潜油电泵电流卡片中心坐标的确定方法研究

目前现场要处理的潜油电泵的电流卡片图像中有些图像位置布局不规则、有些图像边缘特征模糊、且所占的比例不小,这些现状给确定电流卡片的中心坐标造成很大的障碍,从而影响特征值的获取.由于目前还没有统一的方法来解决这问题,鉴于这种状况,对求取电流卡片中心坐标的方法进行研究讨论,提出了一种方法,并通过实例应用,获得了有意义的结论.     

溢流法水辅注塑中注水参数对水穿透的影响分析

借助外挂有自主研发的注水系统及模具的注塑系统,采用单因素法实验分析了注水压力、注水温度和注水延迟时间等注水参数对水穿透及产品品质的影响规律及机理。研究发现,注水压力越大,试样残余壁厚越薄,内壁面也更加的光亮;低注水压力下,水的穿透容易出现界面不稳定现象,注水压力越高,水的穿透居中性越好;注水温度对试样残余壁厚的影响不明显;注水延迟时间增加,试样残余壁厚增加,且能有效削弱低注水压力下水穿透的界面不稳定现象。     

水辅助注塑气泡与二次穿透的分析

水辅助注塑产品中容易出现气泡缺陷及二次穿透现象。文中通过实验与理论分析相结合的方法揭示了水辅助注塑制件内壁面气泡现象产生的主要根源并不是水的气化,而是注水装置设计或工艺的缺陷导致注水前注水通道中存在空气,注水时空气与水一同注入所致。只需改进注水装置,保证注水时是纯水注入就可避免气泡缺陷的产生。同时采用实验手段分析了二次穿透的产生原因及具体形成过程,并与气体辅助注塑的二次穿透进行了比较。探究了熔体预填充量对二次穿透的影响,可通过精确控制熔体预填充量或在制件末端设置小段类似溢料腔的结构来消除或改善二次穿透。     

P型SnO TFTs制备及其电学性能研究

采用直流磁控溅射结合光刻工艺,在室温下制备了p型SnO薄膜及薄膜晶体管器件。研究了直流磁控制备过程中的关键工艺问题。研究发现预溅射5 min、氧气比例为13%、生长压强为0.96 Pa、200℃退火1.5 h可制备高开关比的p型SnO薄膜晶体管。器件开关比可达到6.2×10³,亚阈值摆幅为9.96 V·dec^-1。通过延长退火时间至2 h,可以大幅提高线性区迁移率至1.61 cm²·V^-1·S^-1,且亚阈值摆幅仅增大了0.54 V·dec^-1。通过延长预溅射时间至8 min,可以大幅提高p型SnO薄膜晶体管的载流子迁移率,器件线性区迁移率为5.25 cm²·V^-1·S^-1,饱和区迁移率为0.43 cm²·V^-1·S^-1。     

型钢悬挑脚手架设计施工问题探讨

针对高层建筑建造中普遍应用的型钢悬挑脚手架设计与施工，分析了型钢悬挑梁的设计计算模型，基于算例结果提出了模型参数的取值标准；建立了U形拉环在混凝土楼板上锚固破坏的三棱柱体模型，给出了锚固承载力的设计计算方法；总结了斜拉钢丝绳在实际工程应用中的缺陷，建议取消斜拉钢丝绳。