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介绍表面磁光克尔效应谱(SMOKE)的一种新方案。通过适当分光并测量信号束和参考束的光强比,可以明显改善由于激光的光强不稳造成的误差,还使得随机偏振激光器也能用于SMOKE装置。同时该方案中没有采用信号调制,因此对探测器等硬件要求很低。实验结果表明,采用光强稳定度为5%的普通国产He-Ne随机偏振激光器,其测量灵敏度能够达到目前国际上通常用于超薄膜磁性测量的SMOKE的同类水平。 相似文献
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我们制备了M=2,4,6和10的一系列短周期(GaAs)M/(AlAs)M厂超晶格样品并测量了其椭偏光谱.对这些样品的光频介电函数港进行了分析,并与夏建白等的理论计算结果作了直接比较上述理论计算是对M=4,6和10的超晶格样品作出的,并给出相应的介电函数谱曲线.在光子能量3.5~4.5eV范围的E1峰与瓦峰附近的实验谱的主要特征,与理论计算结果相一致实验谱中的E1峰比理论谱要强些,不同M值的超晶格样品之间的E1峰之差异也大于理论结果。 相似文献
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采用射频溅射方法制备了贵金属银薄膜样品.通过椭圆偏振光谱方法在1.5~4.5eV光子能量区测量获得了复介电函数和复折射率.针对3个不同波长的复折射率常数,对于光从大气入射到金属银边界,以及从金属银入射到大气边界的情况进行了具体模拟计算和分析,发现即使在平行金属膜条件下,光在大气一侧的出射角也不等于初始入射角,并且与波长、光学常数和入射角等有关的等效折射率常数和折射角均为正值,在整个光谱区不改变符号,与实验观察的结果不相符合.实例计算所揭示的这些涉及到光在金属中的传输特性仍有待于更多的实验和理论研究. 相似文献
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采用放电等离子烧结(SPS)TbFeCo合金靶,分别在Si衬底和K9玻璃衬底上磁控溅射制备了磁光薄膜TbFeCo/Si和TbFeCo/K9;利用扫描型可变入射角全自动椭偏仪,室温下测量了复介电常数谱,测量结果表明两样品介电函数值有较大差异,说明衬底对薄膜的光学性质有重要影响.用磁光Kerr谱仪,在室温下分别测量了TbFeCo薄膜的极向Kerr回线和横向Kerr回线,发现所制备TbFeCo薄膜不具有垂直磁化性质,而呈现出面内磁化性质. 相似文献
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掺GeZnSe的稳恒光电导及其局域性效应 总被引:1,自引:1,他引:0
在一定的温度以下 ,某些半导体材料的光电导效应在激发光源撤去以后会持久地保持下去 ,当温度升高超过这个温度 (称为淬变温度 )以后 ,这种持续的光电导现象会消除 ,称为稳恒光电导现象 .而且这种光电导效应具有很强的局域性 .采用电学测量方法 ,通过测量激光照射前后电导率随温度的变化研究了掺 Ge的 Zn Se的稳恒光电导效应 ,结果发现淬变温度高达 2 1 0 K的稳恒光电导效应 .并通过研究光电阻随光照位置变化的趋势研究了这种光电导的局域性特性 ,结果发现在淬变温度以上局域性随稳恒光电导消失而消失 相似文献
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