Al基含能薄膜设计及电爆性能研究

为探究不同材料Al基含能薄膜在低能爆炸箔起爆系统中的电爆性能,对Al基含能薄膜的厚度、桥区形状和尺寸进行了仿真设计,优选出最佳桥区形状,在此基础上通过电爆试验及高速摄影对Al/Ni、Al/Ti、Al/Cu、Al/Cu O 4种Al基含能薄膜的电爆性能及发火过程进行了对比研究。结果表明：Al/Ti薄膜综合性能最佳,具有较大的沉积能量、能量利用率和桥区电流密度,同时最佳起爆电压适中、火焰高度较高、持续时间较长;Al/Ni薄膜所需最佳起爆电压最小,但作用能力较差;Al/Cu O薄膜具有最佳作用能力,但所需最佳起爆电压较大;Al/Cu薄膜的电爆性能最不突出。     

单片集成的增强型和耗尽型pHEMT技术

随着射频/微波器件的快速发展及其应用领域的日益扩大,基于半导体单片集成技术的多种器件集成工艺不断发展。研究了一种采用AlGaAs-InGaAs的砷化镓化合物衬底。琥珀酸湿法蚀刻工艺对器件电性能影响较小。将耗尽型和增强型赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic High-Electron-Mobility Transistor, pHEMT)器件集成于同一芯片半导体工艺技术。结果表明,增强型晶体管Y型栅极的线宽为0.25 m,开启电压为0.3 V;耗尽型晶体管栅极的线宽为0.5 m,开启电压为-0.8 V,实现了在同一芯片上集成从负到正的栅极电压分布,为设计者提供了更为宽广的设计平台。这种集成技术可以应用于低噪声放大器、线性天线开关、滤波器以及功率控制装置等领域。     

GaAs基通孔刻蚀的崩边形成机理研究

在砷化镓(GaAs)集成无源器件(Integrated Passive Device, IPD)的制作工艺中,通孔刻蚀是一道重要环节。蚀刻孔边缘的GaAs会被蚀刻,由此引发崩边并对器件性能及可靠性造成不利影响。本文中,用于通孔蚀刻的GaAs厚度不小于200 μm,通孔边缘没有被蚀刻的痕迹,以实现金属导线的平滑连接。采用光阻和金属来充当掩膜,有效解决了单一光阻因厚度过高而变形或者厚度薄导致GaAs衬底被蚀刻的问题。通过优化工艺,在光阻厚度为32 μm、金属掩膜厚度为0.5 μm、金属蚀刻时间为60 s以及感应耦合等离子体(Inductively Couple Plasma, ICP)蚀刻4000 s的条件下,得到了孔深为200 μm且通孔边缘平整的形貌。分析了 GaAs 崩边形成的主要原因与机理,并通过优化工艺解决了200 μm通孔的崩边问题,从而提高了器件性能及可靠性。     

基于向心透平热力设计优化的有机朗肯循环工质选择

以120 k W有机朗肯循环系统中的向心透平设计为目标,基于多种工质进行设计方案的确定,通过热力计算确定各透平的几何尺寸、通流部件进出口气流参数、轮周效率和轴效率,并综合比较各工质透平的热力性能。结果表明,基于R245fa设计的向心透平具有较小的结构尺寸和冲击损失,较高的轮周效率和轴效率,因此确定R245fa为设计时的最佳工质。     

热泵式干衣机的研究

为了减少衣被等纺织用品洗涤后干燥的能耗，设计了一种热泵式干衣机。初步试验表明，这种干衣机脱水效率为2．135kg／kWh是传统的干衣设备2倍以上。     

电子信息安全技术存在的问题及策略

我国社会正在快速发展,信息技术也得到很大发展,电子信息在人们生活中占据越来越重要的地位.但是,电子信息技术也有一些问题,只有更好地去解决这些问题,才能不断地进行信息化建设,从而不断地促进信息技术的发展.在这个过程之中,无论是国家、企业和个人,都应该自觉的促进电子信息安全技术发展.     

视频会议的备份机制与语言接入

当今视频会议系统是IP技术一统天下的时期，随着技术的发展，会议系统日臻完善，语音、视频、数字协同会议已经成为视频会议系统必备的应用属性；然而，无论品质上得到了如何的提高，从体系结构上看，视频会议系统仍然是一个相对封闭的结构。     

基于一种微通道散热器的散热实验研究

微通道散热是近年来发展起来的一种新型散热措施.讨论了一种蜂窝状微通道散热器,并设计了基于该微通道散热器的散热系统.系统实验表明,当17cm2的微通道散热器在系统内流体流量为13.3ml/s时,可带走发热源约233.63W热能,同时微通道散热器工质温度能维持在52℃左右.实验还发现,要充分发挥微通道散热器的优势,散热系统中与环境交换热量的小型换热器的散热能力也非常重要.     

基于虚拟分割机制的多服务交换路由器的研究

本文提出了一处基于虚拟分割机制的可编程多服务器由器实现结构：PVSMR，并对它的三个层面的主要构成及其关键技术进行了深入研究。PVSMR基于一种有效而灵活的资源虚拟分割算法，它能够提供与多类应用相适应的、灵活的报文处理和转发控制能力。