真空断路器铜铬触头材料中铬含量对开断能力的影响

我们研究了铜铬触头材料中铬含量从12．5％～75％（重量比）的范围内变化对电流开断能力以及电弧形态、阳极熔化时间和电流开断后的触头侵蚀的影响。结果表明，在上述的铬含量变化范围内，铬含量越低，电流开盼能力越高。当铬含量减少后，电弧聚集时间和电流开断后的阳极熔化时间都缩短，但是铜铬触头的侵蚀量变大。根据这一结果，可以看出真空断路器中铜铬触头材料中存在一个钻的最优含量。     

固态开关串联的高压重频脉冲电源

随着脉冲功率技术在生物医疗、食品加工、电磁成形、等离子体研究等领域日益广泛而深入的应用，脉冲发生器的研制面临高压高频化、全固态化等新要求。为了满足这种新要求，设计了一种固态开关串联的高压重频脉冲电源。脉冲电源主要由高频触发电路、主电路以及LCL谐振电路组成：主电路为8级Marx电路串联，MOSFETs作为充放电控制开关；触发电路输出触发信号驱动MOSFETs工作；LCL谐振电路可实现输出电流恒定。电源结构触发同步性好，充电速度快，结构紧凑。对电路的结构设计、电路原理、参数设置进行了详细阐述，并利用Simplorer软件仿真验证高压重频脉冲电源电路的可行性。最后搭建了一台高压重频脉冲电源样机，实验样机参数为脉冲电压0～4 kV,重复频率0～8 kHz可调，脉冲宽度5～12μs可调。     

机械冲击导致真空断路器的延时放电

用真空灭室装成的刘压真空断路器在成功地武断短路电流洋会出现延时放电现象（重燃）。测试了真空断咱器在大电流开断后，延时放电的时间和作用在真空断路器外壳上的机械就力及电应力的函数关系。我们发现了强烈的冲击式的峰值大于１０＾４ｍ／ｓ＾２的加速 延时放电几率的增长之间的相互关系。采用简单的机械缓冲装置降低机械冲击的动幅值后，结果使得延时放射率下降了５０％，因此，我们可以判定，在这些试验以的大多数延时放电是     

真空间隙的直流脉冲长延时击穿

就高压真空绝缘来说，导致真空电击穿的过程尤其是在大触头开距和长延时情形下的击穿过程，到目的为止尚有诸多不明了的地方。近期的测量结果表明，机械冲击是导致间隙击穿的原因。击穿几年在原始触头条件下最高，而在经过大电流燃弧后有所降低。非金属杂质和遥机杂质在击穿过程中起着重要作用。与可式真空灭弧室相比，商用真空灭弧室没有对机械冲击表现出任何敏感性。除了击穿几率与延时之外，我们也对击穿过程中的暂态电压和电流进     

混合式直流断路器快速机械开关特性研究及应用

国家大型风电、光伏等“绿色、低碳”新型清洁能源的并网消纳,迫切需要柔性直流输电新技术及新设备的开发研究。依托张北柔性直流电网试验示范工程,系统研究了混合式直流断路器的核心设备——快速机械开关。基于混合式直流断路器的工作原理及快速机械开关的性能要求,提出了多断口真空开关串联均压的高电压大电流快速机械开关实现方案;通过对快速机械开关分闸动态特性的有限元仿真计算,表明快速机械开关能够在2 ms内运动到耐受暂态开断电压绝缘距离;并通过电气性能试验对仿真计算结果进行了验证。研制成功的高电压大电流快速机械开关已投入张北柔性直流电网试验示范工程实际应用。     

远程荧光粉与芯片的间距对白光LED性能的影响

荧光粉转换白光LED具有高能效、低成本、长寿命等优势，广泛应用于照明领域，提高荧光粉转换白光LED的光效一直是该领域的研究热点。为了对白光LED的高性能封装进行设计优化和制备，采用模拟仿真以及实验测试相结合的方式，对LED芯片封装进行研究分析，采用了特制支架和双芯片封装，提高灯珠光效，在此基础上，改进了荧光粉涂覆工艺，提高了荧光粉激发效率，整体提高LED光效约6%，且研究了远程荧光粉与芯片的距离变化时LED的光效变化。