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41.
中国IC(集成电路)设计厂商扬智科技近日推出两款芯片 M5271和 M5632。M5271是可支持 USB2.0(通用串行总线2.0)、IEEE1394(电气与电子工程师学会 相似文献
42.
非等同两原子与双模光场相互作用的腔场谱 总被引:1,自引:1,他引:1
研究了非等同两原子与双模腔场模型的腔场谱,分析了谱结构随原子与腔场相对耦合常数的变化规律。结果发现,相对耦合常数对真空场、弱场、强场谱结构都有不同程度的影响;通过改变一模的光强可以改变另一模腔场谱的频率,也可以改变相对耦合常数同时改变两模腔场谱的频率。 相似文献
43.
含Kerr介质腔中耦合双原子系统的腔场谱 总被引:6,自引:3,他引:6
研究了含Kerr介质腔中耦合双原子与辐射场相互作用模型的腔场谱,给出了初始时刻原子处于激发态、光场处于光子数态时的计算结果,讨论了Kerr效应对谱结构的影响。结果发现,随Kerr效应增强,各峰频率不断升高;Rabi峰一般为4峰结构,其中2峰强度逐渐减弱直至消失,另2峰在χ/g=0.7附近有唯一极大值点,腔场谱演化为双峰结构,其频差不断增大;当n>0时,只有1峰强度单调升高直至饱和,其余各峰强度均单调减弱直至消失,腔场谱最终演化为高频的单峰结构。 相似文献
44.
46.
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。 相似文献
47.
为探讨密度分层流中附体对潜艇周围流场及阻力特性的影响,基于雷诺平均方程建立一种用于模拟密度分层流中水下潜体航行特征的计算流体力学模型。采用SUBOFF潜艇模型进行收敛性研究,并与实验结果进行对比验证数值模型的精确性;采用该模型模拟得到加装不同附体工况下的潜艇以不同航速航行时的水动力特性,并结合压力变化分析相关结果产生的原因。结果表明:附体对分层流中潜艇水动力特性的影响与航速高低有关;在弗劳德数为0.5附近,潜艇兴波阻力系数达到最高;附体带来的潜艇表面曲率突变会引起较大的压力变化;所建模型展示了潜艇的航行尾迹特征,并对密度分层流中水下潜体运动问题模拟方法的选取及潜艇附体的优化设计具有一定参考价值。 相似文献
48.
通过分析中国石油兰州石化分公司炼油厂氨精制装置存在的运行问题,提出了相应的改造措施,包括在分凝器脱液管线上新增隔离阀门、更换三级冷凝冷却器、更换氨压缩机及采用低温结晶脱硫工艺等。改造后装置运行结果表明:三级分凝器出口温度由70℃降至小于35℃,压缩机吸气量由5 m3/m in提高至74 m3/m in,原料酸性水中硫化氢质量分数下降45.5%,氨质量分数下降55.5%,净化水合格率达100%,氨精制塔塔顶温度下降5~20℃,液氨中氨质量分数由97.05%上升至99.60%,液氨产量达0.125 t/h,实现了装置的长周期运行。 相似文献
49.
为阐明含能结构材料冲击反应机理,开展以Al/Ni粉末复合材料为代表的含能结构材料冲击反应细观模拟研究。基于Al/Ni粉末复合材料的扫描电镜照片建立细观有限元模型,并结合Mie-Grüneisen状态方程描述Al/Ni粉末复合材料冲击压缩行为。在此基础上,基于反应扩散模型建立考虑多组分固相反应的Al/Ni粉末复合材料冲击反应细观模型,分析细观尺度上物质输运过程、冲击反应演化规律及冲击波传播特性。研究结果表明:Al/Ni粉末复合材料在冲击压缩速度(即粒子速度)为400 m/s时仅发生了微弱的化学反应,且化学反应程度随着冲击压缩速度的增大的加剧;化学反应最初发生于Al-Ni界面处,然后垂直于界面发展;冲击反应将引起材料冲击温度和压力的增高,同时对冲击波的传播起到强化作用。 相似文献
50.