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驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作 总被引:2,自引:1,他引:1
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。 相似文献
22.
基于嵌入式计算机和Ethernet的分布式波控系统 总被引:5,自引:2,他引:3
介绍一种基于嵌入式计算机和以太网(Ethernet)的相控阵雷达分布式波控系统。整个波控系统以数个嵌入式计算机为核心,通过以太网与雷达的控制计算机通讯。 相似文献
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6月下旬,当人们走出“非典”阴影的时候,我们走进了信息产业部,走进了信息化推进司司长季金奎简朴的办公室,就新时期推进司的职能、任务等问题采访了季司长。 相似文献
26.
Fowler—Nordheim高电场应力引起的MOS结构损伤研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文研究了Fowler-Nordheim高电场应力引起的MOS结构损伤及其室温退火。结果表明有四种损伤产生,氧化物正电荷建立,Si/SiO2快界面态增长,慢界面态产生和栅介质电容下降,当终止应力后,前三种损伤在室温下有所恢复,但最后一种损伤没有变化,实验还表明:产生的慢界面态分布在禁带上半部;高电场下栅介电容呈现无规阶梯型下降,对四种损伤及其室温退火机理进行了讨论,还给出产生的慢界面态对高频电容- 相似文献
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