磁控溅射制备Ga2O3/ITO深紫外透明导电膜的光电性能

采用磁控溅射方法在石英玻璃基底上制备了Ga2O3/ITO膜,用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪对ITO膜和 Ga2O3/ITO膜的光学透过率和面电阻进行了表征,详细研究了ITO层和Ga2O3层的厚度对Ga2O3/ITO双层膜光电性能的影响。研究表明,Ga2O3(50nm) /ITO(23nm)膜在280nm处的深紫外光学透过率高达77.6%,面电阻为323Ω/sq;ITO层控制Ga2O3/ITO膜的面电阻,影响Ga2O3/ITO膜的紫外透过率;Ga2O3层厚度调控Ga2O3/ITO膜的紫外区域的光谱形状。     

基于TRIZ创新方法的液压机起吊工艺系统优化

液压机部件起吊工艺系统可实现对压机部件的起吊、翻身、运输。部件立面吊耳用于立吊运输、装配;侧面吊耳用于翻身。侧面吊耳按规定在加工车间割除,但是由于部件的装配复杂性,有时需翻身,若使用立面吊耳翻身会损坏卸扣,容易造成吊装事故。为此,对起吊工艺系统进行分析并提出解决方案。     

新型微机械变形反射镜研究

提出一种新型的静电驱动微机械变形反射镜，研究了静电力驱动的静态模型和动态模型。结果表明，驱动器的变形位移随驱动电压的增加出现稳定的非线性增加和不稳定的“拉入”现象；当变形镜由余弦电压驱动时，平衡位移的响应为2倍频的余弦信号；变形镜驱动电压撤除后驱动器上电极薄板经过17μs回复到驱动前的未变形状态。所得结果对于设计微机械变形镜具有重要意义。     

带膜微通道板的探测效率

本文介绍了微通道板离子阻挡膜在成像器件中的作用，测量了带膜微通道板的探测效率。实验发现，带膜微通道板的探测不是膜厚的单调函数。最后，从理论上对带膜通道板的探测进行了半定量分析。     

国内拱坝的建设及发展

拱坝是水利水电工程中最重要的坝型之一。近年来,拱坝得到迅速发展,受到国内外水利水电工作者的高度重视。介绍了拱坝的建设特点、应用现状、拱坝体型、拱坝泄洪、拱坝施工等,简要介绍中国拱坝的建设与发展情况。     

N掺杂位置对四方相PbTiO_3电子结构和光学性能的影响

用第一性原理计算了N掺杂四方相钛酸铅的结构参数、形成焓、电子结构和光吸收,研究了N掺杂位置对钛酸铅性能的影响。N掺杂钛酸铅是典型的p型半导体,杂质能级主要由N 2p态贡献。N替位O(1)位置与N替位O(2)位置钛酸铅的形成焓差值很小。N替位O(1)位置钛酸铅在价带顶出现两条交互的杂质能级,N替位O(2)位置的钛酸铅在价带顶出现两条分离的杂质能级。N替位O(1)位置的钛酸铅的相对空穴数是1.729,N替位O(2)位置的钛酸铅相对空穴数为1.327。与N替位O(1)位置钛酸铅相比,N替位O(2)位置钛酸铅在300nm到1400nm区域光吸收强度明显增强。     

衬底温度对ITO/Ga2O3深紫外透明导电薄膜性能的影响

用磁控溅射的方法在石英玻璃上制备了ITO/Ga₂O₃双层膜。用X射线衍射仪、扫描电镜、双光束分光光度计和霍尔效应测试仪研究了衬底温度对ITO/Ga₂O₃双层膜的结构、表面形貌、光学性能和电学性能的影响。双层膜结构受衬底温度的影响,当衬底温度从100C 升高到 350C时,薄膜的电阻率由6.71′10^-3 Ω.cm 降到 1.91′10^-3 Ω.cm。衬底温度300C制备的ITO(22nm)/Ga₂O₃(50nm)双层膜的面电阻为373.3Ω,在300nm波长的深紫外透过率为78.97%。     

ZnO/Ag/ZnO多层膜的制备和性质研究

采用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶和直流磁控溅射Ag靶的方法制备了ZnO/Ag/ZnO多层膜。用X射线衍射仪、紫外–可见分光光度计、四探针测试仪和金相显微镜对ZnO/Ag/ZnO薄膜的结构、光学透过率、方阻和稳定性进行了研究。结果表明,ZnO(60nm)/Ag/(10nm)/ZnO(60nm)薄膜呈现多晶结构,薄膜在520nm处的光学透过率高达87.5%,方阻Rs为6.2Ω/□。随着顶层ZnO薄膜厚度的增加,ZnO/Ag/ZnO薄膜的稳定性提高。     

微机械连续薄膜变形反射镜

建立了微机械连续薄膜变形反射镜的静电力驱动理论模型,推导出微机械连续薄膜变形反射镜的变形位移和驱动电压的关系表达式,利用该公式、静电力表达式和弹性支撑的回复力分析了变形镜的稳定工作驱动、不稳定工作驱动和最大变形位移,讨论了变形镜的结构参数对变形位移的影响.所得结果对于设计微机械连续薄膜变形反射镜具有重要意义.     

Structural and optical properties of Zn-doped β-Ga_2O_3 films

正Intrinsicβ-Ga_2O_3 and Zn-dopedβ-Ga_2O_3 films were prepared using RF magnetron sputtering.The effects of the Zn doping and thermal annealing on the structural and optical properties are investigated.In comparison with the intrinsicβ-Ga_2O_3 films,the microstructure,optical transmittance,optical absorption,optical energy gap,and photoluminescence of Zn-dopedβ-Ga_2O_3 films change significantly.The post-annealedβ-Ga_2O_3 films are polycrystalline.After Zn doping,the crystallization deteriorates,the optical band gap shrinks,the transmittance decreases and the UV,blue,and green emission bands are enhanced.