快速热处理对PECVD氮化硅薄膜性能的影响

利用PECVD在硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,将沉积膜后的样品放在N2气氛中进行快速热处理(RTP),研究了不同快速热处理对PECVD氮化硅薄膜件能的影响.采用原子力显微镜(AFM)检测薄膜的表面形貌,利用椭圆偏振仪测量样品膜厚和折射率,利用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测鼋样品的少子寿命.实验结果表明随着RTP温度的升高,薄膜厚度迅速减小,折射率迅速增大;低于500℃热处理时,少子寿命基本不变;高于500℃热处理时,随着温度的升高,少子寿命急剧下降.氮化硅薄膜经热处理后反射率基本不变.     

CATV网上实现综合业务

本文就CATV网上综合业务的功能及技术体制进行了简述。给出了以ATM技术为主的CATV综合业务平台构成方案。并对综合业务平台的建立提出了一些建议。     

Compton散射下的3阶色散对超短光孤子脉冲自频移的影响

应用多光子非线性Compton散射模型,对Compton散射下的3阶色散对超短光孤子脉冲自频移的影响进行了研究,通过理论分析、数值模拟和拟合,结果表明,Compton散射使3阶色散对孤子自频移有较强的抑制作用,在时域中引起孤子脉冲的调制振荡结构更为明显,频域中的频谱被分为两个较清晰的、峰值较高的谱峰,孤子自频移 ,但其斜率不同于散射前的斜率。     

半户外液晶显示用高亮直下式LED背光设计

开发了一款用于半户外液晶显示的117cm(46in)直下式背光结构,采用中功率、高显色指数的LED光源,在不使用发散透镜的情况下,使得光源阵列的混光距离在25mm以内,中心亮度可达到20 000cd/m2以上。通过对LED阵列的光学以及驱动和散热设计,实现了一种具有高亮度、高显色画质、散热好、低成本的直下式背光源的方案设计,为户外和半户外液晶展示屏应用提供了支持。     

炮兵弹药动态消耗规律

应用系统动力学方法建立了基于兰切斯特平方律方程的弹药消耗SD模型,为了宏观认识炮兵弹药消耗规律,选用不同策略对模型参数进行了调整,并在Vensim平台上进行了仿真实验,得出了弹药消耗随兵力、损耗系数变化的关系和规律。实践证明,该方法研究弹药消耗规律,实用性强、可行性好,能够为指挥员科学决策提供有力的方法支撑。     

基于二次模糊综合评判的集群目标毁伤效果评估

以点目标的毁伤评估为基础,提出百分比矩阵的概念,同时采用二级模糊综合评判模型,实现对同一性质的集群目标毁伤效果评估。     

某低空低速飞行器气动特性计算

为研究不同弹头和尾翼形状对飞行器阻力大小和稳定性的影响,用CFD数值模拟方法,采用完全结构化网格,以三维N-S方程为出发方程,采用S-A-方程湍流模型,对6种不同弹头尾翼形状及尾翼片数和厚度的某低空飞行器的气动外形进行数值模拟,并对计算结果进行了比较分析.结果表明,采用卡门曲线的战斗部气动外形和合适尺寸的梯形尾翼对该飞行装置减小阻力和提高静稳定性有利,可为外形优化设计提供依据.     

雪崩管最佳倍增因子线性化温控技术研究

为了进一步增强机载激光测距机在全温范围内的环境适应性,分析了温度与探测器模块输出功率信噪比的关系,推导了最佳倍增因子与温度的方程式,阐述了温度变化引起倍增因子对最佳雪崩倍增因子偏离的原因。根据雪崩管探测器雪崩击穿电压的线性温度特性,设计了机载温度范围为-55℃~70℃的基于自然对数法的最佳倍增因子雪崩偏压线性化温控电路,用于补偿因温度变化所引起的倍增因子对最佳雪崩倍增因子的偏离。结果表明,实测雪崩偏压温控系数为2.29V/℃,与理论分析值误差仅为4%。该技术用于新型机载激光测距系统中,获得了良好的试验数据,满足机载环境的特殊需求。     

快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响

对重掺As硅片进行快速热处理，发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系. 随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长，氧沉淀的密度增大. 最后对影响的机理进行了讨论.     

Compton散射对磁化等离子体调制不稳定性的影响

基于多光子非线性Compton散射模型,研究了多光子非线性Compton散射对激光在磁化等离子体中调制不稳定性的影响.将入射光和多光子非线性Compton散射光作为形成调制不稳定性的新机制,对非线性色散方程和控制方程进行了修正,给出了由入射光和多光子非线性Compton散射光形成的耦合左旋椭圆偏振光调制不稳定性的时间增...