从产品分析看苏鲁豫皖与四川浓香型白酒的差异

浓香型白酒作为中国白酒生产消费的主流,经过多年的发展,形成了"川派"和"苏鲁豫皖派".因地域、气候及酿造工艺的不同,使得川酒与苏鲁豫皖白酒在口感及色谱骨架成分上各有特色.分析了两个派别的白酒在主要微量成分及口感品尝上的异同点.     

夏热冬暖地区中小学能耗数据分析

通过对夏热冬暖地区156所中小学校3个年度的能源和水资源消耗数据调查分析,得到了该地区中小学校能耗和水耗的组成和变化规律;对该地区职业高中、高级中学、初级中学及小学四类学校的能源和水资源消耗数据进行了分析研究,得出了该地区四类学校能源消耗水平参考值分别为46.46 kgce/(年·人)、71.14 kgce/(年·人)、33.06 kgce/(年·人)及13.07 kgce/(年·人),水资源消耗水平参考值分别为34.55 m3/(年·人)、57.55 m3/(年·人)、22.65 m3/(年·人)及10.80 m3/(年·人),为该地区中小学节约型校园建设提供数据支撑;根据能源和水资源消耗水平参考值,采用分级定额分析方法分析了各所学校的节能潜力和用能合理性,并得出其能源和水资源消耗水平,为该地区中小学节约型校园建设的宏观政策制定提供数据支撑,避免建设过程中社会资源低效利用。     

基于围岩变形监测的深部软岩巷道围岩稳定性评价系统研究

针对深部软岩巷道大变形的特点,提出了分别采用弹塑性理论和有限元数值计算2种手段的基于围岩变形监测数据的稳定性评价方法,并研究开发了软岩巷道变形监测分析系统,包括用户系统、监测数据库系统、巷道变形警戒值确定系统、围岩稳定性评价系统。该系统在河南磴槽煤矿成功应用,为深部软岩巷道围岩稳定性的及时准确评价提供了便利。     

深井上下覆开采软岩巷道围岩稳定机理与控制技术研究

采用大型有限元软件ABAQUS,研究了河南省登封市磴槽煤矿十平巷在上下覆煤层采动影响下围岩稳定性问题,分别建立了不同条件下的数值计算模型,对深井上下覆开采软岩巷道的围岩稳定性进行了较为全面地、系统地数值模拟研究,并根据工程特点和现代支护技术,提出了初次锚喷和二次锚注相结合的联合支护技术方案,通过分析模拟结果,并结合现场长期监测巷道围岩收敛结果,得到了巷道开挖和上下覆煤层开采后的应力变化规律、塑性区范围的扩展规律以及支护前后的位移场的变化规律。     

Si基Ge外延薄膜材料发光性能研究进展

理论和实验研究表明,在一定的应变和掺杂浓度下,Si基外延Ge薄膜能实现1.55μm光通信波段的直接带隙发光。讨论了Si基外延Ge材料的生长技术及其能带结构,结合本小组近年来在该领域所取得的成果,介绍了国内外各研究机构对Ge薄膜发光材料和器件的研究进展,展望了未来的发展趋势。     

衬底温度对低温制备纳米晶硅薄膜的影响

采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压130Pa和较高的射频功率70W下,在＞100℃的低温下,以0.14nm/s速率制备出优质的纳米晶硅薄膜.研究结果表明,薄膜晶化率和沉积速率与衬底温度有密切关系.当衬底温度＞100℃,薄膜由非晶相向晶相转化,随着衬底温度的进一步升高,薄膜晶化率增大,当温度为300℃时,薄膜的晶化率达82%,暗电导率为10-4·cm-1数量级,激活能为0.31eV.当薄膜晶化后,沉积速率随衬底温度升高而略有增加.     

武汉云雾山风能资源定量评价及开发建议

正风能作为一种清洁的可再生能源,对于能源缺乏而又面临重大环保压力的中国经济,意义重大。根据"十二五"风电规划,我国风电并网装机容量到2015年将达到1亿kW以上,发电量达到1900亿kW·h。通常风电场的开发主要考虑三方面因素:风能资源、交通运输、并网条件,而风能资源评价是风电场是否具有开发价值的重要依据,并且风能资源评价对风电场的验收、运行管理及后评估都有着重要意义。     

深井活塞泵启动方法的研究

针对深井活塞泵在高扬程光伏扬水系统中的应用,结合直流无刷电动机的运行特性,提出了一种改进型无位置传感器3段式启动方法:短脉冲响应检测转子位置的初始启动→定子电流斜率阈值判断换向加速→反电动势过零点检测闭环控制加速。用新开发的逆变器样机完成了0~100 m扬程下的实验,启动过程稳定迅速、换向准确,无短时过流和过载现象,而且对不同扬程有自适应性。新方法不仅保证光伏扬水系统具有良好的启动特性,也适用于其它有高启动转矩要求的系统。     

低温高压快速生长纳米晶硅薄膜中氢的作用

以SiH4/H2为气源,用PECVD沉积技术,在低温(200℃)、高压下(230Pa)下制备出优质纳米晶硅薄膜.研究氢在高速生长纳米晶硅薄膜材料中的作用.实验表明,氢对纳米晶硅薄膜的高速生长起到非常关键的作用.随着氢稀释率由95%提高至99%,薄膜的晶化率由30%增大到70%,晶粒尺寸由3.0nm增大至6.0nm,而沉积速率却由0.8nm/s降低至0.3nm/s.