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231.
在设计便携计算机产品的电源管理和变换电路时会遇到一些特殊的难题.多个电源、多输出电压、大小和重量等限制,尤其是电池寿命这个最重要的限制因素,会占用过多的设计时间.此外,某种电池的化学特性或未经稳压的电源电压在输入电压范围不合乎理想要求时,会使这些问题更趋复杂;如果这些问题是在设计周期的后期出现,则后果更为严重.正如本文将要指出的那样,潜在的电源设计问题是可以被发现的.本文提供了有助于解决这些问题的一些方案.文中提示的电路全部都在实用设计中  相似文献   
232.
中央电视台播送中心转播部设计的奥运B类高清电视转播车具备高标清兼容制作以及大型体育赛事的转播制作能力,并超前设计了"一车两制"的功能。该车以先进的设计理念和独特的结构设计获得了2008年广电总局科技创新二等奖。本文重点阐述了该转播车在系统设计和结构设计中使用的一些新的设计思想和方案。  相似文献   
233.
报道了研制的1mm栅宽的AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管,在32V漏偏压下在7.5~9.5GHz频率范围内输出功率大于5W,功率附加效率典型值为30%,功率增益大于6dB,带内增益平坦度为±0.4dB,带内最大输出功率为6W。  相似文献   
234.
今年的欧洲设计与测试研讨展示会把重点放在解决混合信号的设计与测试问题以及微机电系统的设计工具上,使这届年会的技术介绍大放异彩。这次会议增加了第5个议程,因而总共有5个议程:两个关于CAD,一个关于设计,一个是测试,还有一个是用户论坛。为了强调越来越关注高级设计问题,年会组织者增加了一个副标题:“从ASIC发展到系统”。为了支持这种看法,会议的多个议题将讨论IC、多片模块一直到印制板和整个系统等不同产品的设计与测试问题。呈交的论文总共有134篇。欧洲设计与测试96年会于3月11至14日在法国巴黎的…  相似文献   
235.
利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作p型和n型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡掺杂曲线,并给出了部分器件测试结果.  相似文献   
236.
研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs,采用凹槽栅和场调制板结构有效抑制了器件的电流崩塌,提高了器件的击穿电压和器件的微波功率特性.研制的1mm栅宽器件在8GHz,34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率增益为7.5dB,功率附加效率为46%.  相似文献   
237.
研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs,采用凹槽栅和场调制板结构有效抑制了器件的电流崩塌,提高了器件的击穿电压和器件的微波功率特性.研制的1mm栅宽器件在8GHz,34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率增益为7.5dB,功率附加效率为46%.  相似文献   
238.
李哲洋  董逊  张岚  陈刚  柏松  陈辰 《半导体学报》2008,29(7):1347-1349
利用水平热壁式CVD外延生长技术,在75mm偏向1120方向4°的(0001)Si-面n型导电衬底上同质外延生长了4H-SiC薄膜.光学显微镜和原子力显微镜测试结果表明外延层表面存在三角形、胡萝卜状等典型的4°偏轴外延缺陷及普遍的台阶形貌.通过优化外延参数,片内浓度均匀性(σ/mean)和厚度均匀性分别达到4.37%和l.81%.  相似文献   
239.
75mm 4°偏轴4H-SiC水平热壁式CVD外延生长   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用水平热壁式CVD外延生长技术,在75mm偏向1120方向4°的(0001)Si-面n型导电衬底上同质外延生长了4H-SiC薄膜.光学显微镜和原子力显微镜测试结果表明外延层表面存在三角形、胡萝卜状等典型的4°偏轴外延缺陷及普遍的台阶形貌.通过优化外延参数,片内浓度均匀性(σ/mean)和厚度均匀性分别达到4.37%和l.81%.  相似文献   
240.
为了研究原子光刻实验中基片对汇聚激光场的影响,基于标量光学理论,采用数值计算对直边衍射情况下高斯激光驻波场特性进行了仿真。结果表明,高斯激光的直边衍射效应会呈现与平面光波相似的强度振荡现象,两者直边衍射后的第1个强度突变分别为中轴线强度的1.18倍和1.37倍;随着束腰的增大,高斯激光的衍射越接近平面波;中轴线和基片表面距离会影响高斯激光截面进入直边几何阴影之外的大小;直边衍射后入射波和其经过反射镜作用的反射波相遇叠加在光轴方向上会形成稳定的驻波;这种驻波的强度在垂直光轴截面上呈现一定的衍射特性。该研究有利于理解直边衍射时高斯驻波场形成的实质;并可通过适当的激光参量来调整实验激光驻波场结构。  相似文献   
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