Si p-i-n光电探测器.测试结果表明:其工作波长范围为0.7~1.1μm,在峰值响应波长为0.93μm,响应度为0.38A/W.在3.0V的偏压下,其暗电流小于1nA,寄生电容小于1.0pF,上升时间为2.5ns.其良好的光电特性以及与CMOS工艺的兼容性,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试,在高速光信号探测等应用中有一定的价值. 相似文献
27.
用变角XPS定量分析研究GaAs光电阴极激活工艺 总被引:1,自引:1,他引:0
用变角X射线光电子能谱 (XPS)技术分析了GaAs光电阴极的激活工艺 ,定量计算了阴极表面激活层和界面氧化层的厚度和组成。界面氧化物是由于O原子穿过激活层 ,扩散到GaAs与 (Cs,O)激活层的界面上而形成的。导入过量O会增加O GaAs界面层的厚度 ,而对 (Cs,O)激活层厚度影响较小。在激活过程中 ,严格控制和减少每次导入的O量是减少界面氧化层厚度 ,提高灵敏度的重要途径。在第一步激活后的阴极样品 ,通过较低温度的加热和再激活 ,能获得比第一步高出 30 %的光电灵敏度的原因是较低温度加热减少了界面氧化层的厚度和界面势垒 相似文献
28.
29.
30.