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正我公司生产的50Mn-C材质船件(如中间轴、螺旋桨轴、弯舵杆等)为船体重要部件之一,在工作过程中起到传递力作用,承受较大的扭转力,技术上对锻件质量要求较高,锻件锻后热处理后需满足性能要求,且需进行整体超声波无损检测。近期,我公司生产的某船厂船件中间轴在性能检验时其冲击吸收能量(A KV,共检船级社GL)未满足标准要求,本文对锻件冲击性能不合格的残样及热处理工艺执行等进行解剖分析,分析不合格原因。 相似文献
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本文简要讲述了电能计量装置自动抄表技术的产生原因,分析了人工抄表的现状和自动抄表的优点,指出了计量装置自动抄表的热点问题和发展方向,并畅谈了自己的想法和见解. 相似文献
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我厂是航空航天部惯性仪表研制生产厂之一。惯性仪表零、组件的结构特点是尺寸小,小到几十微米,精度高,尺寸精度为微米级,形状精度为亚微米级,表面粗糙度低,为Rα0.025,形状结构复杂,包括薄壁。这些特点决定了加工难度大。它需要有先进的工艺方法,相当精密的设备,理想的刀具,准确的测量仪器仪表,良好的加工环境和相应的工艺控制水平。 相似文献
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采用固态源分子束外延系统(SSMBE),以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,研究基于碳掺杂InGaAs材料的InP双异质结双极晶体管(DHBT)分子束外延生长工艺。通过In原子补偿工艺,补偿基区InGaAs材料中被CBr4刻蚀的In原子,调整In组分使InGaAs-C外延层与InP衬底晶格匹配。通过界面层Ⅴ族元素切换工艺,减少InP/InGaAs界面层四元合金材料的形成,避免四元合金界面对后续湿法工艺的影响,降低材料表面粗糙度。利用优化后的材料外延工艺,得到表面颗粒密度为15/cm2,基区InGaAs-C材料P型掺杂浓度为5.25×1019cm-3,方阻非均匀性为0.5%的InP基DHBT完整结构材料,利用0.7μm InP DHBT工艺平台,得到增益为41、击穿电压为4 V、截止频率为341 GHz、最大震荡频率为333 GHz的InP基DHBT器件。 相似文献
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正交频分复用(OFDM)技术在无线移动通信系统中具有抗多路径衰落和频带间干扰等优点。然而,其主要瓶颈在于OFDM信号的峰均功率比(PAPR)很大,因而容易导致OFDM信号的交调失真和系统性能的下降。阐述了降低OFDM系统峰均比的三类技术:预畸变技术、编码类技术、概率类技术,并对其性能做了比较。 相似文献