准晶与电子显微学-略述我的研究经历

一、开场白 1993年对我来说可能将是一个值得纪念的一年.首先我出任亚太电子显微学会联合会主席、任期四年.其次,我们的准晶研究得到国际学术界的承认,被邀请在八月下旬在北京召开的第16届国际晶体学大会作准晶特邀报告.还将主持八月底在承德召开的国际准晶学术讨论会.     

材料的意志与建筑的本质

材料是建筑的物质基础,不同的材料有不同的物理及视觉性质,建筑形式应该是适应和表现材料的结果。首先,建筑的形式要满足结构作用力的传递,这种为传递各种荷载而形成的结构受力关系又必须与结构材料的力学性质相符合。另外,建筑材料的存在形式与反映一个时代生产力发展水平的构件制作和施工方式密切相关。并且,通过与建筑材料在形体造型和表面特征方面性质相适应的形式化表现,才能使建筑最终上升到艺术层面。     

开放式折弯机数控系统设计

介绍了开放式数控系统体系结构的概念.针对折弯机数控系统的国内外发展现状,以先进的复杂可编程逻辑器件CPLD为核心,结合 PC104模块,构成完整的嵌入式折弯机数控系统.该系统能够显著提高折弯机的运行速度,简化系统结构,从而使数控系统的安装和维护较为方便.     

铝合金板温成形过程中拉深筋处摩擦的测量

在温成形过程中铝合金板与模具表面的接触和摩擦行为十分复杂,不同的接触区域摩擦状况不尽相同.分析了板料成形中摩擦测量的国内外发展状况,采用自行设计的新型摩擦测量装置完成了铝合金板温成形过程中拉深筋处摩擦系数的测量.该测量装置的特点是可以模拟板料的真实变形过程,采用楔形铝合金板试件,通过楔形槽产生周向挤压,来模拟法兰区板料成形时的增厚趋势,添加了加温和温控装置来模拟温成形时的温度环境,从而获得更为准确的测量结果.     

基于RGF改进显著性检测与SCM相结合的图像融合

针对传统显著性检测融合方法中目标对比度低,纹理细节不够丰富的问题,提出了一种基于滚动导向滤波(RGF)改进显著性检测与脉冲发放皮层模型(SCM)相结合的可见光与红外图像融合算法。该算法先将源图像经过非下采样剪切波变换(NSST)分解成低频部分和高频部分,然后利用RGF小尺度消除、大尺度边缘恢复特性对Frequency Tuned算法进行改进并提取出红外图像显著图。再使用显著图投影区域指导法融合低频部分,同时采用SCM结合区域能量与改进的拉普拉斯能量和融合高频部分,最后使用逆变换重建图像。仿真结果表明,该算法能在突出显著目标的同时保留丰富的细节信息,在质量指标如标准差、互信息、边缘保留因子等方面均优于对比方法。     

计及碳市场和绿证市场的配电网投资效益动态评估

随着碳排放权交易机制和绿证交易机制的持续完善,配电网投资效益评估需综合考虑电力市场与碳市场及绿证市场间的交互影响。建立电-碳-绿证市场协同运营架构,剖析碳市场、绿证市场对配电网投资决策的因果反馈关系。从发购电、碳排放权交易、绿证交易、可再生能源消纳责任权重和投资效益5个层面搭建系统动力学子模块,提出计及碳市场和绿证市场耦合关系的配电网投资效益动态评估模型。算例仿真结果表明,所提模型在提高配电网投资效益的同时可减少碳排放以及提高可再生能源消纳责任权重。     

棒材生产线的智能化改造与探索

棒材企业通过学习先进技术和进行技术交流,形成了建设智能化生产线的共识,然而棒材生产线目前存在数据采集效率低、物料跟踪难、质量管控弱、成品质量差、库区混乱、成本居高等问题.通过增加钢坯表面检测、钢坯无头焊接、控轧控冷、自动测径、高速冷床、精整系统改造、工业机器人、无人天车改造、库管系统等关键技术,把这些创新技术有机贯穿起...     

相位转换平面的吸波原理分析及应用

常规的雷达吸波材料吸收来自入射到表面的电磁能量并将其转换为热能,本文介绍了一种新型的雷达吸波结构-相位转换平面,采用传输线理论分析了单层和多层相位转换平面结构的工作原理,并给出了不同类型的相位转换平面的频响特性,研究发现多层相位转换平面较单层相位转换平面在更宽的频带范围可以实现反射零点的动态控制,该型结构对于设计频率捷变的雷达吸波材料有重要的参考价值.     

PDSOI 静态随机存储器的总剂量辐照加固

对PDSOI CMOS 器件及电路进行总剂量辐照的加固势必会引起其性能下降,这就需要在器件及电路加固和其性能之间进行折中.从工艺集成的角度,对PDSOI CMOS器件和电路的总剂量辐照敏感区域:正栅氧化层、场区氧化层及埋氧层提出了折中的方法.采用此种方法研制了抗总剂量辐照PDSOI SRAM ,进行总剂量为2×105 rad(Si)的辐照后SRAM的各项功能测试均通过,静态电流的变化满足设计要求,取数时间:辐照前为26.3 ns;辐照后仅为26.7 ns.     

PDSOI CMOS SRAM单元临界电荷的确定

PDSOI CMOS SRAM单元的临界电荷(Critical Charge)是判断SRAM单元发生单粒子翻转效应的依据.利用针对1.2μm抗辐照工艺提取的PDSOI MOSFET模型参数,通过HSPICE对SRAM 6T存储单元的临界电荷进行了模拟,指出了电源电压及SOI MOEFET寄生三极管静态增益β对存储单元临界电荷的影响,并提出了在对PDSOI CMOS SRAM进行单粒子辐照实验中,电源电压的最恶劣偏置状态应为电路的最高工作电压.