Nd3+离子掺杂YAG激光透明陶瓷的光谱性质及Judd-Ofelt理论分析

采用固相反应和真空烧结技术制备了掺杂浓度为1.0at%的Nd:YAG透明陶瓷样品,并测试了样品的吸收光谱和荧光光谱.样品在主吸收峰808nm处的吸收截面为3.10×10-20cm2,主荧光发射峰位于1064nm处,实测荧光寿命为257μS.应用Judd-Ofelt理论计算了Nd3 在YAG中的强度参数Ωλ(λ=2,4,6),跃迁的振子强度、自发辐射跃迁几率、辐射寿命、荧光分支比等光谱参数.最后计算得到Nd:YAG透明陶瓷中Nd3 :4F3/2→I11/2跃迁对应的受激发射截面大小为3.81×10-19cm2.结果表明: Nd:YAG透明陶瓷具有较大的受激发射截面和高的荧光量子效率(接近100%),是一种性能优良的激光材料.     

水基流延成型制备复合结构YAG透明陶瓷

以商品氧化钇和氧化铝粉体为原料,采用水基流延成型技术结合真空烧结工艺制备了复合结构YAG透明陶瓷。使用流变曲线表征了料浆的性能,用扫描电镜观察流延膜和坯体的微观形貌,用电子探针分析陶瓷的表面特征,用分光光度计测试陶瓷的光透过率曲线。实验结果表明,最佳的分散剂是聚丙烯酸,其最佳用量是1.0%(质量分数,下同),粘结剂聚乙烯醇-124的合理用量是10%,塑化剂聚乙二醇-400的合理用量是10%～12%。流延膜和坯体结构致密,YAG复合结构陶瓷在可见光和近红外光波段的直线光透过率达到80%。     

氧化物热电材料的研究现状与应用

介绍了氧化物热电材料的研究背景和特点,分析了几种典型氧化物材料的晶体结构及热电特性,综述了该类材料在温差发电和气体传感器方面的应用,最后提出了提高热电优值的途径和今后的发展方向。     

放电等离子快速烧结纳米3Y-TZP材

本文采用放电等离子烧结技术（ＳＰＳ）快速烧结结纳米３Ｙ－ＴＺＰ材料,利用ＳＰＳ技术快速烧结,可制备出完整、致密的３Ｙ－ＴＺＰ材料,在烧结温度为１３００℃,保温３ｍｉｎ条件下,相对密度达９８．２％,晶粒仅１００￣１３０ｎｍ,研究发现,材料的密度随烧结温度的变化趋势与一般快速烧结有明显区别;材料的晶粒随烧结温度的提高而长大,但长大幅度小于其他一些烧结方法所得的３Ｙ－ＴＺＰ材料,本研究对这些现象进行了理     

pH值对BaTiO3纳米粉体性能的影响

本文研究了溶胶－凝胶过程中不同ｐＨ值条件下制得钛酸钠纳米粉的性能,从双电层理论及反应机理分析讨论了ｐＨ值对胶体的形成及团聚状态的影响,得到了反应的优化条件（溶液的ｐＨ值应控制在８以上）,制得粒径小,颗粒分布均匀,少团聚的ＢａＴｉＯ３ｘdisplay status     

醇-水溶液加热法制备纳米氧化锆粉体

本研究采用了一种新颖的粉体制备方法-醇-水溶液加热法来制备纳米ZrO₂（Y₂O₃）粉体．实验结果表明：通过选择适当的条件,该方法可制得粒径小、团聚少的纳米ZrO₂（Y₂O₃）粉体．与通常的共沉淀法相比。该方法制得的粉体因形成一种“包裹”结构,使得单斜相含量随煅烧温度的升高而减少,从而更有利于烧结．     

Mg－PSZ中二种析出相的初步研究

本文采用了较简便的烧成工艺制度制备Ｍｇ－ＰＳＺ材料．用ＴＥＭ对这种Ｍｇ－ＰＳＺ材料中的析出相进行了观察，对析出相的结构进行了初步的研究，发现了其中的二种未知析出相Ｘ１相和Ｘ２相．Ｘ１相具有简单四方结构，点阵常数约为ａ＝１．４４８ｎｍｃ＝２．１００ｎｍ．Ｘ２相也具有简单四方结构，点阵常数约为ａ＝１．４４０ｎｍ，ｃ＝４．０７２ｎｍ．     

分散剂用量对几种纳米氧化锆粉体尺寸表征的影响

本文研究了三种不同来源的纳米氧化锆粉体在尺寸表征中的影响因素．其中,加入的分散剂用量不同,测得的粉体颗粒尺寸有很大差别,不足或过量的分散剂影响粉体的颗粒尺寸分布．这种影响是通过改变粉体表面的电荷分布来实现的．超声时间长短是影响粉体尺寸表征的另一个重要因素．     

温和条件下介孔分子筛MCM-41的修饰与表征

在温和条件下,以３－氨丙基三乙氧基硅烷为偶联剂,修饰介孔分子筛 ＭＣＭ－４１（Ｓｉ／Ａｌ＝３５）,成功地将有机官能团引入到介孔分子筛孔道中,制备了一种无机一有机复合材料ＭＣＭ－（ＣＨ_２）_３ＮＨ_２,以 ＸＲＤ、ＦＴＩＲ、ＤＴＡ－ＴＧＡ、 Ｎ_２吸附－脱附和 ＨＲＥＭ表征了复合材料;结果表明：有机基团－（ＣＨ_２）_３ＮＨ_２不仅进人孔道、修饰了ＭＣＭ－４１的孔壁,而且使介孔分子筛ＭＣＭ－４１保持了有序的孔道结构．     

SiO_2－Si_3N_4天线窗材料的介电性能研究

研究了Ｓｉ_３Ｎ_４含量和相对密度对Ｓｉ_３Ｎ_４颗粒增强ＳｉＯ_２基复合材料的介电性能的影响。结果表明：在Ｓｉ_３Ｎ_４含量相同时，随着相对密度的增大，复合材料的介电常数增大，介电损耗减少；在一定的相对密度下，复合材料的介电常数和介电损耗随Ｓｉ_３Ｎ_４含量的增加而增大。