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11.
基于TSMC 65 nm CMOS工艺,设计了一款高效率快速响应的全集成KY升压转换器.针对脉宽调制(PWM)轻载效率低,瞬态响应慢的问题,提出了一种带瞬态增强的自适应恒定导通与关断时间的变频控制策略.该策略采用自适应时间控制技术,可根据输入、输出电压和负载电流自动调整计时,优化了输出电压纹波.同时设计了瞬态增强电路,当输出低至限压阈值时,通过延长计时器的充电时间加速系统恢复.此外,还设计了DCM自校准电路,实现了精确的过零关断.仿真结果表明,在输入电压1.5 V,输出电压1.8 V的典型应用下,负载范围为0~120 mA,峰值效率为71.5%.在10 mA轻载下,效率仍有52.4%.当负载电流在110 mA的阶跃高度瞬变时,响应速度分别为2.55 ns/mA和6.18 ns/mA.  相似文献   
12.
提出一种新型的比较器复用结构,实现了用一个比较器对四组电压的比较。其中,脉冲分配器采用新型的机构,在一定频率下与锁存单元相配合,保证了对四组电压分时比较的正确性,并可推广到对N组电压的比较进行控制。与传统使用多个比较器相比,简化了电路结构,降低了电路功耗,而且便于推广应用。并在UMC0.6urn30V BCD工艺库下通过Hspice仿真验证,达到了低功耗的要求,具有很大的应用前景。  相似文献   
13.
目前,智慧城市建设已经成为社会各界关注的热点。为了解决在当前智慧城市建设中信息感知系统的重新组网和重复建设等困难,开发了一款包含多种传感器、中央控制单元、通信单元等功能模块的新型城市路灯,并在此基础上,提出了一种全新的智慧城市信息感知网络建设架构,即以路灯作为信息感知的基础,进而组建城市智能交通系统、智能照明系统、智能安防系统、智能环境检测系统。  相似文献   
14.
系统构建并研究了开关电容积分器DeltaSigma调制器非理想因素行为级模型.重点实现一种运放非线性直流增益模型,仿真表明它更有效反映奇次谐波失真,为保证模型真实性,综合考虑调制器其他非理想因素,如时钟抖动、量化器失配、采样噪声、开关非线性电阻以及运放参数(色化噪声、饱和电压、增益带宽、摆率等).  相似文献   
15.
魏访  邹志革 《计算机工程》2019,45(4):136-141
多数标签所有权转移协议只适用于单个标签的所有权转移,无法实现标签组一次转移。为此,提出一种基于可信第三方的无线射频识别标签组所有权转移协议。在确保新旧所有者与标签进行双向认证基础上,通信消息利用交叉位运算、字合成运算进行加密。在通信消息加密过程中混入随机数,使前后2次通信消息有区别,增大破解难度。可信第三方的参与,使新所有者与标签直接同步更新密钥,不通过原所有者,保证协议的后向安全性。性能分析结果表明,该协议具有较高的安全性和较低的成本。  相似文献   
16.
邹志革  徐博  孙帆  雷鑑铭 《微电子学》2017,47(5):605-608
设计了一种应用于生物电信号采集的前端放大器。采用间接电流反馈技术,提高了放大器的线性度和共模抑制比。采用负反馈环路,消除了采集过程中电极产生的极化电压。采用0.18 μm 混合信号CMOS工艺对电路进行设计,使用Cadence Spectre进行了仿真。结果表明,该电路在3 V供电下消耗的静态电流为4.5 μA,在0.3 Hz~1.3 kHz的增益带宽内增益为37 dB,能够消除50 mV的极化电压,共模抑制比为98 dB (50 Hz工频处),噪声效率因子为11.5。  相似文献   
17.
邹志革  邹雪城  黄峰 《微电子学》2006,36(1):60-65,69
低压、低功耗模拟集成电路设计受到多种因素的制约。围绕这些制约因素,回顾了国内外在模拟集成电路低压、低功耗设计领域的方法和技术的发展现状,主要涉及:轨对轨设计技术、亚阈值工作区技术、阈值电压降低技术、组合晶体管技术、横向BJT技术、SOI技术等。分析并比较了各种设计方法的优劣;并对模拟电路低压低功耗设计技术的发展趋势进行了展望。  相似文献   
18.
无电容型LDO的研究现状与进展   总被引:2,自引:1,他引:2  
无电容型低压差线性稳压器(LDO)除具有低噪声和高精度的特点外,还具有便于SoC系统集成和低应用成本的优点.与传统LDO相比,无电容型LDO无法利用输出电容的ESR补偿零点,也无法使输出电容在负载电流瞬态变化时为其提供充放电电流,从而在稳定性和瞬态特性上遇到巨大挑战.分析讨论了无电容型LDO的设计挑战;回顾了无电容型LDO在提高稳定性和改善瞬态特性上的最新研究成果.  相似文献   
19.
基于分段温度补偿带隙实现的低温漂LDO电路   总被引:1,自引:0,他引:1  
设计一种基于分段温度补偿带隙实现的低温漂LDO电路.将整个温度范围,分成四段,在不同的温度范围下,改变带隙的正温度系数,从而完成对带隙电压的分段补偿,由此得到温度系数很小的带隙基准源,用此带隙基准源作为LDO的参考电压,来实现低温漂的LDO.电路使用0.8um的BCD工艺库模型进行仿真,仿真结果表明,使用分段补偿带隙使LDO的温度系数得到了极大的降低,温度系数从原先未补偿的43.6ppm/℃变为2.4ppm/℃.  相似文献   
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