X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比

采用X射线三轴晶衍射法,根据As间隙原子对作为过量As在GaAs单晶材料中存在的主要形式的模型,可以无损、高精度测量半绝缘GaAs单晶的化学配比.并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系,对于制备高质量GaAs单晶及其光电器件具有重要的意义.     

硅基AlN薄膜制备技术与测试分析

采用直流磁控反应溅射法,在Si(100),Al/Si(100)和Pt/Ti/Si(100)等多种衬底上制备了用于MEMS器件的AlN薄膜.用XRD和AES对薄膜的结构和组分进行了分析,通过优化工艺参数,得到了提高薄膜择优取向的方法,并分析了不同衬底上AlN晶粒生长的有关机理.制备的AlN薄膜显示出良好的〈002〉择优取向性,摇摆曲线的半高宽达到5.6°.     

X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比

采用X射线三轴晶衍射法,根据As间隙原子对作为过量As在GaAs单晶材料中存在的主要形式的模型,可以无损、高精度测量半绝缘GaAs单晶的化学配比.并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系,对于制备高质量GaAs单晶及其光电器件具有重要的意义.     

公开密钥基础设施及其信任模型

本文在简单介绍PKI（Public Key Infrastructure,公共密钥基础设施）系统的基础上,重点分析了几种流行的PKI信任模型,指出了它们的优缺点,并提出了自己的观点。     

硅基铁电薄膜的电性能研究

以 Sol- Gel方法制备了有 Pb Ti O3 (PT)过渡层的硅基 Pb(Zr0 .53 Ti0 .47) O3 (PZT)铁电薄膜 ,底电极分别为低阻硅和硅衬底上溅射的金属钛铂。测试了铁电薄膜的电性能 ,比较了两种衬底电极对铁电薄膜性能的影响及各自的优势     

浅议解决超概算顽症的对策

超概算是上前基建战线普遍存在的问题,它严重地影响基本建设的正常进行。要解决超概算问题,必须转变观念;在概算编制要打足投资,不留缺口,并留有适当的余地;在工程设计中实行限额设计;在建设过程中加强管理,严格控制造价。     

掺杂InGaAs／InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究

利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs／InAlAs单量子阱中二维电子气，发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置，得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为4meV。此外，通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系。     

高活性乙苯脱氢催化剂在苯乙烯装置的工业试应用

在中国石油抚顺石化公司60 kt/a苯乙烯装置中,以乙苯为原料,使用YFCT-01催化剂替代原有的FSGSYE-01催化剂,采用乙苯负压绝热脱氢工艺生产苯乙烯。结果表明:在工艺流程、乙苯组成和操作条件基本不变的条件下,使用YFCT-01催化剂的反应温度和反应压力均低于FSGSYE-01催化剂;在前者装填量较后者减少12 t的情况下,其乙苯转化率、苯乙烯选择性和收率均略高于后者;当前者试运行1个生产周期后,累计节约成本达到1 010.16万元。     

战斧巡航导弹用作遥控飞行器

叙述了战斧巡航导弹用作遥控飞行器情况：战斧ＲＰＶ的发射，回收和再次飞行准备。介绍了战斧ＲＰＶ可完成的电子战，侦察和投放子弹药任务。     

生产测井流体参数换算

生产测井解释、油藏动态分析以及开发地质研究经常使用以实验数据作出的实验相关曲线去估算储层流体参数。这类换算图版都有各自的使用范围,受到一定的限制。本文旨在考察这些相关曲线的意义、来源和适用性,分析建立以相关特性为基础的解析关系式,并编制出流体参数换算程序,以便准确地使用这些相关曲线。用小型计算机或微处理机能快速简便地求出井内任意条件下的流体参数值。文中还对有关参数换算关系的可靠性进行了检验,结果表明具有较高的计算精度。