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11.
本文通过GIDL电流参数IDIFF对空穴应力下LDD nMOSFET中的GIDL电流退化进行了深入研究。IDIFF是在相同VDG下漏电压VD=1.4V和栅电压VG=-1.4V两种情形下的GIDL电流之差。空穴陷落在栅漏交叠区的氧化层中导致GIDL电流退化。这些陷落的空穴减小了上述两种对称的测试情形下的横向电场差ΔEX从而使得IDIFF表小。从GIDL电流中提取的IDIFF随着应力时间t的增加而减小。IDIFF的退化量ΔIDIFF,MAX与应力时间成幂指数关系:ΔIDIFF,MAX∝tm, m=0.3. 并用热电子应力实验验证了HHS实验中的相关物理机理。 相似文献
12.
陈海峰 《信息技术与信息化》2015,(3):8-10
在产业升级换代背景下,高职院校应主动适应产业发展需求,积极探索技术技能型人才培养的规律,深化人才培养模式改革,创新人才培养机制,提升人才培养质量。本文在校企融合的基础上,提出一种专业体系自适应于信息技术产业发展的人才培养模式,实现产业升级换代与人才培养模式升级同步。 相似文献
13.
14.
近些年,我国电力行业发展迅速,其工程建设规模也在不断扩大。其中,电力建设工程的安全监理工作是电力工程建设工作的命脉所在,只有抓好安全工作,有效识别安全监理风险,并对其进行防范,才能确保电力建设工程的顺利推进。本文即针对电力工程安全监理的风险识别与防范进行了具体分析。 相似文献
15.
氧化镓的禁带宽度接近5 eV,是一种极具前景的日盲紫外探测半导体材料。基于碳热还原法生长高质量β-Ga2O3微米带制备出MSM(Metal-Semiconductor-Metal)结构光电导紫外探测器,研究了不同的结构对光电器件性能的影响。结果表明等间距叉指电极光电探测器相较于两端电阻型光电探测器有更优异的性能。在10 V/254 nm紫外光照下,其响应度、外部量子效率、比探测率和光响应时间等性能提高明显,其中光电流(Iphoto)有接近2个数量级的提升,且-2 V附近光暗电流比值增大至2.29×105。随着叉指电极间距从50μm缩减至20μm,器件Iphoto变大,其物理机制归因于阳极附近的耗尽层占据电极间微米带的比例增大引发了更高的光生载流子输运效率。 相似文献
16.
文章对亚微米自对准硅化物制造设备及工艺进行了详细的描述。文中以实际生产为目标, 以实验数据为依据,对影响自对准硅化物薄膜特性的各项工艺参数进行调试和论证,找出合适的RTP1 温度,并开发出适合自对准硅化物薄膜的工艺标准。 相似文献
17.
在重铬酸钾法的基础上,以增加催化剂和氧化剂的相对用量来缩短回流时间,用紫外分光光度计测定稀释回流液吸光度来替代硫酸亚铁铵的滴定,构建了水质COD值与吸光度之间的关系模型。结果表明该法测定水样的最大吸收波长为349 nm,相对标准偏差小于2.6%,测定范围在10~700 mg/L,可以满足一般水质的快速测定要求。 相似文献
18.
19.
针对我国化工企业的安全环保现状,本文分析了化工企业员工安全环保意识缺失的原因,提出了化工类高职高专院校着重培养学生安全环保素养的具体方法。 相似文献
20.