GaN功率MMIC背面通孔工艺优化及可靠性分析

介绍了改进GaN功率MMIC背面通孔工艺的相关方法,并对通孔进行了可靠性方面的测试与分析。通过优化机械研磨的方法,减薄圆片至75μm左右,保持片内不均匀性在4%以内;利用ICP对基于SiC衬底的GaN功率MMIC进行了背面通孔工艺的优化,减少了孔底的柱状生成物。随后的可靠性测试测得圆片通孔的平均电阻值为6.3 mΩ,平均电感值为17.2 nH;对通孔样品在0.4 A工作电流175°C节温下进行了工作寿命试验,200 h后通孔特性无明显退化。     

最新总线技术在仪器控制与连接方面的应用

引言过去二十多年间,科学家与工程师己在自动化仪器系统中广泛使用IEEE 488和通用接口总线GPIB。当大众化电脑技术进入测试与测量领域,并在连接仪器应用USB、以太网路、IEEE1394等总线技术时,GPIB接口是否能够在将来成为仪器控制总线接口的首选就成了问题。但由于GPIB拥有强大功能与广大的使用者,故GPIB在未来的许多年仍会继续存在。从而,全球范围内仪器控制业己进入混合I/O系统的领域。值此,有必要探讨的新型总线组合使用时仪器系统的未来发展并与GPIB之比较,以及在仪器控制中软件“向上兼容”的重要性。GPIBGPIB是专为仪…     

一种基于Zigbee的无线传感器网络教学实验系统

本文首先简要介绍无线传感器网络的体系结构,然后给出一个基于IEEE802．15．4和Zigbee协议的无线传感器网络教学实验系统。该系统中的多个传感器节点可以组成多种不同的拓扑结构,并可以将采集到的数据通过GSM网络发送到用户终端,用户也可以通过GSM网络对远程传感器节点进行控制。该教学实验系统已被许多院校采用,亦可直接应用于其他领域。     

小鼠胚胎整合素β1受体表达的免疫电镜观察

生殖机理的研究是人类长期关注的重要课题，受精、胚胎着床、生长发育是多因数、多步骤的复杂过程，其分子机理尚不完全清楚。目前认为与激素、细胞免疫、细胞因子、整合素等综合因数有关。目前整合素在细胞黏附、受精、着床、发育生殖过程中的重要作用已经逐步得到人们的肯定。研究整合素表达与胚胎细胞表达的关系，对受孕机理的研究具有重要的临床意义。     

基于梯度的CCSDS压缩码流控制算法研究

为了优化CCSDS压缩标准的率失真特性,提出了一种基于梯度的CCSDS压缩码流控制算法。该算法采用梯度模值来描述图像各编码段的纹理复杂度,进而用模值之和表示各段所包含的信息量。首先计算出各编码段梯度模值之和,并将其相加得到整幅图像的梯度模值之和,根据前者在后者中所占比例,将码流容量分配给各编码段。采用MATLAB对新算法、CCSDS标准算法及Jin算法进行仿真测试,比较三者图像的恢复质量。同时,测试新算法和Jin算法分配码流所需时间,并进行对比。实验结果表明,在图像恢复质量方面,新算法优于CCSDS标准算法,稍逊于Jin算法,但是新算法的实时性比Jin算法好。因此,基于梯度的码流控制算法可应用于CCSDS标准中。     

宽带传输方案SC-FDE系统与OFDM系统的比较

采用ADS仿真软件对OFDM系统和SC-FDE系统进行了仿真实现,对这两个系统的结构和性能进行了对比,分析了两个系统对功率放大器的要求。仿真结果表明,综合这两个系统优点的双模式系统将会是一个技术上更为优越的宽带传输方案。     

多维数据模型及其在关系数据库中的实现

构造数据仓库的关键是多维数据模型的表示,文章介绍了数据仓库中多维数据模型的概念与作用,并给出了在关系数据库中实现多维数据模型的方法。     

最佳接收实验系统及其DSP开发平台的设计与实现

针对现有通信教学实验设备相对陈旧和参与性不强的缺点,提出了一种基于DSP平台实现的最佳接收实验系统,给出了它的软硬件设计和实现,讨论了实验系统设计与开发中所采用的关键技术。实验系统体现了通信与计算机技术的紧密结合、软件与硬件的紧密结合,能够让学生全面参与,激发学生的学习兴趣,加深学生对理论知识的理解,不仅适于教学实验,而且也可以拓展为研究和开发的平台。     

LED智能照明控制系统的设计

给出了基于μLPD78F0034LED智能照明控制系统的硬件设计和恒流驱动电路、软件设计。通过理论分析,提出了合理的稳压电源、连接方式、灯体结构的设计方法,解决了LED的驱动电源、连接方式和散热三个问题。试安装一年结果表明,照明效果稳定,节能超过50％。     

碲锌镉晶体化学机械抛光液的研究

本文以硅溶胶为磨料颗粒、次氯酸钠(NaClO)为氧化剂制备适用于CZT晶片的化学机械抛光液.采用XPS能谱分析CZT表面元素化学态,研究CZT化学机械抛光过程中抛光液的化学作用机理,使用激光干涉仪、原子力显微镜研究抛光液中NaClO含量对晶片抛光速率、晶片表面PV值及表面粗糙度Ra的影响.结果表明,硅溶胶-次氯酸钠抛光液通过与CZT晶体中Te单质或CdTe发生化学反应,生成TeO2.随后在一定压力下,抛光盘与CZT晶片发生相对运动,并在硅溶胶磨料颗粒的辅助作用下去除反应物.当NaClO含量在2％～10％时,随着NaClO含量的增加,晶片表面PV值和粗糙度Ra值先降低后升高,去除速率则随着NaClO含量的增加而增加.NaClO含量为6％时,PV值和Ra值最低,得到的晶片表面质量最好.